苯并噻二嗪吸电子基取代衍生物电子性质的理论研究

运用量子化学半经验方法对1，2，4-苯并噻二嗪-1，1二氧类化合物的8种取代衍生物进行了量子化学计算，从体系能量、几何构型、电子结构、前线分子轨道等几方面分析了吸电子基-CN，-NO2等取代后体系的电子性质变化规律．结果表明：随着取代基吸电子能力的增强，体系的活性增强，可为药物合成提供一定的理论指导．     

CH3和CN取代8-羟基喹啉电子光谱性质的含时密度泛函理论研究

对8－羟基喹啉QH及其代衍生物MQH和CNQH用密度泛函方法（DFT）在B3LYP／6－31G＊水平上进行理论计算，探讨了供电子取代基（－CH3）和吸电子取代基（－CN）对分子电子结构，前线分子轨道能和光谱性质等的影响规律，在此基础上采用含时密度泛涵方法（TD－DFT）计算了电子光谱，计算结果表明，MQH，QH和CNQH的最低激发单重态都是A，激发能分别为3．58，3．72和3．74eV，在高激发态，无论是供电子基团（－CH3）还是拉电子基团（－CN），都导致取代衍生物的电子光谱红移。     

样条函数在实验数据处理中的应用

科学实验现代化,不仅要有先进的实验设备和技术,还要采用恰当的数值逼近方法对采集到的实验数据进行处理,才能最后得到正确的实验结果.本文提出把样条函数应用于光测力学的云纹法和散斑法等实验数据处理,这项工作是在计算机上完成.样条函数的基本特征是由分段光滑函数,通过样条结点适当地将不同段光滑地联结而成.运用     

不同韧性金属扩展裂纹尖端Gao—Hwang奇异场的实验研究

用云纹法和光学空间滤波技术,测量了六种不同应变硬化指数(n)的铝和铜金属材料双边裂纹,单向拉伸试件的扩展裂纹尖端三维位移场.利用试验得到的位移场,分析了位移奇异性,并与G-H 理论解进行了比较.由试验的位移场数据确定了理论解中两个待定常数A 和ε_■,给出了Ⅰ型、平面应力、幂硬化材料,扩展裂纹尖端奇异场的比较形式.在理论与试验位移场相差±10%的误差范围内,确定了试验的G-H 奇异场主导区范围、形状,并对结果进行了分析.试验表明:扩展裂纹尖端存在[ln(A/r)]~■奇异主导区.在本试验应变硬化指数为n=3.5→14的六种材料范围内,这个主导区形状由蝶形发展到扁圆或圆形.G-H 奇异主导区的尺寸和形状与材料、试件几何尺寸、外载形式有关.在G-H 场内部存在着三维变形区,裂纹尖端断裂过程区在此三维变形区内.随着外载荷不断增加,裂尖三维变形区内将出现典型的韧性损伤现象:首先在晶界或二相夹杂处,出现孔洞,然后孔洞逐渐长大,汇合,导致宏观裂纹扩展.载荷比较低时,在G-H 场外边还将有弹性场存在,随着载荷增加,G-H 场也在向外扩大.     

黄腐酸平台化合物制备及特性构成光谱表征

近年来煤基高附加值化学品提取制备的前沿科学研究发现,黄腐酸平台化合物（FAPC）作为一类具有特殊功效的团簇族特性组装分子集合体,在现代农业、生物医药及功能材料等方面有良好应用前景,黄腐酸平台化合物制备提取基础理论及化学构成研究具有重要科学意义;简介了黄腐酸平台化合物基于不同源物质的制备提取方法,重点阐述了煤基物选择解离规律、黄腐酸平台化合物特征官能团构成及自组装结构特性的光谱解析,研究结果表明：酸碱反应、离子交换、生物转化及微波等途径,可以实现黄腐酸平台化合物选择性制备提取;通过红外、核磁共振、荧光光谱、电子与振动光谱及分子模拟等手段,能够从不同光谱谱图特征指认对制备所得黄腐酸平台化合物分子群组分进行分子结构、官能团、分子链、自组装空间构型、基团结构及构建方式有效检测表征;多谱图综合揭示黄腐酸平台化合物主要由羧羟基、酚羟基、醌基和羰基类分子构成;选择性解离生成的活性小分子因相关分子特性取向形成自组装集体,具备界面友好、微纳米尺寸、电学储能及良好生物相容性特点;通过对比分析对黄腐酸平台化合物制备规律进行了优缺点揭示,并对黄腐酸平台化合物未来理论研究与应用前景做了展望。     

不同材料界面Ⅲ型裂纹尖端场实验研究

本文应用激光全息干涉法获得了两种材料Ⅲ型界面裂纹试件的离面位移场,通过试验数据处理求得了裂纹尖端附近位移、应力场强度的控制参量K_(Ⅲ),J值,给出了局部解的适用区域。还研究了两种材料粘结界面处的连续条件,分析了结果的合理性。为了对比和分析界面裂纹问题,还对同种材料试件进行了试验和数据处理。     

剪切散斑和错位莫尔

在实验应力分析中,许多光测方法,例如激光全息法,激光散斑法和莫尔法等,得到的是代表物体表面位移信息的干涉条纹图.在分析中需要对位移微分才能得到应变.在位移微分的工作中,近几年来,一些学者做了不少工作,力求减少误差,期望得到满意的结果.但避免不了地要产生误差,影响分析的精度.因此由实验直接得到全场应变分布是人们关心的课...     

多孔白光散斑方法应用于受压带孔圆筒的应变分析

用白光散斑方法进行了带圆孔和方孔圆筒应变集中系数分析.为了记录白光散斑和得到全场等值线采用了四孔记录装置.