磁性斯格明子的多场调控研究

斯格明子(skyrmion)的概念最早是由英国的粒子物理学家Tony Skyrme提出,它被用来描述粒子的一个状态,是一种拓扑孤立子.磁性斯格明子是一种具有拓扑行为的新型磁结构,其空间尺寸为纳米量级,空间距离从纳米到微米量级可调;其存在温度涵盖从低温、室温到高温的宽温区;其材料体系不仅包括早期发现的低温区B20型中心对称破缺的铁磁体和螺旋磁有序的弱铁磁材料,也包括近期发现的室温及以上的中心对称六角结构磁性MnNiGa金属合金和磁性薄膜/多层膜体系.利用磁性斯格明子的拓扑磁结构可以实现类似于自旋阀或者磁性隧道结中的自旋转移矩效应,即外加电流可以驱动斯格明子,其临界电流密度比传统翻转磁性多层膜体系中磁矩的电流密度(一般为10~7A/cm~2)要低5个数量级,约为10~2A/cm~2,该临界值远低于硅基半导体技术中沟道电流密度的上限,在未来的磁信息技术中具有广泛的应用前景.本综述简单介绍了磁性斯格明子的发展历程,归纳总结了磁性斯格明子的材料体系,介绍了观察磁性斯格明子的实验手段,重点介绍了多场(磁场、电流、温度场)调控作用下中心对称MnNiGa合金和Pt/Co/Ta磁性多层膜体系中磁性斯格明子的产生、消失以及外场调控演变等动态行为.     

Lorentz transmission electron microscopy studies on topological magnetic domains

Lorentz transmission electron microscopy(TEM) is a powerful tool to study the crystal structures and magnetic domain structures in correlation with novel physical properties. Nanometric topological magnetic configurations such as vortices, bubbles, and skyrmions have received enormous attention from the viewpoint of both fundamental science and potential applications in magnetic logic and memory devices, in which understanding the physical properties of magnetic nanodomains is essential. In this review article, several magnetic imaging methods in Lorentz TEM including the Fresnel and Foucault modes, electron holography, and differential phase contrast(DPC) techniques are discussed, where the novel properties of topological magnetic domains are well addressed. In addition, in situ Lorentz TEM demonstrates that the topological domains can be efficiently manipulated by electric currents, magnetic fields, and temperatures, exhibiting novel phenomena under external fields, which advances the development of topological nanodomain-based spintronics.     

Parameter analysis for gate metal-oxide-semiconductor structures of ion-implanted 4H silicon carbide metal-semiconductor field-effect transistors

From the theoretical analysis of the thermionic emission model of current-voltage characteristics, this paper extracts the parameters for the gate Schottky contact of two ion-implanted 4H-SiC metal-semiconductor field-effect transistors (sample A and sample B for three and four times multiple ion-implantation channel region respectively) fabricated in the experiment, including the ideality factor, the series resistance, the zero-field barrier height, the interface oxide capacitance, the interface state density distribution, the neutral level of interface states and the fixed space charge density. The methods to improve the interface of the ion-implanted Schottky contact are given at last.     

十一钨锰硅酸盐异构体的电化学性质及其催化性能

环氧化反应催化活性;十一钨锰硅酸盐异构体的电化学性质及其催化性能     

常压射频冷等离子体TEOS工艺沉积二氧化硅薄膜的光谱研究

常压射频冷等离子体是近年来广受关注的一种新兴技术,在薄膜沉积方面已体现出其巨大潜力,但由于等离子体本身反应的复杂性,使其在薄膜沉积方面的机理至今尚未完全清楚。本文旨在从光谱分析的角度,研究常压射频冷等离子体TEOS工艺沉积二氧化硅薄膜。实验中我们检测到了Si和C-H的特征峰,表明二氧化硅是由TEOS在等离子体中分解而形成的。同时还研究了不同输入功率下Si和C-H的特征峰强度的变化情况,并发现其变化规律与生长速率有着很好的相似性。在温度为200℃的条件下所生成的SiO2薄膜的折射率在1.47-1.48的范围内。     

电子发现中的创新实验与学生创新能力的培养

在原子物理教学中,介绍了有关电子发现时汤姆孙的创新实验,以此为例,进一步要求学生进行创新实践,给出了部分学生的创新例证,从而达到培养学生创新能力的目的。     

A位离子替代对(LaCa)MnO3材料磁转变温度的影响 *

测量了(La_1-xR_x) _{2 /3} MnO₃ (其中R代表Ce ,Pr,Nd等稀土离子)和La_{2 /3}(Ca_1-yCd_y) _1/3 MnO₃ 两组铁磁性巨磁阻材料的磁转变温度 .结果发现 ,尽管在(La_1-xR_x) _{2 /3} MnO₃ 材料中其A位平均离子半径恒定 ,但居里温度T_C 存在明显的差别 ;而在La_{2 /3}(Ca_1-yCd_y) _1/3 MnO₃ 系列中虽然随Cd的替代量的增加 ,A位平均离子半径略有下降 ,T_C 却增加 .A位离子的局域磁矩对磁转变温度可能有较大的影响 .     

镧系双2:17钨磷杂多配合物异构体的合成和性质研究Ⅲ

本文合成通式为（ＮＨ４）１７［Ｌｎ（α２－Ｐ２Ｗ１７Ｏ６１）２］．ｘＨ２Ｏ（Ｌｎ＝Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｄｙ）的镧系双２：１７钨磷杂多配合物纯净异构体。并用＾３＾１ＰＮＭＲ，ＩＲ，ＵＶ－Ｖｉｓ吸收光谱，极谱，循环伏安和磁化率等对其进行了表征。对α１，α２和β异构体间的性质进行了比较。 α２异构体的Ｌ ｎ－Ｏ键离子特性强于α１异构体。     

MgO单晶势垒磁性隧道结的第一性原理计算和实验研究

在MgO单晶势垒磁性隧道结中发现的室温高隧穿磁电阻现象,是近些年自旋电子学以及磁性隧道结磁电阻材料研究中的又一重大突破。本文主要评述和介绍2001年以来MgO单晶势垒磁性隧道结第一性原理计算和实验上的重要进展,以及介绍利用Layer-KKR第一性原理计算方法研究的Fe(001)/MgO/Fe、Fe(001)/FeO/MgO/Fe、Fe(001)/Mg/MgO/Fe、Fe(001)/Co/MgO/Co/Fe和Fe(001)/MgO/Fe/MgO/Fe等基于单晶MgO(001)单势垒及双势垒磁性隧道结材料的电子结构和自旋相关输运性质研究的最新进展。这些第一性原理定量计算的结果,不仅从物理上增强了对MgO单晶势垒磁性隧道结的电子结构和自旋相关输运特性的了解,而且对于研究新型室温磁电阻隧道结材料及其在自旋电子学器件中的广泛应用,具有一定的参考价值。     

十一钨锰硅酸盐异构体的电化学性质及其催化性能

报道了十一钨锰硅酸盐异构体α-,β