光纤型热光可调光衰减器的设计及其衰减分析

提出了一种基于热光调节的可调光衰减器结构。该衰减器通过腐蚀光纤包层到一定厚度和长度后,在表面涂覆较大热光系数的聚合物材料得到。从模场变化角度分析了传输光束的衰减与涂覆材料折射率的关系,并从实验上测试了使用不同涂覆材料时的衰减。理论分析与实验结果均表明在涂覆材料折射率略大于原光纤包层材料折射率时,涂覆材料折射率微小的变化将引起传播光束衰减的大幅度变化,并且光纤被腐蚀的长度越长或包层材料剩余厚度越小,衰减越大。因此,由热光系数大、折射率略大于光纤包层的聚合物材料所组成的可调光纤衰减器,具有衰减调节范围大且功耗小、插入损耗小、成本低、低偏振特性、易于与其它光纤器件耦合或集成等特点。     

JTS-9型超声波探伤仪

上海超声波仪器厂新近通过设计鉴定的JTS-9型超声波探伤仪是A型脉冲超声反射式、便携型通用探伤仪的一种新品种,它不仅具有接收灵敏度高、宽频带以及消耗功率低等探伤性能,而且配有距离补偿曲线的CRT显示功能,同时还具有任意回波扩展功能,从而大大方便了使用。该JTS-9 型探伤仪在无损检测领域有着广泛的用途,特别适用焊缝质量检查、锻件内部缺陷及车轴等缺陷的检测。     

脉冲激光测距机消光比测试系统精度分析

介绍了脉冲激光测距机最大测程———消光比测试方法中的消光比测量原理公式。并以原理公式为依据 ,对影响系统测量精度的诸因素逐一进行了分析和估算 ,根据测量消光比值的合成标准的不确定度进行精度分配。     

SG－1FEL放大器实验中的频率和功率测量

介绍了曙光一号自由电子激光（ＳＧ－１ＦＥＬ）放大器实验中对输出微波功率高达１４０ＭＷ的信号的频率和功率的测量。分析了ｘ射线和微波器件（定向耦合器、衰减器）的窄脉冲响应对测试结果的影响。     

GaAs FET功率放大器温度补偿的设计

介绍了GaAs FET功率放大器温度补偿的基本原理,分析了GaAs FET功率放大器的增益随温度变化的原因,并给出了解决方法。此方法还可移植到其他类似需要温度补偿的放大器中。     

某型射频接收机高增益下变频组件研制

介绍了一种X波段带镜像抑制混频器的下变频组件的设计,增益40dB,带内增益平坦度+1dB,功率1dB压缩点10dBm;介绍了射频放大器,衰减器,中频放大器的工作方式,电路实现方法及装配调试结果,均满足设计要求。     

Ku波段微波单片集成电路6位数字衰减器设计

基于GaAs 0.25 μm增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺,研制了一款Ku波段6位数字衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该6位数字衰减器由6个基本衰减位级联组成,可实现最大衰减量为31.5 dB、步进为0.5 dB的衰减量控制。采用简化的T型衰减结构,实现了0.5 dB和1 dB的衰减位。16 dB衰减位采用开关型衰减拓扑,在提高衰减平坦度的同时,有效降低其附加相移。测试结果表明,在12～18 GHz的频率内,数字衰减器衰减64态均方根误差（RMS）小于0.25 dB,附加相移为?0.5°～＋9.5°,插入损耗小于4.9 dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。芯片尺寸为3.00 mm×0.75 mm。该芯片电路具有宽频带、高衰减精度、小尺寸的特点,主要用于微波相控阵收发组件、无线通讯等领域。     

反射式可调激光衰减器的研究

针对1 064 nm激光波长,设计出一种基于斜入射时偏振光在介质分界面上不同反射率原理的连续可调激光衰减器,角度控制精度为6、损伤阈值为100 W/cm2（连续）、0.1 J/cm2(10 ns脉冲)。实际测量了衰减器的透过率,透过率范围为8.510-5～1。分析了衰减器对传输光束质量的影响,并针对衰减器的性能改善进行了探讨。     

基于微流控技术的新型可调光衰减器

基于微流控技术提出了一种新型可调光衰减器核心芯片结构,利用微流体和可压缩空气实现光衰减的可控调节,并基于此核心芯片设计了两种应用不同驱动技术的微流控光衰减器。通过高斯光束传播理论、亥姆霍兹方程、光场耦合理论与Mathematics软件分析了光衰减器内部光场分布特性,考虑了流体端面衍射影响,给出了流体端面位置与衰减量的关系及响应时间等性能参数。理论表明基于微流控技术的可调光衰减器衰减范围大于50dB,系统响应时间约为0.01s,具有衰减范围大、响应快、插入损耗小、回波损耗大的优点。所提出的光衰减器为寻求小体积、高性能、易集成、灵活可调的新型光通讯器件提供了新的思路。