Gd掺杂对无氟金属有机物沉积法制备Y_(1-x)Gd_xBCO薄膜的应力调控

为了揭示Gd掺杂对克服YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)薄膜厚度效应的机制,采用无氟金属有机物沉积法在铝酸镧基底上沉积制备了一系列不同掺杂比例的Y_(1-x)Gd_xBCO薄膜,并且采用X射线衍射、扫描电子显微镜、Raman光谱仪分析薄膜的生长取向、微观形貌以及晶格振动特征,系统地研究了Gd掺杂对应力的调控机制.结果表明:随着Gd掺杂比例的增加,晶体的晶格常数变大,导致膜内的张应力增加,薄膜的c轴取向也随之升高;但是随着Gd含量的进一步增加,会使薄膜结构恶化,性能下降;当Gd:Y的掺杂比例为1:1时,薄膜的c轴晶粒取向最佳,可以有效克服厚度效应.     

Stereodynamics study of reactions N(~2D)+HD→NH+D and ND+H

The product polarizations of the title reactions are investigated by employing the quasi-classical trajectory (QCT) method. The four generalized polarization-dependent differential cross-sections (PDDCSs) $({2\pi } / \sigma )(\d\sigma _{00} / \d\omega _t )$, $({2\pi } / \sigma )(\d\sigma _{20} / \d\omega _t )$, $({2\pi } / \sigma )(\d\sigma _{22 + } / \d\omega _t )$, and $({2\pi } / \sigma )(\d\sigma _{21 - } / \d\omega _t )$ are calculated in the centre-of-mass frame. The distribution of the angle between ${{\bm k}}$ and ${{\bm j^\prime }}$, $P(\theta _r )$, the distribution of the dihedral angle denoting ${{\bm k}}${--}$\bm k^\prime $--$\bm j^\prime $ correlation, $P(\phi _r )$, as well as the angular distribution of product rotational vectors in the form of polar plots $P(\theta _r ,\phi _r )$ are calculated. The isotope effect is also revealed and primarily attributed to the difference in mass factor between the two title reactions.     

液流电池正极活性物质钛铁试剂初探

应用循环伏安法研究钛铁试剂(4,5-二羟基-1,3-苯二磺酸钠)电对(石墨基底)在水溶液中的电化学行为.实验表明,溶液pH<4时,该试剂的氧化还原反应电位较高,可逆性好.以其作正极与V(III)/V(II)负极组成液流电池,在硫酸介质中,充放电库仑效率可达90%以上,而且循环寿命较好,性能衰减小,具备作为液流电池正极活性物质的可行性.     

环糊精相转移催化水相高效合成糖基三氮唑

以水为溶剂,β-环糊精为相转移催化剂,β-D-葡萄炔丙苷(或木糖炔丙苷)和叠氮化物在一价铜催化下经CuAAC反应合成了一系列糖基三氮唑衍生物(4a~4d或5a~5d),收率78%~95%,其结构经1H NMR,13C NMR,2D NOESY和ESI-MS表征。其中4b,4c和5a~5d为新化合物。该反应具有高度的立体专一性和区域选择性。     

有机碳源对LiTi2(PO4)3/C复合水系负极性能的影响

采用喷雾干燥与高温煅烧相结合的方法制备了球形LiTi₂(PO₄)₃/C复合水系负极材料, 探讨了基于不同包覆机制的有机碳源和碳包覆量对LiTi₂(PO₄)₃/C复合负极电化学性能的影响. 结果表明, 碳包覆量过低时不足以阻止水的侵蚀, 而碳含量过高时锂离子扩散的阻力过大, 磷酸钛锂电极最优碳包覆质量分数为13%. 碳包覆的均匀性和包覆层厚度是影响电极性能的两个重要因素. 基于原位聚合包覆机制的聚多巴胺包覆磷酸钛锂颗粒最均匀, 碳化后微晶结构较好, 具有良好的电子导电性, 以聚多巴胺为碳源制备的LiTi₂(PO₄)₃/C复合负极性能最优.     

新型1′-碘代炔丙基糖苷类化合物的合成及其抗菌活性

以四种单糖(D-葡萄糖、D-半乳糖、D-甘露糖和D-核糖)为原料,先在酸催化下与炔丙醇完成糖苷化反应(产率60%～80%);然后在碱催化下碘代合成了四个新型1′-碘代炔丙基糖苷类化合物(3a～3d,产率75%～90%),其结构经1H NMR表征.初步生物活性测试结果表明,3对引起农作物疾病的几种真菌均有抑制活性.     

钼酸催化简便合成D－葡萄庚酮糖

本文首次报道了在三氧化钼水溶液体系下催化碳链重排合成D-葡萄庚酮糖的简便方法。首先以D-甘露糖为原料在碘催化下进行异丙叉保护,产率90％;接着在碱催化下与甲醛水溶液亲核加成反应,在C-2上引入羟甲基侧链,产率40％;然后在酸性条件下异丙叉脱保护,产率92％;最后在三氧化钼水溶液催化下碳链重排合成葡萄庚酮糖,产率56％（总产率18％）。另外对2-C-羟甲基-D-甘露糖和葡萄庚酮糖的乙酰化产物进行了核磁氢谱表征。该方法原料易得,缩短了反应步骤,避免了昂贵金属试剂的使用,有较好的应用前景。     

含钯类水滑石衍生复合氧化物Pd/M3AlO(M=Mg,Co, Ni,Cu, Zn)催化剂上氯苯的催化氧化

采用共沉淀法制备了系列含Pd类水滑石材料, 类水滑石基体为M3Al-HT (M=Mg, Co, Ni, Cu, Zn), 经焙烧制备出含Pd类水滑石衍生复合氧化物催化剂. 通过X射线衍射(XRD), 热重-差热分析(TG-DTG), H2程序升温还原(H2-TPR), O2程序升温脱附(O2-TPD)和N2吸脱附等表征技术手段研究了不同二价金属元素对含Pd类水滑石衍生复合氧化物催化剂物理化学性质及其对挥发性有机污染物氯苯催化氧化性能的影响. XRD和TG-DTG结果表明, 不同二价金属元素, 除Cu外, 都能形成类水滑石层状结构, Pd在不同类水滑石前驱物中均能良好分散. 不同的二价金属元素对催化剂性能的影响不同, 其中Pd/Co3AlO催化剂表现出最高的氯苯催化氧化活性, 其起燃温度和全转化温度分别为182和283 ℃. H2-TPR和O2-TPD测试表明, Pd和类水滑石衍生复合氧化物存在着协同作用, Pd的引入促进了复合氧化物的还原, 从而影响氧化物的氧化还原性能. Pd/M3AlO系列催化剂的活性主要受催化剂的氧化还原性能及其表面活性氧物种的影响.     

三嵌段共聚物的电子结构及态密度特征

采用紧束缚近似计算方法,针对小带隙的聚乙炔(polyacetylene,(PA))和大带隙的聚对苯撑(poly(p-phenylene),(PPP)组成的三嵌段共聚物(triblock copolymer)-(PA)x-(PPP)n-(PA)y-和-(PPP)x-(PA)n-(PPP)y-性质进行了研究,发现它们具有典型的量子阱特征.对均聚物PPP和PA以及三嵌段共聚物的态密度(density of states, (DOS))进行了计算分析,发现共聚物的态密度与均聚物的态密度有着显著的区别,共聚物的带隙的大小介于大带隙的PPP和小带隙的PA之间,在共聚物中与PPP的导带和价带的子带隙以及共聚物的导带底和价带顶中,所存在的能态密度只能由PA来提供,而在共聚物的价带底和导带顶的能态密度则取决于PPP的态密度.     

Enhancing terahertz photonic spin Hall effect via optical Tamm state and the sensing application

The photonic spin Hall effect (PSHE), characterized by two splitting beams with opposite spins, has great potential applications in nano-photonic devices, optical sensing fields, and precision metrology. We present the significant enhancement of terahertz (THz) PSHE by taking advantage of the optical Tamm state (OTS) in InSb-distributed Bragg reflector (DBR) structure. The spin shift of reflected light can be dynamically tuned by the structural parameters (e.g. the thickness) of the InSb-DBR structure as well as the temperature, and the maximum spin shift for a horizontally polarized incident beam at 1.1 THz can reach up to 11.15 mm. Moreover, we propose a THz gas sensing device based on the enhanced PSHE via the strong excitation of OTS for the InSb-DBR structure with a superior intensity sensitivity of 5.873×10⁴ mm/RIU and good stability. This sensor exhibits two orders of magnitude improvement compared with the similar PSHE sensor based on InSb-supported THz long-range surface plasmon resonance. These findings may provide an alternative way for the enhanced PSHE and offer the opportunity for developing new optical sensing devices.