统计学在理化检验中的应用第七讲一组和多组测定值的统计处理(续)

2　多组实验观测值的处理在对某一量进行实际测量时 ,经常采用多种方法或由很多实验室进行分析测试。因此得到很多组实验数据。现假设 ,由 m个测定方法或 m个实验室提供 m组数据 ,即 x1 1 ,x1 2 ,… ,x1 n1,平均值 x1 ,单次测量的标准偏差 S1 ;x2 1 ,x2 2 ,… ,x2 n2 ,平均值 x2 ,单次测量的标准偏差 S2 ;… ;xm1 ,xm2 ,… ,xmnm,平均值xm,单次测量的标准偏差 Sm。对这样的 m组数据应该如何进行统计处理呢 ?2 .1　当数据为等精度时观测值的统计处理2 .1 .1　等精度检验要检验 m组数据之间是否等精度有很多种统计检验方式可供使用 ,较常用…     

集与导集数量关系理论的研究

在研究导集理论的基础上,着重引入集与导集之间的数量关系理论.应用集与导集之间的数量关系理论,可极其简单地证明一些著名的定理与结论.     

TM掺杂的Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体电磁性质的第一原理计算

使用基于自旋局域密度泛函理论的第一性原理方法对3d过渡金属(TM=V，Cr，Mn，Fe，Co和Ni)掺杂的Ⅲ-Ⅴ族半导体(GaAs和GaP)的电磁性质进行了计算.结果发现：用V，Cr和Mn掺杂时体系将出现铁磁状态，而Fe掺杂时将出现反铁磁状态，Co和Ni掺杂时，其磁性则不稳定.其中，Cr掺杂的GaAs和GaP将可能是具有较高居里温度的稀磁半导体(DMS).在这些DMS系统中，V离子的磁矩大于理论期待值，Fe，Co和Ni离子的磁矩小于理论期待值，Cr和Mn离子的磁矩与期待值的差距取决于晶体的对称性以及磁性离子的能带分布.此外，使用Si和Mn共同对Ⅲ-Ⅴ族半导体进行掺杂，将有利于DMS表现为铁磁状态，并可以使体系的T_C进一步提高. 关键词： 稀磁半导体 过渡金属 掺杂 共掺杂     

丁二烯和异戊二烯在氯化谛土-醇-三烷基铝催化体系中的共聚合

本文研究了丁二烯-异戊二烯在氯化稀土-醇-三烷基铝催化体系中共聚合的规律。从聚合物的玻璃化温度和热裂解色谱证明了聚合产物确系共聚物。共聚速率方程可表示为:R_p=K_p[M]²[cat]。测定了丁二烯与异戊二烯在Ⅲ-B族钪、钇和镧系元素在不同溶剂催化体系中的共聚速率常数、表观活化能及竞聚率。各种体系中都得到r1_丁二烯>1,r2_异戊二烯<1,r1·r2接近于1的结果。用统计方法对共聚物的序列分布作了讨论,证明共聚物中同种单体两单元以下连结的链节约占60—70％,说明生成的是无规共聚物。共聚物的组成和结构随条件变化而变化的范围不大,其中丁二烯与异成二烯链节的顺-1,4含量,一般都在95％以上。     

统计学在理化检验中的应用第十讲某些分析测定不确定度的计算示例(续)

3　用原子吸收光谱法测定陶制品释放镉的不确定度分析用 4% (体积分数 )的乙酸溶液滤取陶制品表面 ,用原子吸收光谱法测定滤取液中镉的含量 [1] ,测定公式如下r =C0 . VLa V. d . facid . ftime . ftemp (1 )式中　 r——单位面积浸提镉的质量 ,mg· dm-2C0 ——在提取溶液中镉的含量 ,mg· L-1VL——浸析液的体积 ,La V——器皿的表面积 ,dm2d——量值为 1的样品被稀释的因子facid、ftime和 ftemp的量值为 1分别表示酸的浓度、时间及温度参数与标准中技术要求不同而给出的修正因子。公式 (1 )中各项的值见表 1。表 1　量值及不确定度项…     

哈密顿线图的一个新结果

设G是一个简单图,G1∈G,G1在G中的度定义为d（G1）=∑v∈V（G）d（v）,其中d（v）为v在G中的度数．主要结果是：设G是n≥3阶几乎无桥的简单连通图,且G≠K（1,n-1）、Q1和Q2,若对G中任何同构于四个顶点路的导出子图I,有d（I）≥2n-6,则G有一个D-闭迹,从而G的线图L（G）是哈密顿图．     

主轴回转精度微机测量系统及误差数据处理分析

介绍了一种主轴回转微机测量系统。系统由传感器输出模拟信号，按一定要求进行采样，量化而得到一组数字信号，然后将采集的数字信号输入微型机系统进行处理和误差数据运算。阐述了微机与测量装置之间的接口电路及主轴回转误差信号数据处理的软件分析     

顶空气相色谱法同时检测奥卡西平中残留甲醇、二氯甲烷和氯仿的含量

对同时检测奥卡西平中残留甲醇、二氯甲烷和氯仿的顶空气相色谱法作了较深入的探讨 ,使用 5 %NaOH水溶液和超声波助溶法增大了奥卡西平在水中的溶解度 用FID检测器 ,方法的最小检测浓度甲醇为 1×10 -2 mg/g,二氯甲烷为 5× 10 -4mg/g ,氯仿为 4× 10 -2 mg/g     

有机氟化合物的碳、氢微量测定

在测定含氟有机化合物中碳、氢时,由于C—F键的稳定性,需用高温灼烧或复盖氧化剂来进行分解。但如不除去所生成的含氟分解产物,就会给碳、氢测定带来误差。为了消除这种干扰,多年来微量分析工作者进行了大量的研究。有的建议用各种内吸收剂,有的则提出使用外吸收剂来除去含氟分解产物。这些方法各有特点,都能有效地排除氟对碳、氢测定的干扰。然而,值得讨论的是:有的作者认为氟分解产物中的四氟化硅进入二氧化碳吸收管     

La0.5Ca0.5MnO3内禀与界面电脉冲诱导电阻转变效应的比较

一般地,钛矿结构锰氧化物的电脉冲诱导电阻转变(EPIR) 效应源于非内禀界面处的肖特基势垒. 本文采用固相烧结法制备了La_0.5Ca_0.5MnO₃ (LCMO)陶瓷样品, 用四线测量模式对样品电输运性质, 特别对其内禀EPIR效应和忆阻器行为进行了研究. 室温下, 尽管样品在四线测量模式下的I-V特性曲线呈欧姆线性规律, 但在适当的脉冲电压刺激下, 仍能诱导产生明显、稳定的EPIR效应. 通过与二线模式的界面EPIR比较, 发现LCMO内禀EPIR效应具有更小的脉冲临界电压、更好的稳定性和抗疲劳特性, 是稀土掺杂锰氧化物中观察到的一类新颖的EPIR效应. 关键词： 钙钛矿结构锰氧化物 电致电阻效应 电脉冲诱导电阻转变效应 肖特基势垒