一种浸没透镜结构HgCdTe红外探测器组件环境适应性研究

探测器采用浸没透镜结构的单元光伏芯片,工作波段为2.5~3.2μm。采用储能焊TO9管壳封装,将二级热电致冷器、热敏电阻、透镜结构的HgCdTe红外探测器封装为一红外探测器组件,组件可在室温至-50℃下工作,经过老炼、力学和热学环境适应性试验后,结果表明,HgCdTe红外探测器的零偏电阻(R_0)变化率、探测器峰值电流响应率(R_(λ_p,I))变化率和热电致冷器(TEC)的交流阻抗(R)的变化率均小于5%,探测器暗电流I_d@-0.1V≤9×10^(-7)A,探测器的漏率优于1×10^(-7)Torr·l/s,组件的密封性达到了航天要求。     

固体跨尺度压痕标度律的研究与展望

压痕标度律是对通过压痕试验方法测定固体材料力学性能参量问题所给出的一般性结论, 具有重要的理论意义, 是探寻材料力学性能潜在规律的方法论研究. 本综述论文系统而简要地介绍如下主要内容: 采用传统理论对传统固体材料压痕标度律的研究回顾; 采用跨尺度力学理论对先进固体材料的跨尺度压痕标度律的研究回顾. 总结并得到了如下主要结论: 传统固体材料压痕标度律可由一空间曲面完整描绘, 若进一步已知某类无量纲独立参量的取值范围, 则该空间曲面可退化为系列平面曲线族; 先进固体材料(新材料)的跨尺度压痕标度律可由一个三维函数关系完整描绘, 若存在某类独立无量纲参量取值范围已知, 则该三维函数关系将退化为系列空间曲面族. 压痕标度律的未来研究发展仍将重点集中在建立新材料的跨尺度压痕标度律上, 以试图从根本上解决新材料力学性能标准规范难以建立的理论问题. 除此之外也将重点关注建立各类功能新材料的多尺度及跨尺度压痕标度律规律.      

函数的逼近及其在下半连续函数可微性中的应用

通过函数的下卷积函数列的逼近方法,在变分原理中从扰动最小值点集的“大小”入手,研究了下半连续函数的可微性。     

量子混沌在谱涨落统计特征上的表象

通过对Ｈｅｎｏｎ－Ｈｅｉｌｅｓ模型、Ｂａｒｂａｎｉｓ模型和刚环转球模型这两类三种守恒体系之对应量子体系的研究，具体地剖析了本征值谱涨落统计特征与体系动力学行为的联系，说明了量子混沌现象的两种表现形式。同时，通过将本质上属于经典耗散系范畴的Ｌｏｔｋａ－Ｖｏｌｔｅｒｒａ模型之演化方程哈密顿化，发现其量子对应系本征值谱的涨落统计特征超出了Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＧＯＥ（Ｗｉｇｎｅｒ）或ＧＵＥ框架。揭示出经典耗散     

中国陆相油气的形成和运移(Ⅱ)

本文(Ⅰ)着重研究了中国陆相湖盆沉积物中有机质向油气演化的过程.本文(Ⅱ)阐明了现代青海湖沉积物埋藏初期及早期成岩作用过程中有机质的演化特征.其结果表明陆相有机质大量开始向石油转化的深度随不同地区、不同时代、不同类型的有机质而异.最后,运用特征有机化合物、稀有气体同位素等资料,结合构造发展史阐述我国陆相油气运移的类型、规模和途径.指出近油源短距离是陆相油气运移的基本特征.     

我国正负术历史

九章算术大約在公元一世紀編集成书,其中已著录正负术,这是我国古代数学上的光輝成就。正負术的产生有它在数学本身內在的发展,但为什么我国很早就熟悉了正負术,这和我国古代天文学的发展有关。东汉元和二年(85),我国天文学家创制的四分曆中,明白的記載了正負术的方法。它說: “強正弱负也。其強弱相減,同名相去;异名从之,从強进少为弱,从弱退少为強。”四分曆在計算太阳的視位置度数时,以不滿整度数部分用少、半、太来区别。少是1/4,半是2/4,太是3/4。比“少”多一些的叫少强,比“少”少一些的叫少弱。它們间的关系是:     

南岭东段稀土岩浆岩岩浆演化初探

南岭东段稀土岩浆岩较集中的地区,稀土花岗岩系列分布最广,另有富含稀土的酸性火山岩、花岗斑岩及各种暗色脉岩。它们主要是燕山运动的产物,并互有联系。本文研究报道它们的演化过程、演化关系与岩浆的演化机理。     

光束旋转90°多程放大系统的波前误差校正

光束通过神光-Ⅲ原型装置四程放大系统发生了90°旋转和扩束。在四程放大系统腔镜处放置变形镜校正系统像差是一种新的自适应光学方案，推导出被校正像差与变形镜面形之间的数学关系。理论推导表明，在扩束比大于1的前提下，腔镜处变形镜可以校正系统输出的任意类型的像差，且变形镜对应的面形唯一。理论分析和计算仿真说明该方案的校正能力与像差类型和扩束比有关，扩束比增大将增强变形镜校正像散的能力，但系统旋光消像散的能力也将减弱。     

Chemical Oxidation of La2CuO4 Epitaxial Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition

Chemical oxidation is used to induce superconductivity in La2CuO4 expitaxial thin films fabricated by pulsed laser deposition technique. Details about the influence of oxidation time on structural, surface morphology, Raman spectra, and electrical properties have been investigated. The results convince that successful uptake of oxygen occurs in the oxidized films, and the content of the inserted oxygen increases with increasing oxidation interval. The possible mechanism for the excess oxygen insertion into the film is also discussed.     

A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor

With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor （HBT） device （with an emitter area of about 880μm^2） is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm （about 977mW） is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively.