c(2×2)O吸附Cu(001)表面结构、电子态与STM图像的研究

用投影子缀加波和CP分子动力学方法研究了贵金属Cu(001)面的表面结构、弛豫以及O原子的c(2×2)吸附状态. 研究结果得出在这种吸附结构中，O原子与衬底Cu原子之间的垂 直距离约为0069nm，Cu—O键长为0.194nm，功函数约为5.29 eV；吸附O原子形成金属性能带结构，由于Cu—O的杂化作用,在费米能以下约6.7 eV处出现了局域的表面态.用Tersoff-Hamann途径计算了该表面的扫描隧道显微镜图像，并讨论了与实验结果之 间的关系. 关键词： Cu(001)-c(2×2)/O 电子态 STM图像     

无序一维无公度调制链的电子结构

本文用数值方法分别研究了替代型无序和周期无序对一维准周期系统电子结构的影响。两种类型的无序都将破坏准周期系统的Cantor集合型的能谱结构,但前者会在原有的禁带处产生杂质能级,后者主要引起原有能带轮廓的展宽。 关键词：     

Full-potential LMTO study on the electronic structure of heavy-fermion compound LiV2O4

The electronic structure of heavy fermion compound LiV2O4 has been calculated using a self-consistent full-potential LMTO method. The results show that the conduction bands in this com pound are formed from V 3 d states with a bandwidth of 2.5 eV. The symmetric characteristics of con duction bands are of t2g in principle. The energy gap between conduction bands and fully occupied oxygen 2 p bands is 1.9 eV. The band dispersions near Fermi energy display complicated structures.Furthermore, the N(EF) and γcal are 11.1 (states/eV/f. u. ) and 26.7 mJ/mol@ K2 determined numer ically by LDA calculation, respectively. It is insufficient to clarify the origin of local moment in LiV2O4 from plain LDA calculations. In addition to the above LDA calculation, we also found a LSDA solution of LiV2O4 that is lower in total energy than that of LDA calculation. Similarly, LSDA + GGA calculation yields almost the identical result as that in LSDA. We conclude that the mechanism responsible for heavy fermion properties in LiV2O4 might be somewhat different from the plain Kondo mechanism in conventional 4 f and 5 f heavy fermion compounds and perhaps the quantum transition might play an adequate role in heavy-fermion behaviors in LiV2O4.     

介观系统普适电导涨落的Fokker-Planck方程研究

利用一维介观系统的随机矩阵本征值分布函数的严格表达式,对闪粒噪声功率谱和无序NS结的普适电导涨落进行了计算,得出的严格结果如下:VarG_f=(1/2)×46/2835和VarG_(NS)=32(1/15-6/π~4).     

YBa2Cu3O7超导体中空穴状态的X射线光电子能谱研究

对正交单相YBa₂Cu₃O₇样品进行了X射线光电子能谱(XPS)测量。明显观察到Cu的类高价状态。讨论了Cu_2p和O_1s的XPS中各峰对应的电子状态,认为由于过量的O而引入的额外空穴产生在O_2p轨道上。Cu的类高价状态包含Cu3d⁹L和Cu3d¹⁰L²两种状态的组合。 关键词：     

氢原子吸附的Cu(100)表面原子结构和电子态

用密度泛函理论的总能计算研究了金属铜(100)面的表面原子结构以及在不同覆盖度时氢原子的吸附状态. 研究结果表明, 在Cu(100)c(2×2)/H表面体系中, 氢原子吸附的位置是在空洞位置, 距最外层Cu原子层的距离为0.052 nm, 相应的Cu—H键长为0.189 nm, 并通过计算结构参数优化否定了其它的吸附位置模型. 总能计算得出Cu(100)c(2×2)/H表面的功函数为4.47 eV, 氢原子在这一体系的吸附能为2.37 eV(以孤立氢原子为能量参考点). 通过与衬底原子的杂化, 氢原子形成了具有二维特征的氢能带结构, 在费米能级以下约0.8 eV处出现的表面局域态是Cu(S)-H-Cu(S-1)型杂化的结果. 采用Cu(100)表面p(1×1)、p(2×2)和p(3×3)的三种氢吸附结构分别模拟1, 1/4, 1/9的原子单层覆盖度, 计算结果表明, 随着覆盖度的增加, 被吸附的氢原子之间的距离变短, 使得它们之间的静电排斥和静电能增大, 从而导致表面吸附能和吸附H原子与最外层Cu原子间垂直距离(ZH-Cu)逐渐减小. 在较低的覆盖度下, 氢原子对Cu(100)表面的影响主要表现为单个原子吸附作用的形式. 通过总能计算还排除了Cu(100)表面(根号2×2根号2)R45°-2H缺列再构吸附模型的可能性.     

高温超导体MgB2的电子结构研究

用第一性原理能带理论计算了高温超导体MgB₂的电子结构.计算得出的电子能带说明MgB₂是一种宽能带化合物,价带主要由Mg和B原子s和p的杂化形成.费米能级处的态密度N(E_F)是0.72(states/eV).根据这些结果,初步推断出MgB₂的超导电性的微观机制不可能是电子声子耦合的BCS模型,而是有待于探索的新机制 关键词： 高温超导体 电子结构     

Pt/Cu（001）-p（2×2）-O表面吸附结构的总能计算

采用密度泛函理论（DFT）研究了氧吸附后Pt/Cu（001）表面合金的原子结构和表面性质.计算结果表明,在Pt/Cu（001）-p（2×2）-O表面最稳定结构中,衬底表面原子层不发生再构,氧原子吸附于4重对称的Pt原子谷位,每个氧原子吸附能约为2.303 eV.吸附结构的Cu—O和Pt—O键键长分别为0.202和0.298 nm,氧原子的吸附高度ZCu—O约为0.092 nm.吸附前后Pt/Cu（001）-1ML（monolayer）表面合金的表面功函数分别为4.678和5.355 eV.吸附表面氧原子和衬底的结合主要来自氧原子2p轨道和衬底金属原子d轨道的杂化作用,氧原子吸附形成的表面电子态主要位于费米能级以下约-2.7 eV处.     

钡原子对Ru（0001）表面氮分子吸附和解离过程的影响

采用密度泛函理论方法研究了钡原子对Ru（0001）表面氮分子解离过程的影响.计算结果表明：在Ru（0001）表面,钡原子失去电子后形成Ba（1＋δ）＋阳离子.表面转移电荷增强了衬底钌原子d轨道和氮分子π轨道间的杂化作用以及氮分子内的库仑排斥作用,减弱了氮分子键.在钡原子的作用下,γ态氮分子键键长从0.113 nm增加到...     

高Tc氧化物超导体的元素替代效应(Ⅱ)

本文对Bi-系高Tc氧化物超导体的元素替代效应进行了系统的评述。对由于元素替代所引起的晶体结构、氧含量、空穴浓度和超导临界温度等参量的变化进行了重点讨论。总结出元素替代的两种机制,即CuO_2平面外原子格点上以改变迁移载流子浓度为主要特征的和在CuO_2平面内Cu的格点上以破坏局部磁有序、产生直接拆对作用为特征的替代效应。