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41.
我国第一台专用型的合肥国家同步辐射加速器U7C光束线上的X射线吸收精细结构(XAFS)实验站于1998年12月完成建设和初步的调试工作.储存环电子能量为0.8GeV,使用三极6T的超导Wiggler磁铁插入件,可提供的最高能量约为15000eV的X射线.9000eV单色X射线的强度约为3×10  相似文献   
42.
在不用催化剂的条件下,通过热蒸发锌粉的方法,一种新颖的球棒状的氧化锌纳米结构被沉积在硅基片上.每一根球棒状的氧化锌纳米棒("纳米球棒")由三部分构成,分别是六边形"球棒头"、"球棒把手"以及一个连接过渡的部分.高分辨率透射电镜和选区电子衍射结果表明,纳米棒呈单晶特性,沿着[0001]方向择优生长.根据对实验结果的分析,纳米球棒的生长过程可以利用气-固生长机制进行解释,合理地提出其生长模型.  相似文献   
43.
GaAs表面硫化学钝化,CH3CSNH2处理新探   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
应用同步辐射光电子谱(SRPES)和光致荧光(PL)方法探讨不同钝化条件对GaAs表面键合状态和电子态的影响.发现无论在酸性溶液或碱性溶液条件下,经过CH3CSNH2处理的GaAs表面S都与Ga和As成键,形成硫化物钝化层;钝化层形成后,PL谱的强度明显增强,表明GaAs表面复合中心的减少和缺陷态密度的降低 关键词:  相似文献   
44.
铈基氧化物催化剂上氧物种的EPR研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
徐法强  杨廷录 《分子催化》1996,10(5):320-327
选择CeO2、20%(mol)Ce/Sr及SrCO33种甲烷氧化偶联催化剂,进行了吸附氧的EPR及骤冷EPR研究,对氧物种的形式、吸附方式及在反应中的作用进行了深入讨论.实验发现,氧化铈及复合催化剂很容易吸附氧分子产生O2-超氧离子,而碳酸锶表面不利于O-2的生成.O-2可以不同方式吸附于催化剂表面,不同方式吸附的O-2具有不同的氧化能力和稳定性.不同温度下骤冷可以在复合催化剂上得到几乎相同强度的O-2EPR信号,因此O-2可能不是甲烷的选择活化中心,而是在反应条件下转化成了O2-2或O-选择性物种.复合催化剂中的SrCO3,对CeO2中氧的流动性及产生氧中间体的能力起到了调节作用,抑制了过氧化.  相似文献   
45.
刘育  徐法强 《分子催化》1994,8(2):138-142
直接利用甲烷氧化偶联产物中的稀乙烯制环氧乙烷刘育,徐法强,沈师孔(中国科学院兰州化学物理研究所,兰州,730000)关键词乙烯环氧化,甲烷氧化偶联,负载银催化剂1.前言甲烷氧化偶联(OCM)是一个产物较为复杂的反应,从目前研究结果来看,产物中C2烃总...  相似文献   
46.
利用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)技术,系统研究了室温下Fe/ZnO界面形成过程中Fe薄膜与氧结尾的ZnO(000 1 )衬底之间的相互作用,结果显示初始沉积的Fe明显被表面氧氧化为Fe2+离子,在Fe覆盖度为0—3 nm的范围内,分别观察到与界面电荷传输、化学反应以及薄膜磁性相关的三个有意义的临界厚度,这一结果将有助于基于Fe/ZnO界面的相关器件的设计和研发.  相似文献   
47.
ZnO及其缺陷的电子结构   总被引:40,自引:0,他引:40       下载免费PDF全文
利用全势线性Muffin-tin轨道(FP-LMTO)理论方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构.计算的结果表明,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用. O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽,带隙变小.Zn空位和O填隙分别在价带顶0.3和0.4 eV处产生浅受主能级.而Zn填隙在导带底0.5 eV处产生浅施主能级.但O空位则在导带底1.3 eV处产生深施主能级.根据以上结果,证明了Zn填隙是引起ZnO本征n型导电性的主要原因.  相似文献   
48.
Fe-doped ZnO film has been grown by laser molecular beam epitaxy (L-MBE) and structurally characterized by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM), all of which reveal the high quality of the film. No secondary phase was detected. Resonant photoemission spectroscopy (RPES) with photon energies around the Fe 2p-3d absorption edge is performed to detect the electronic structure in the valence band. A strong resonant effect at a photon energy of 710 eV is observed. Fe3+ is the only valence state of Fe ions in the film and the Fe 3d electronic states are concentrated at binding energies of about 3.8 eV and 7 eV~ 8 eV. There are no electronic states related to Fe near the Fermi level. Magnetic measurements reveal a typical superparamagnetic property at room temperature. The absence of electronic states related to Fe near the Fermi level and the high quality of the film, with few defects, provide little support to ferromagnetism.  相似文献   
49.
采用循环伏安法在GaAs(100)单晶表面电沉积了铁族金属单质薄膜. 扫描电子显微镜(SEM)结果显示, Fe族金属薄膜的晶粒较小, 薄膜平整度较高。通过X射线衍射(XRD)谱分析了Fe, Co, Ni在GaAs(100)晶面上的外延生长. 使用磁光克尔效应装置研究了Fe族金属薄膜的宏观磁性, 用同步辐射圆偏振软X射线测量了铁族单质磁性薄膜的吸收谱, 获得了X射线磁性圆二色谱, 并通过加和定则计算了磁性薄膜中Fe族金属原子的轨道磁距和自旋磁矩.  相似文献   
50.
徐彭寿  谢长坤  潘海斌  徐法强 《中国物理》2004,13(12):2126-2129
We have studied the band structure and optical properties of 4H-SiC by using a full potential linearized augmented plane waves (FPLAPW) method. The density of states (DOS) and band structure are presented. The imaginary part of the dielectric function has been obtained directly from the band structure calculation. With band gap correction, the real part of the dielectric function has been derived from the imaginary part by the Kramers-Kronig (KK) dispersion relationship. The values of reflectivity for normal incidence as a function of photon energy have also been calculated. We found the theoretical results are in good agreement with the experimental data.  相似文献   
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