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31.
在本文中,我们引进了Menger空间中拟距离空间族的嵌入概念并研究了它的一些性质.证明了Menger空间中连续映象序列的一个公共不动点定理.这些映象是假设满足广义的压缩条件的.这里采用的证明方法对于Menger空间的映象而言是一种新的思想. 相似文献
32.
经济平衡点的理论和求法是数学经济学的重要课题之一.这里,我们将介绍经济平衡点问题的提法,一般理论和求经济平衡点的两条途径.一、纯交换经济的平衡问题1.消费者理论我们设想,消费者可以从某个商品集合X中选购商品,通常假设X是n维欧氏空间R”中的非负卦限R_+~n.某消费者在X中取x=(x_1,…,x_n)表示他选取第一种商品x_1(个单位),第二种商品x_2,…,取第n种商品x_n(个单位).我们称x为消费向量 相似文献
33.
在固体激光脉冲放大器中,再生放大器具有增益高、光束质量好以及结构简单等优点,得到了广泛的关注和应用。经过几十年的不断发展,再生放大器已经能够实现数百mJ脉冲能量以及数kW均值功率的稳定输出。增益材料特性、腔型结构、泵浦能力、热效应、元器件性能等诸多方面都会影响再生放大器的输出特性,其中增益材料特性是最根本的因素。由于特性不同,基于不同增益材料体系的再生放大器在结构和功能上都会有较大的差异。基于不同的材料体系,介绍了各类体系下的再生放大器在发展过程中遇到的关键共性问题,以及几类典型的再生放大器及其特点。讨论了再生放大器未来的发展趋势。 相似文献
34.
35.
36.
具有参数的不带有导数的平方收敛的迭代法 总被引:14,自引:0,他引:14
1.引 言 考虑数值求解非线性方程 f(x)=0, (1)其中实值函数f(x)在实零点x*的某邻域U(x*)内连续可微且f'(x)≠0. 牛顿法是科学与工程计算中数值求解(1)的常用数值方法.虽然它一般至少是二阶收敛的,但它需要调用导数值,这使其应用受到限制.我们修改牛顿法,用割线代替切线可得不带 相似文献
37.
数学与力学的密切结合至少可追朔到Archimedes时代。历史证明,这种结合有力地促进了两学科的发展。但在二次大战以前的一个时期里,这种结合减弱了。二次大战以后情况有了明显的改观,重新回到数学与力学密切结合的时代。不过这种结合已跳出原有框架,是在近代数学与力学,特别是理论力学的发展基础上展开的。为顺应这一发展,1975年在意大利召开了第一届“纯数学在力学中应用的倾向”讨论会。其后这一国际会议两年一届地延续下来,并在1977年的第二届会议上成立了“国际力学与数学交缘学会”。 相似文献
38.
拟微分算子与正则半群 总被引:1,自引:0,他引:1
设Opp(f).是Lp(Rn)(1≤p<∞)中具有象征f∈Smp,0的常系数拟微分算子,本文证明了当象征d(ζ)和它的导数满足某些增长条件时,Opp(f)在Lp(Rn)中生成一个正则半群.并将这些结果应用到相应的初值问题. 相似文献
39.
A laser diode (LD) pumped Nd:YAG red pulse laser at 660 nm was presented by V:YAG passively Qswitching and LBO intracavity frequency doubling. With 1.6-W incident pump power, average output power of 46-mW, pulse duration (FWHM) of 23.3 ns, pulse repetition rate of 21.6 kHz, peak power of 91.4 W, and single pulse energy of 2.13μJ were obtained. The beam quality factor M2 was less than 1.2. The fluctuations of pulse energy and repetition rate were less than 3% in 4 hours. The pulsed laser at 660 nm is expected to be used as the pump source of Cr3+:doped crystal to obtain the gain-switched tunable laser. 相似文献
40.
GaAs晶体的高质量生长对于制造高性能高频微波电子器件和发光器件具有重要意义.本文通过分子动力学方法对GaAs晶体沿[110]晶向的诱导结晶进行模拟,并采用最大标准团簇分析、双体分布函数和可视化等方法研究应变对生长过程和缺陷形成的影响.结果表明,不同应变条件下GaAs晶体的结晶过程发生显著变化.在初始阶段,施加一定拉应变和较大的压应变后,体系的晶体生长速率发生降低,且应变越大,结晶速率越低.此外,随着晶体的生长,体系形成以{111}小平面为边界的锯齿形界面,生长平面与{111}小平面之间的夹角影响固液界面的形态,进而影响孪晶的形成.施加拉应变越大,此夹角越小,形成孪晶缺陷越多,结构越不规则.同时,体系中极大部分的位错与孪晶存在伴生关系,应变的施加可以抑制或促进位错的形核,合适的应变甚至可以使晶体无位错生长.本文从原子尺度上研究GaAs的微观结构演化,可为晶体生长理论提供理论指导. 相似文献