Rydberg态Na原子与稀有气体热碰撞的l-混合截面的计算

本文在冲击近似方法基础上,采用一种有解析解的唯象势波函数计算了Rydberg态Na原子与稀有气体原子(He,Ne,Ar)热碰撞的l-混合跃迁截面。Na-He的计算结果与其它方法相比有显著改进。     

Na原子高里德伯态的波函数和振子强度

用我们提出的一种具有解析解的原子唯象势模型, 计算了Na原子里德伯态(10≤n≤40)的波函数和ns--n'p ,np--n'd, nd--n'f 高里德伯态间的振子强度, 与以方法得到的结果很接近. 计算结果表明, 上述振予强度满足某种标度律. 关键词：     

非球面眼镜片的像差分析和设计

根据非球面眼镜片的赛德尔 (Seidel)初级像差理论 ,分析讨论了在消像散条件下校正球差、彗差和畸变的可能性 ,指出适当优化镜片的形状因子 ,能够获得畸变低于球面镜片的点焦 (即消像散 )非球面镜片。以± 6 .0m- 1 镜片为例 ,给出了校正畸变、点焦、无拐点非球面镜片的设计方法与结果 ,通过性能评价和比较 ,指出非球面镜片的像差校正情况与初级像差理论的分析结果基本一致     

中空介孔碳化钨微球载钯催化剂对甲酸电催化性能

采用喷雾干燥法和还原炭化处理制备具有中空介孔结构的碳化钨钴复合粉(HTCCS),其中,钴的质量含量为6%。在碳化钨钴复合粉表面的钴和氯化钯发生置换反应,得到纳米Pd/WC复合催化剂。采用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品的形貌和晶型结构进行了表征。结果表明, 5.0-6.0nm钯纳米粒子取代钴均匀分布在碳化钨微球表面。采用循环伏安和计时电流法研究了在酸性溶液中Pd/WC催化剂对甲酸的电催化氧化性能,结果表明,Pd/WC催化剂比Pd/C催化剂对甲酸呈现出更高的电催化氧化活性和稳定性。     

新型螺环配体的合成及其在不对称催化氢化反应中的应用

以光学纯的S-2,2′-螺二氢茚-1,1′-二酮为原料,合成了新型螺环氧膦配体(1R,2S,1′S)-1,1′-双(二苯基膦氧)-2,2′-螺二氢茚烷(S-cis,trans-Sp iroB IP),考查了催化剂[Rh(COD)(R-cis,cis-Sp iroB IP)]BF4,[Rh(COD)(S-cis,trans-Sp iroB IP)]BF4和Ir(R-cis,cis-Sp iroB IP)(COD)C l在不对称催化氢化反应中的应用。     

P_(507)-HCl体系萃取柱色谱法分离稀土的研究——1.酸度试验

本文系统地研究了盐酸酸度对P_(507)萃取色谱分离稀土的影响,并求得15个相邻稀土元素的分离系数。     

多波长线性回归法校正火焰原子吸收光谱干扰

用多波长线性回归法校正了火焰原子吸收分析中Ｇａ４０３．２９８ｎｍ对Ｍｎ４０３．３０７ｎｍ的吸收线重叠干扰，对合成样中Ｍｎ和Ｇａ含量的测定，结果令人满意。     

Evolution of superconductivity and charge order in pressurized RbV3Sb5

The kagome metals AV₃Sb₅(A=K,Rb,Cs)under ambient pressure exhibit an unusual charge order,from which superconductivity emerges.In this work,by applying hydrostatic pressure using a liquid pressure medium and carrying out electrical resistance measurements for RbV₃Sb₅,we find that the charge order becomes suppressed under a modest pressure pc(1.4 GPa3Sb₅.Our findings point to qualitatively similar temperature-pressure phase diagrams in KV₃Sb₅ and RbV₃Sb₅,{and suggest a close link}between the second superconducting dome and the high-pressure resistance anomalies.     

熔体过冷度对透辉石晶体形貌、成分及过渡层性质的影响

在不同过冷度条件下,硅酸盐熔体结晶得到了透辉石晶体含量合适的样品.实验结果表明透辉石晶体形貌的自形程度随过冷度增加而降低.拉曼光谱分析显示晶体的特征谱峰半高宽随过冷度增加而变宽,拉曼光谱还显示出晶体结构继承玻璃结构的特征.运用电子探针详细分析了透辉石晶体及其生长界面附近成分变化的特点,发现存在约几到十几微米厚的过渡层,并且透辉石晶体成分随过冷度增大Al元素进入到晶体的含量也增加,同时Al元素与Mg元素在结晶过程中的协同作用较强.     

大尺寸单晶金刚石磨抛一体化加工研究

金刚石因其优异的物理性质被视为下一代半导体材料,然而其极高的硬度、脆性和耐腐蚀性导致其加工困难,尤其是对于大尺寸的化学气相沉积(chemical vapor deposition, CVD)单晶金刚石(SCD)晶片而言,目前还缺乏一种高效、低成本的磨抛加工方法。本文提出一种基于工件自旋转的同心双砂轮磨抛一体化加工技术,在一次装夹中,先采用金刚石磨料的陶瓷内圈砂轮磨削单晶金刚石晶片表面,将单晶金刚石表面迅速平坦化,后采用金刚石与CuO混合磨料的外圈溶胶-凝胶(sol-gel,SG)抛光轮抛光单晶金刚石晶片表面,使其在较短时间内完成从原始生长面(Sa约46 nm)到原子级表面精度(Sa＜0.3 nm)的加工。磨削加工中,硬质金刚石磨料的陶瓷砂轮高速划擦金刚石晶片表面,在强机械作用下获得较大的材料去除以及纳米级的光滑单晶金刚石表面,同时引起进一步的表面非晶化;SG抛光加工中,硬质金刚石磨料高速划擦单晶金刚石表面形成高温高压环境,进一步诱导CuO粉末与单晶金刚石表面的非晶碳发生氧化还原反应,实现反应抛光。磨抛一体化的加工技术为晶圆级的单晶、多晶金刚石的工业化生产提供借鉴。