多层结构双自旋过滤隧道结中的电子输运特性

在转移矩阵方法及Mireles和Kirczenow的量子相干输运理论的基础上,研究了正常金属层/磁性半导体层/非磁绝缘层/磁性半导体层/正常金属层型双自旋过滤隧道结中Rashba自旋轨道耦合效应和自旋过滤效应对自旋相关输运的影响.讨论了隧穿磁电阻（TMR）、隧穿电导与各材料层厚度、Rashba自旋轨道耦合强度以及两磁性半导体中磁矩的相对夹角θ之间的关系.研究表明：含磁性半导体层的双自旋过滤隧道结由于磁性半导体层的自旋过滤效应和Rashba自旋轨道耦合作用可获得极大的TMR值.另外TMR和隧穿电导随着Rashba自旋轨道耦合强度的变化而振荡,振荡周期随Rashba自旋轨道耦合强度的增大逐渐减小. 关键词： 双自旋过滤隧道结 Rashba自旋轨道耦合 隧穿磁电阻 隧穿电导     

膦酰基羧酸调聚物对硫酸钙的阻垢机理

静态阻垢法试验表明,膦酰基羧酸聚合物(POCA)对硫酸钙垢沉积具有优异的抑制作用,当加药量为5mg/L时阻垢率达到100%,投加POCA前后硫酸钙表观形貌的变化的扫描电镜分析证实,POCA对垢晶体具有强烈的扭曲畸变作用,随着加药浓度的提高,POCA对晶面的畸变作用增强.采用分子动力学(MD)模拟,计算了POCA与硫酸钙晶体的最主要生长面(020)和主要生长面(010)晶面的相互作用,对体系各种相互作用的分析表明,POCA在与硫酸钙晶体结合过程中其结合能远大于常规吸附能,使其容易占据晶体的活性生长点而使品格发生畸变 POCA对(020)晶面的作用比对(010)晶面的强 超分子体系的作用能主要由库仑作用提供.     

二维配位聚合物[Tb(1,4⁃bdc)1.5(phen)(H2O)]n的合成、晶体结构及对Fe3+离子的荧光检测

通过溶剂热反应成功合成出一种新型2D配位聚合物[Tb(1,4-bdc)_1.5(phen)(H₂O)]_n(1)(1,4-H₂bdc=对苯二甲酸;phen=菲咯啉)。对其进行了单晶X射线衍射、粉末X射线衍射、红外光谱、元素分析、荧光光谱表征。X射线衍射晶体学分析表明,配合物1结晶于三斜晶系P1空间群,2个相邻的Tb(Ⅲ)离子与4个1,4-bdc^2-通过—O—C—O—桥联成双核单元,并进一步通过1,4-bdc^2-桥联成二维层状结构。荧光实验证明配合物1可以通过荧光猝灭机制检测Fe₃₊,Ksv=8.39×10³ L·mol-1,检测限为0.017μmol·L^-1。     

一维势阱中被噪声驱动的粒子的逃逸问题

通过计算机数值模拟直接解朗之万方程，得到一维势阱中被高斯白噪声驱动的粒子的逃逸率，并与理论结果进行了对照。     

同位旋守恒对奇异性产生的约束

考虑同位旋守恒约束和奇异夸克的产生压低,研究了高能pp碰撞中的K/π比值,给出了K⁺/π⁺和K^－/π^－与末态产生粒子多重数之间的关系,并提出采用一个近似与参数无关的(K⁺/π⁺)/(K^－/π^－)比值来反映这一过程中同位旋守恒的约束.     

首届全国微全分析(μTAS)会议征文(第一轮)通知

为了促进全国微全分析 (μΤＡＳ)领域的发展和交流 ,由国家自然科学基金委化学部和中国分析仪器学会举办的“首届全国微全分析 (μＴＡＳ)会议”定于 2 0 0 2年 7月 1 5日～ 1 8日于北京举行。本次会议是我国微全分析领域首次召开的全国学术性研讨会 ,热烈欢迎国内代表投寄前沿学术研究成果 ,并将邀请香港和台湾该领域著名学者参加。会前将由美国分析化学学会教授做有关最新研究进展报告ＷＯＲＫＳＨＯＰ。会议将对微全分析新技术、新理论、新方法、新设备和新系统等方面的研究发展成果进行广泛交流 ,并对微全分析的应用研究领域进行深入研…     

几种异羟肟酸的酸解离常数测定和W(Ⅵ)—异羟肟酸配合物的合成及表征

用pH滴定法测得正辛基异羟肟酸n-C_7H_(15)CONHOH,α,ω—癸基二异羟肟酸α.ω—(CH_2)_(?)(CONHOH)_2及对苯二异羟肟酸p-C_(6)H_4(CONHOH)_2在30.0℃,0.1mol·1~(-1)NaCl水溶液中的酸解离常数;制得这三种螯合剂与W(Ⅵ)摩尔配比依次为2:1、1:1及1:2的固体配合物;研究了它们的化学组成、溶解度、摩尔电导、热谱及红外光谱,对不同配合物的配位方式作出讨论.     

Improved mobility of AIGaN channel heterojunction material using an AIGaN/GaN composite buffer layer

The quality of an A1GaN channel heterojunction on a sapphire substrate is massively improved by using an A1- GaN/GaN composite buffer layer. We demonstrate an A10.4Gao.6N/AI0.18Ga0.82N heterojunction with a state-of-the-art mobility of 815 cm2/（V.s） and a sheet resistance of 890Ω/口 under room temperature. The crystalline quality and the electrical properties of the A1GaN heterojunction material are analyzed by atomic force microscopy, high-resolution X-ray diffraction, and van der Pauw Hall and capacitance-voltage （C-V） measurements. The results indicate that the improved electrical properties should derive from the reduced surface roughness and low dislocation density.     

The effect of the ferromagnetic metal layer on tunnelling conductance and magnetoresistance in double magnetic planar junctions

Based on the free-electron approximation,we investigate the effect of the ferromagnetic metal layer on the tunnelling magnetoresistance(TMR) and tunnelling conductance(TC)in the double magnetic tunnel junctions(DMTJs) of the structure NM/FM/I(S)/NM/I(S)/FM/NM,where FM,NM and I(S) represent the ferromagnetic metal,nonmagetic metal and insulator(Semiconductor),respectively,The FM,I(S)and inner NM layers are of finite thickness,while the thickness of the outer NM layer is infinite.The calculated results show that,due to the spin-dependent interfacial potential barriers caused by electronic band mismatch between the various magnetic and nonmagnetic layers,the dependences of the TMR and TC on the thicknesses of the FM layers exhibit oscillations,and a much higher TMR can be obtained for suitable thicknesses of FM layers.