有机分子膜层间相互作用对聚集体的影响

有机材料在分子设计与合成方面具有高度可塑性、灵活性及多样性,易于制成各种功能器件．带有电子给体和受体以及、电子体系的两亲类有机分子具有极高的超分子极化率“‘．利用Langmuir－Blodgett（LB）技术可实现有机材料在纳米尺寸上的分子组装,形成高度有序、非中心对称的LB膜以实现大的宏观二阶非线性极化系数．有机分子在LB膜中常常形成聚集体,而聚集体的存在将显著改变膜的宏观光学特性．根据有机分子间相互作用能的类型,聚集体可以分为J一型和H一型两种,分别表现为它们的吸收或荧光光谱‘”相对于单体发生红移或蓝移．近年来…     

平面刚架以单元截面特性为变量的解析解*

取平面刚架单元截面面积与抗弯惯矩为变量,采用符号计算软件求解含变量的总刚度阵之逆,从而得到这种意义下的解析解。在微机上编制了通用的程序,计算出了相应的算例。     

萘酞菁化合物LB膜的二阶非线性光学特性研究

研究了四种萘酞菁化合物LB膜的制备和二阶非线性光学特性 ,并对它们的二阶非线性产生机理进行了简单的讨论。不对称萘酞菁化合物的二阶非线性起源于电偶极子机制 ;对称萘酞菁化合物的二阶非线性起源于磁偶极子耦合机制。二阶非线性最大的三叔丁基氰基萘酞菁的二阶非线性极化率 χ( 2 ) 为 3 7× 10 - 8esu ,约为三叔丁基萘酞菁的 37倍     

非对称耦合量子阱ZnCdSe/ZnSe的荧光光谱与拉曼散射谱

本文研究了非对称Ⅱ -Ⅳ族耦合多量子阱Zn1-xCdxSe/ZnSe的荧光光谱和拉曼散射谱特性。实验中观察到了比较明显的量子阱荧光峰 ;在拉曼散射谱中观察到了分别对应于与ZnCdSe窄阱和宽阱的一级限制光学模LOL 和LOW 及对应于ZnSe/GaAs界面的声子和等离子体的耦合模 ,并对它们进行了简单分析。     

Fe/Cr超晶格的电子结构和磁性质

应用密度泛函全势线性缀加平面波(FLAPW)方法研究了Fem/Crn (m=3, 4; n=1, 3, 4)超晶格的电子结构和磁性质. 结果表明, Fe3/Cr1和Fe3/Cr3体系的基态中, Fe层间存在铁磁耦合; 而Fe4/Cr4体系基态中, 存在反铁磁耦合; Cr层的磁矩方向交替变化, 交界面上的Fe和Cr间存在反铁磁耦合.     

螺芴氧杂蒽LB膜的制备及光谱特性研究

为了研究聚芴材料DSFX-SFX分子在气液两相表面的行为,分子处于溶液、LB膜及粉末状态的光学特性,以及分子有序排列对其发光特性的影响,制备了聚芴材料DSFX-SFX的X型LB膜,研究了π-A等温曲线,测量了其紫外-可见吸收谱和稳态荧光光谱。结果表明,分子以face-on形式平躺在亚相表面,单分子面积为4.78 nm2。在氯仿溶液中吸收峰位在354 nm,归属于分子中三聚氧杂蒽部分与芴环间π-π*电子跃迁;荧光发射峰位在396,419,445 nm(肩峰),归属于发色团三聚氧杂蒽,是芴环与氧杂蒽环之间的电荷转移。在LB膜中,吸收谱和荧光光谱与其溶液光谱相比,整体红移6 nm。结果表明:在LB膜中,两个分子形成激基缔合物,与单分子状态相比,激基缔合物的HOMO升高而LUMO降低。与粉末状态相比,该材料在LB膜中有很强的荧光发射,表明该材料形成有序排列超薄膜有利于荧光发射。     

高g值加速度传感器的标定

利用Hopkinson压杆装置,采用石英晶体片压力传感器对高g值加速度传感器进行了标定,并给出了加速度传感器灵敏度系数的标定公式。实验结果表明,本文中研制的利用石英晶体片压力传感器对高g值加速度传感器进行标定的实验装置可满足标定的精度要求,而且整个校准系统结构简单,易于操作。     

LB膜的制备及其在光学中的应用

介绍LB膜的研究历史、特点、制备方法及其在光学中的应用.分析了影响成膜质量的因素,指出了LB膜在光学领域的应用前景.     

萘酞菁化合物的LB膜及光谱特性研究

研究了两种不对称取代萘酞菁化合物LB膜的制备,并采用线性吸收谱研究了萘酞菁化合物在溶液和LB膜中的聚集特性。三叔丁基萘酞菁和三叔丁基氰基萘酞菁两种化合物均能制备成很好的LB膜,它们在溶液和LB膜中也均能形成H-聚集体,但在溶液中主要是以单体的形式存在,而在LB膜中则主要是以聚集体的形式存在。两种化合物是倾斜的站立在亚相表面上,但由于氰基的作用,使三叔丁基氰基萘酞菁的倾角较小,几乎是直立在亚相表面上。     

富勒烯C60掺杂的共轭高聚物混合薄膜的光谱性质

测量了不同富勒烯C60掺杂浓度的聚对亚苯基亚乙烯衍生物（MEH-PPV）混合薄膜的紫外-可见吸收光谱、稳态荧光和时间分辨荧光光谱。观察到MEH-PPV吸收峰受到明显的抑制以及荧光峰的猝灭。证明混合薄膜内，由于л-л共轭体系的强相互作用在基态发生MEH-PPV向C60的电子转移、形成电荷转移络合物。在光激发下会发生MEH-PPV向C60的激发传递进一步抑制了发光跃迁过程，导致了MEH-PPV荧光的强猝灭效应。