一类第一 Betti数为奇数的曲面上的向量丛

本文得到一些有关一类第一Betti数为奇数的曲面上的全纯向量丛的结果,以及例外Hopf曲面上的集合IS2(X,0)的描述．     

关于Hopf曲面的模空间

研究了S¹×(S³/H)上复结构的模空间,这里H(?)U(2)是有限阶Abel群,H在S³上的作用自由且真不连续.     

爆轰波对碰驱动下加环紫铜圆管对碰区的变形特性

爆轰波对碰驱动下金属圆管对碰区易出现过早断裂现象，为了推迟圆管对碰区的断裂时间，文中在紫铜圆管对碰部位设计了铝保护环结构，以研究加环后紫铜圆管对碰区的膨胀变形特性及其对圆管对碰部位破裂时间的影响。采用高速分幅摄影、脉冲x光照相两种观测技术，对加环紫铜圆管在爆轰波对碰驱动下的膨胀变形及破坏过程进行了观测。实验装置示意图及高速分幅摄影实验结果见图I。     

偏应力对材料层裂强度影响的实验研究

 采用热装配方法对平面样品施加径向应力,获得不同程度的偏应力,通过轻气炮实验获得了不同预应力下LY12铝合金层裂信号,结果表明：即使在相同撞击速度下,材料的层裂强度差异也发生明显变化。偏应力越大,材料的层裂强度越小,由于不同的球面层裂具有不同的偏应力场,通过本实验方法有可能将球面层裂与一维平变下的层裂联系起来。     

初始应力状态对材料层裂破坏特性影响研究

通过对球面飞片加载条件下的应力/应变状态分析表明采用施加径向应变方法可以近似模拟球面加载的受力过程. 采用过盈配合的热装配方法对平面样品施加了径向预应变,一维平面应变气炮实验结果显示初始预应力(变)明显降低了LY12铝层裂强度. 从空洞长大基本原理出发分析了各向异性受力条件下空洞长大的路径和所消耗能量不同于各向同性应力加载.通过数值模拟对含损伤的材料本构模型进行分析,得到了材料层裂强度与其外部宏观应力场密切相关,也间接的与构型相关的结论.      

爆炸膨胀环实验技术初步研究

为避免对碰爆轰波加载时的应力不均匀性,初步建立了爆炸丝线起爆方式的爆炸膨胀环实验技术。长度为200mm、直径为0．175mm的铜丝爆炸同步性小于0．2μs,基本实现了同步起爆粉末泰安炸药,通过膨胀环实验初步获得无氧铜试样环的膨胀速度历史,为进一步利用爆炸膨胀环实验研究材料的高应变率拉伸加载时的本构关系奠定了基础。     

1-己基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐离子液体对蓖麻油润滑性能的影响

本文作者着眼于改善植物油的润滑性能,探索离子液体作为添加剂应用于植物油的可行性.以蓖麻油为基础油,1-己基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐离子液体([HMIM]BF4)为添加剂,配制三种不同质量百分数的混合蓖麻油,分别利用紫外可见光谱仪、流变仪、热重分析仪、四球摩擦磨损试验机、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)考察了其理化性能和润滑性能,探讨[HMIM]BF4对蓖麻油的作用机理.研究结果表明:随着温度的增加,[HMIM]BF4对蓖麻油的黏温特性影响越来越小,但一定程度上提高了蓖麻油的热稳定性;适量的[HMIM]BF4有助于提高蓖麻油的最大卡咬载荷、烧结点载荷和接触压力,但过多[HMIM]BF4会降低蓖麻油的抗磨损性能和承载能力.     

冲击相变对FeMnNi合金层裂行为影响研究

通过逆向加载和等厚对称碰撞实验相结合的方法,确定了FeMnNi合金完整的加卸载物理过程和相变层裂特征。采用修正的Boettger模型与非平衡两相相变理论模型,成功模拟再现了实验过程,解释了冲击相变、卸载逆相变及稀疏冲击波形成的物理机理。实验和数值模拟相结合,从应力波相互作用的角度定量分析了层裂发生的原因,指出层裂发生的机制正是由于受载样品发生了冲击相变和卸载逆相变。      

雾化施液同质硬脆晶体互抛CMP工艺研究

探究了雾化施液同质硬脆晶体互抛CMP工艺抛光单晶硅片的可行性,分析其材料去除机理.试验采用传统的化学机械抛光CMP和雾化施液同质硬脆晶体互抛CMP,使用三种含有不同成分的抛光液对硅片进行抛光,对抛光前后的硅片进行称重比较两种工艺方法的材料去除率;通过扫面探针显微镜观察硅片的表面形貌,对其表面粗糙度进行分析.使用雾化施液同质硬脆晶体互抛CMP工艺对硅片进行抛光时,硅片表面材料去除率随着抛光压力的增大而增大,抛光压力为9 psi时达到最大为711 nm/min,高于传统化学机械抛光的630 nm/min;对两种工艺抛光后的硅片进行扫描分析得出雾化施液化学机械抛光工艺抛光后的硅片表面粗糙度为3.8 nm,低于传统化学机械抛光工艺的6.8 nm.雾化施液同质硬脆晶体互抛CMP工艺抛光硅片是可行的,优于传统化学机械抛光工艺,具有材料去除率高、抛光效果好、节约成本以及绿色环保的优点.     

适用于硅晶体多线切割的线切割液研制

本文通过硅片旋转磨损试验模拟线切割过程,以评价切割液的切割性能。首先,通过对比试验选出线切割液的主要组份;接着,通过正交试验优化各组份的含量并得到最优配方;最后,在相同条件下将最优配方与某市场切割液进行比较。结果表明:自制最优配方切割液MRR为7820 nm/min,Ra为9.12 nm。与市场切割液相比MRR稍低,但表面粗糙度要好。分析原因是由于新配方切割液在分散性和润滑性方面有所提高,而且碱性变强,加大了化学作用,有效的提高了晶片表面质量。