CN(X~2Π)分子系统碰撞诱导转动传能实验的理论解释(英文)

在以前的研究中,已经对Λ分裂引起的CN(X2Π)与惰性气体碰撞诱导转动传能中的量子干涉效应进行了研究.在此基础之上,本文讨论了在洪德情况(a)2Π电子态下,微分干涉角.在含时一级波恩近似下,考虑各向异性相互作用势,以及影响干涉角的各个因素(实验温度、碰撞伴、转动量子数等),定量计算了原子-双原子分子系统的微分干涉角.研究了影响微分干涉角的各个因素,讨论了微分干涉角随碰撞伴及速度的变化趋势.     

快速凝固Fe62.1Sn27.9Si10合金的分层组织和偏晶胞形成机理

采用自由落体和单辊急冷技术研究了三元Fe_62.1Sn_27.9Si₁₀偏晶合金的相分离和组织形成规律,理论分析了两种快速凝固条件下合金的传热特性.自由落体条件下,由于Marangoni迁移和表面偏析势的作用,液滴凝固组织主要形成富Sn相包裹富Fe相的两层壳核结构.随着液滴直径减小,冷却速率和温度梯度增大,促进偏晶胞快速生长.在单辊急冷条件下,随着辊速的增大,冷却速率从1.1×10⁷增大至6.5×10⁷ K/s,合金熔体内部的液相流动和相分离受到抑制,凝固组织发生"九层结构→两层结构→无分层结构"的转变.同时,凝固过程中FeSn+L₂→FeSn₂包晶反应受到抑制,形成与自由落体条件下不同的相组成.EDS分析显示,αFe相在快速凝固过程中发生显著溶质截留效应. 关键词： Fe-Sn-Si偏晶合金 相分离 快速凝固 溶质截留     

CN(X )系统碰撞转动传能中的量子干涉效应

在之前的研究中,已经对ＣＮ碰撞诱导转动传能中由于分裂引起的量子干涉效应进行了研究．为了进一步研究,本文讨论了微分干涉角．在一级波恩近似下,考虑各项异性相互作用势,及影响干涉的各个因素．定量计算了微分干涉角,及其随参数、温度的变化趋势．     

转动传能中干涉相位角的时间特性

不同碰撞系统在碰撞过程中转动传能的量子干涉角度并不相同。而对干涉角的计算需采取最符合系统的相互作用势。从含时微扰的一级波恩近似出发,利用各向异性相互作用势,进一步研究了CO单三混合态在和He做碰撞伴时其跃迁振幅和干涉相位角的时间特性,计算显示跃迁振幅随时间显现衰减的震荡;对于给定的碰撞参数和碰撞速度,跃迁振幅变化非常明显并与跃迁前后的状态、能级差相关。     

Enhanced performances of InGaN/GaN-based blue light-emitting diode with InGaN/AIInGaN superlattice electron blocking layer

InGaN/AIlnGaN superlattice （SL） is designed as the electron blocking layer （EBL） of an InGaN/GaN-based light- emitting diode （LED）. The energy band structure, polarization field at the last-GaN-barrier/EBL interface, carrier concen- tration, radiative recombination rate, electron leakage, internal quantum efficiency （IQE）, current-voltage （l-V） perfor- mance curve, light output-current （L-l） characteristic, and spontaneous emission spectrum are systematically numerically investigated using APSYS simulation software. It is found that the fabricated LED with InGaN/AIInGaN SL EBL exhibits higher light output power, low forward voltage, and low current leakage compared with those of its counterparts. Meanwhile, the efficiency droop can be effectively mitigated. These improvements are mainly attributed to the higher hole injection efficiency and better electron confinement when InGaN/AIlnGaN SL EBL is used.     

近共振电子态和转动能量传递AB(1∑,J)+C(slj)→AB(1∑,J'')+C(slj'')

1995年沙等在静态池实验中观测到了碰撞诱导转动传能中的量子干涉效应,并且测量到了决定跃迁截面幅值的积分干涉角(J.Chem.Phys.,1995,102,2772).同时,孙等在理论上计算了CO A1Ⅱ(v=0)～e3∑-(v=1)与He,Ne以及其它碰撞伴的碰撞体系的积分干涉角,建立了相应的理论模型.然而,以前的研究都局限在碰撞伴通常被认为是没有结构的粒子,但是在碰撞过程中相互碰撞的两个粒都有内部角动量,自旋-轨道相互作用又对反应速率起着非常重要的影响,同时也能够影响反应势垒的高度,因此这种近似忽略了碰撞伴原子对整个碰撞体系得影响.基于这种考虑,在这篇文章中我们从理论上研究AB (1∑,J)+C(slj)→AB(1∑,J')+C(slj')的碰撞诱导的电子态和转动态的能量传递,应用一级含时波恩近似、各向异性L-J相互作用势和直线轨迹近似,建立了理论模型.并讨论和比较了在近共振电子态和非共振电子态两种情况下的振动传能的跃迁几率.     

液态三元Fe-Sn-Si/Ge偏晶合金相分离过程的实验和模拟研究

本文采用自由落体实验技术和格子玻尔兹曼计算方法研究了低重力条件下液态Fe-Sn-Si/Ge合金的相分离过程. 实验发现, 二种合金液滴在自由下落过程中均发生显著的液相分离, 形成了壳核和弥散组织. 当Fe-Sn-Si合金中的Si元素被等量的Ge元素替换后, 壳核组织中富Fe区和富Sn区的分布次序会发生反转. 计算表明, 在液相分离过程中冷却速率、Marangoni对流和表面偏析对壳核构型的选择和弥散组织的形成起决定性作用.     

Enhanced performances of InGaN/GaN-based blue light-emitting diode with InGaN/AlInGaN superlattice electron blocking layer

InGaN/AlInGaN superlattice(SL) is designed as the electron blocking layer(EBL) of an InGaN/GaN-based lightemitting diode(LED). The energy band structure, polarization field at the last-GaN-barrier/EBL interface, carrier concentration, radiative recombination rate, electron leakage, internal quantum efficiency(IQE), current–voltage(I–V) performance curve, light output–current(L–I) characteristic, and spontaneous emission spectrum are systematically numerically investigated using APSYS simulation software. It is found that the fabricated LED with InGaN/AlInGaN SL EBL exhibits higher light output power, low forward voltage, and low current leakage compared with those of its counterparts.Meanwhile, the efficiency droop can be effectively mitigated. These improvements are mainly attributed to the higher hole injection efficiency and better electron confinement when InGaN/AlInGaN SL EBL is used.     

Na2(A1∑+u，v=8~b3Π0u，v=14)-Na体系碰撞诱导转动传能的微分干涉角

对原子-双原子体系碰撞诱导转动传能进行了进一步的理论研 究. 在含时一级波恩近似的基础上考虑各向异性相互作用势，计算了 单-叁重混合态的Na2(A1∑+u，v=8~b3Π0u，v=14)体系与Na碰撞 的微分干涉角(b·?和b??)，得到了微分干涉角与碰撞参数的关系，对 其碰撞量子干涉作出了定量准确的描述.     

深过冷条件下Co_7Mo_6金属间化合物的枝晶生长和维氏硬度研究

采用电磁悬浮和自由落体两种实验技术对二元Co-50%Mo过共晶合金中初生Co_7Mo_6金属间化合物的生长机理和维氏硬度进行了系统研究.电磁悬浮实验中,合金熔体获得的最大过冷度为203 K(0.12T_L),初生Co_7Mo_6枝晶生长速度与过冷度之间呈现幂函数关系.随着过冷度的增大,初生枝晶中Co元素含量单调递增,枝晶尺寸明显减小,并且其维氏硬度逐渐升高.在自由落体状态下,随着液滴直径的减小,合金熔体的过冷度和冷却速率均增大.当液滴直径减小到392μm以下时,初生Co_7Mo_6枝晶从小平面向非小平面形态进行转变.实验发现,深过冷条件下Co_7Mo_6化合物发生了显著的溶质截留效应,其维氏硬度与Co元素分布和形貌特征密切相关.