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41.
利用一维矩形光子晶体中电磁波横向受限的条件,推导出电磁波在其中各个模式满足的关系式,从而研究了电磁波各模式的特性.通过色散法研究了电磁波的传输特性随模式量子数和矩形边长的变化规律,得出了一些不同于一维非受限光子晶体的新特征,即一维矩形光子晶体的禁带由模式量子数确定,禁带频率中心和频率宽度与模式量子数和边长有关. 相似文献
42.
43.
基于密度泛函理论第一性原理的方法,计算了GaN、C单掺、Mg单掺和C-Mg共掺体系的电子结构和光学性质,计算结果表明:掺杂后,GaN体系的晶格发生畸变,有利于光生空穴-电子对的分离,C-Mg共掺体系结构最稳定,掺杂体系的禁带宽度均减小,其中C-Mg共掺体系的禁带宽度最小,在禁带中引入了杂质能级,说明掺杂可有效降低电子跃迁所需的能量.在光学性质方面,掺杂后,GaN在低能区介电峰和吸收峰均发生红移,且静介电常数增大;其中C-Mg共掺体系的对可见光的吸收最强,极化能力最强,因此C-Mg共掺将有望提高GaN在光催化性能和极化能力. 相似文献
44.
生物标志物[1] 最初来自于生物体 ,是由碳、氢和其他元素组成的复杂有机化合物。它们存在于页岩、沉积物和原油中 ,与生物体的母体有机分子结构差别很小或基本没有差别。由于其复杂的结构能提供许多成因和地质历史的有用信息。Gallegos[2 ] 研究格林河页岩时 ,提取许多单芳三环二萜类化合物 ,认为这类化合物是由三环和五环萜类或甾类经过断裂及芳构化作用而形成的。这类化合物的结构在地质样品中经GC MS和计算机检索而推测出来。本文合成的标准样品与其地质样品的质谱图基本吻合[3 ] ,同时为进一步研究页岩地质环境、成因和历史… 相似文献
45.
以流动模式(flow mode)多极板之电流变阀(electrorheological valve)进行避震器阻尼力特性的研究。由于电极板的大小直接影响到流体流动的剪力及避雷器的阻尼力,因此使用多极板型式来探讨避震器的特性。设计有1-5个流道之并联及1-3个流道之串联多极板电流变阀的电流变避震器,并使用自制的电流变液进行实验。由研究结果显示,流动式并联极板之电流变避震器,一个流道之阻尼力最大,流道极板增加则阻尼力反而下降,而流动式串联多极板之电流变避震器之阻尼力则随极板数递增,故需要高阻尼力之避震器较适合使用串联多极板型式。 相似文献
46.
利用1H MAS NMR技术,在甲烷部分氧化(POM)制合成气反应条件下研究了Rh/SiO2催化剂上氢与金属的相互作用及反应机理. 结果发现,氢气在Rh/SiO2上解离吸附后可能有四种存在形式: 化学位移为δ=-100~-120的可逆(αM)和不可逆(αI)吸附氢物种,δ=0~-100的“氢云”或“氢雾”形式的氢物种和δ=3.0的溢流氢物种. 溢流氢物种是由可逆吸附的氢物种和“氢云”或“氢雾”状态的氢物种溢流到SiO2上并弱吸附在桥式氧(Si-O-Si)附近而形成的. 溢流氢物种活化晶格氧,形成一种POM反应的活性氧物种OH-. 活性氧物种OH-反溢流到Rh上,并与CH4解离吸附在Rh上的CHx物种反应生成含氧中间物种CHxO. CHxO物种的化学位移为5~7. O2参与CHxO物种的进一步氧化,或补充溢流氢夺取桥式氧后形成的缺陷位上的晶格氧,在高温(973 K)反应条件下,O2可能优先补充缺陷位上的晶格氧,使CHx的氧化按表面反应机理进行. 相似文献
47.
超临界氮气对聚苯乙烯微观形态的影响——喷泉效应与层状结构的形成 总被引:4,自引:0,他引:4
当流体的温度和压力处于它的临界温度和临界压力以上时,称该流体处于超临界状态,为超临界流体.超临界流体表现出许多不同于一般气体和液体的特性,如溶质在超临界流体中的溶解度可较同温常压下溶质在同种气体中的溶解度大很多,超临界流体密度与液体的密度相近,其粘度却比液体小近百倍,导热系数比常压气体大得多等.由于超临界流体具有这些不同寻常的特性,因而以超临界萃取为代表的超临界流体已有广泛的工业应用.近年来超临界流体在聚合物加工中的应用逐渐受到重视,如超临界分级、造粒、气体辅助注塑成型、发泡成型等[1~3]. 相似文献
48.
高磺化度聚苯胺体系中的分形结构研究 总被引:6,自引:0,他引:6
通过透射电镜的观察研究发现磺化聚苯胺的胶体聚集体和胶粒内部结构都具有分形体的特征 ,从而将分形的概念及其数学模型引入共轭导电聚合物体系之中 .磺化聚苯胺胶体的聚集体为很不均匀的分支状开放结构 ,其形成过程可用扩散控制集团聚集模型 (DLCA)进行模拟 ,计算机模拟生成的图形及其分形维数都与实验观测结果相当吻合 .胶粒由于是在分散介质所形成的平均化场中生成 ,屏蔽效应减弱 ,是比由它组成的聚集体要致密的球形结构 ,该结构的生成可用随机雨点模型模拟且结果相近 . 相似文献
49.
甲苯-2,4-二异氰酸酯修饰蒙脱土及聚苯乙烯蒙脱土纳米复合材料的制备与表征 总被引:3,自引:0,他引:3
用FTIR和WAXD法研究了甲苯-2,4-二异氰酸酯(TDI)的邻位和对位异氰酸酯基团与蒙脱土表面羟基的修饰反应,在此基础上提出了结构模型;用TDI修饰后的蒙脱土成功制备了插层型聚苯乙烯/蒙脱土纳米复合材料,并用WAXD和TEM进行了表征.实验结果表明,修饰后TDI与蒙脱土表面形成化学键,使蒙脱土的片层间距显著增大,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)在蒙脱土层间由双层平行排列转变为双层脂肪链倾斜方式排列.在苯乙烯插层聚合过程中,蒙脱土层间距进一步扩大,其初级粒子在聚苯乙烯基体中的厚度约20~50nm. 相似文献
50.
<正>2008年12月15日,国家主席胡锦涛在《纪念中国科协成立50周年大会》上为我国广大科技工作者发表讲话:"勤于思考、勇于实践,敢于超越、不懈探索,无私奉献、团结协作,在短短十几年间,创造了一个又一个科技奇迹.我们取得了有限元方法、层子模型、人工合成牛胰岛素等具有世界先进水平的科学成果……这些重大科技成果,极大增强了我国综合国力,提高了我国国际地位."胡锦涛主席特别提到了有限元方法,并将其放在众多科学成果中的第一位,表明国家对于冯康及其团队所作 相似文献