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41.
在5%Nb掺杂的SrTiO3衬底上用磁控溅射法外延生长了La1/aCa7/aMnO3薄膜形成异质结,该异质结有类似于传统P-n结的整流特性.磁场下扩散电压减小,当温度低于130 K以下,扩散电压的减小非常明显.这和在此温度以下,La1/8Ca7/aMnO3出现自旋倾斜态密切相关.我们计算出异质结的结电阻和磁致电阻(MR),在不同大小的正负偏压,不同磁场下,都得到负的MR值.我们给出界面附近的La1/8Ca7/8MnO3的能带结构并分析了外加磁场对洪德耦合,Jahn-Teller畸变等机制的作用,来解释该异质结的磁输运行为.结果有助于了解高Ca掺杂锰氧化物异质结的性质. 相似文献
42.
We propose a scheme for generating entangled squeezed vacuum states of electromagnetical fields. The scheme is based on cavity QED. In this scheme, an atom interacts, successively, with a classical field, two quantum cavity fields, and another classical field. By detecting the final states of the atom, the two quantum cavity fields will be projected to an entangled state. 相似文献
43.
Efficiency Enhancement of Dye-Sensitized Solar Cells: Using Salt CuI as an Additive in an Ionic Liquid 下载免费PDF全文
Energy conversion efficiency of the dye-sensitized solar cell is improved from 3.5% to 4.5% by adding a small amount of CuI into an ionic liquid electrolyte. It is found that other copper-I salts, for example, CuBr, have the same effect for the dye-sensitized solar cell. Experimental results show that no Cu^2+ ions exist in this electrolyte. It is suggested that this improvement is caused by the adsorption of Cu^+ onto the TiO2 porous film. 相似文献
44.
Effect of Reactor Pressure on Qualities of GaN Layers Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy 下载免费PDF全文
The influence of reactor pressure on GaN layers grown by hydride vapour phase epitaxy (HVPE) is investigated. By decreasing the reactor pressure from0. 7 to 0.5 mm, the GaN layer growth mode changes from the island-like one to the step flow. The improvements in structural and optical properties and surface morphology of GaN layers are observed in the step flow growth mode. The results clearly indicate that the reactor pressure, similarly to the growth temperature, is One of the important parameters to influence the qualities of GaN epilayers grown by HVPE, due to the change of growth mode. 相似文献
45.
报告了在13.5-14.6MeV中子能区,用活化法(以93Nb(n,2n)92mNb反应截面为中子注量标准)测得的50Cr(n, 2n)49Cr和52Cr(n, 2n)51Cr的反应截面. 由能量为13.5±0.3 ,14.1±0.2,14.4±0.3 和14.6±0.3MeV的中子引起的50Cr(n, 2n)49Cr反应截面值分别为3.4±0.2,6.8±0.3,21.5±1.0 和25.0±1.2mb,52Cr(n, 2n)51Cr的反应截面值分别为185±10,193±9,258±13 和332±16mb. 单能中子用T(d,n)4He反应获得,其能量用铌锆截面比法测定. 另外,为避免热中子引发的50Cr(n, 2g)51Cr对52Cr(n, 2n)51Cr反应截面的影响,在样品被辐照过程中对样品进行了包镉处理,并将实验结果与尽可能收集到的其它实验数据进行了比较. 相似文献
46.
47.
N-单烷基苯胺化合物是染料、医药的重要中间体.以取代硝基苯和醛为原料,钯碳为催化剂,甲酸铵为氢供体,经硝基还原、醛胺缩合、碳氮双键还原反应,在室温下一锅法合成N-单烷基化苯胺化合物,收率和转化率均超过80%.重点对反应配比、甲酸铵用量等工艺参数进行了考察,最佳反应参数为:n(硝基化合物)︰n(甲酸铵)=1︰4;w(硝基化合物)︰w(钯碳)=1︰0.10.并对苯环上取代基对反应的影响进行了探讨,结果显示,由于苯环上供电子基团有利于醛胺缩合物中间体的形成,故反应活性较高.该工艺具有反应温和、安全、操作简单等优点. 相似文献
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49.
50.