镉原子J=1偶宇称能谱的MQDT分析

在多通道量子数亏损理论(MQDT)的基础上,对镉原子J=1偶宇称的MQDT模型进行了分析,并利用MQDT波函数给出了计算高激发态寿命的一般方法,计算并预言了5sns12125snd21321(6≤n≤23)这两个Rydberg系列的寿命,拟合出了它们的寿命计算公式:5sns21211系列为τ=0.8980v2n.755;5snd12231系列为τ=0.3628v2n.829.     

铝一价离子A1 Ⅱ高激发态能级的研究

利用多通道量子数亏损理论（ＭＱＤＴ）对Ａ１Ⅱ离子的两个ＭＱＤＴ模型进行了计算，预言了３ｓｎｓ３Ｓ１（ｎ＜４０）、３ｓｎｄ３Ｓ１（ｎ＜４０）、３ｓｎｆ３Ｆ３（ｎ＜８０）、三个主序列的未知能级，讨论了双激发态对主序列以及主序列之间的干扰情况。     

Energy levels and radiative lifetimes of 3pns 3P0 and 3pnd 3P0 series of Si I

The energy levels and lifetimes of 3pns ^3po （n = 7 - 35） and 3pnd ^3p0 （n = 6 - 17） series of neutral silicon are calculated and predicted by means of multichannel quantum defect theory （MQDT）. In addition, the perturbation caused by core-excited state 3s3p^3 is discussed. The 3pnd ^3p0 series, especially 3p4d ^3p0, 3p5d ^3P0, and 3p6d ^3P0 are perturbed strongly by the core-excited state 3s3p3 ^3P0. These cause the lifetime of 3pnd ^3P0 （n = 5 - 7） to be less than that of 3p4d 3Po. The lifetimes of 3p14d ^3P0 （65479.14 cm^-1） and 3p16d ^3p0 （65608.77 cm^-1） are less than that of their frontal states respectively, because these states are perturbed by 3p22s ^3p0 （65476.48 cm-1） and 3p30s ^3p0 （65608.99 cm^-1） respectively.     

表面微织构对WC-8Co在往复摩擦磨损中粘结-扩散磨损特性的影响

采用激光表面纹理化在WC-8Co上制备了微沟槽织构,通过往复式摩擦磨损试验对其与Ti6Al4V接触的耐磨性进行分析,并以无表面微沟槽织构的WC-8Co为对比样品,研究了表面微织构对WC-8Co粘结-扩散磨损特性的影响,揭示了摩擦过程中表面微织构的磨损机理. 结果表明:WC-8Co上的微沟槽对摩擦接触面具有抗粘结作用,在高接触载荷下,这种效应更为明显. 织构表面的抗粘结机制是由微沟槽包裹的碎屑产生的. 此外,与无表面微织构的WC-8Co不同,表面织构化的WC-8Co的磨损最初来源于微沟槽边缘的断裂,随后扩展到摩擦表面. 这种磨损特性归因于微沟槽边缘的高热载荷和机械应力集中,以及激光加工过程中WC晶粒长大与摩擦过程中粘结剂Co扩散的协同效应.