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31.
提出了一种新的结构来表征钛酸锶钡薄膜在微波频率下的介电特性,即在沉积有钛酸锶钡薄膜的氧化镁基片上制作了共面带阻滤波器.借助于共面带阻滤波器的谐振频率和Q值,通过比较其测量值与仿真值,可以得出钛酸锶钡薄膜的介电常数和介电损耗.在变温测试过程中,注意到金导电层的电导率对带阻滤波器的谐振频率和Q值有较大的影响.为了准确地得到钛酸锶钡薄膜的介电特性,仔细分析了金导电层对带阻滤波器频率响应曲线的影响,并在比较求值过程中消除了这一影响. 相似文献
32.
淳于书泰何绍堂 张启仁何安沈华忠 杨上金杜凤英蔡玉琴 顾元元黄文忠庄秀群 龙永录牟丹岷 郭秦孙永良 杨建国彭翰生温树槐 倪元龙余松玉 顾援周正良 毛楚生王世绩刘凤翘 范滇元王树森 陈万年 《中国科学A辑》1992,35(8):875-879
本文在神光装置上,进行了类氖锗X光激光双程放大实验研究.实验中使用了硅/钼多层膜X光平面反射镜.用平场光栅谱仪测量了X光激光的时间积分和时间分辨信号.实验证实了X光激光的双程放大.时间积分结果表明,双程放大为单程放大信号的5倍多;时间分辨结果表明,对多层镜的作用时间作修正后,双程放大信号的增强倍数还要大.在本实验条件下,多层镜的寿命约为400—700ps. 相似文献
33.
With the solid phase reaction between pulsed-laser-deposited (PLD) ZnOfilm and α-Al2O3 substrate, ZnAl2O4/α-Al2O3 complex substrates were synthesized. X-ray diffraction (XRD) spectra show that as the reaction proceeds, ZnAl2O4 changes from the initial (111)-oriented single crystal to poly-crystal, and then to inadequate (111) orientation. Corresponding scanning electron microscope (SEM)images indicate that the surface morphology of ZnAl2O4 transforms from uniform islands to stick structures, and then to bulgy-line structures. In addition, XRDspectra present that ZnAl2O4 prepared at low temperature is unstable at the environment of higher temperature. On the as-obtained ZnAl2O4/α-Al2O3 substrates, GaN films were grown without any nitride buffer using light-radiation heating low-pressure MOCVD (LRH-LP-MOCVD). XRD spectra indicate that GaN film on this kind of complex substrate changes from c-axis single crystal to poly-crystal as ZnAl2O4 layer is thickened. For the single crystal GaN, its full width at half maximum (FWHM) of X-ray rocking curve is 0.4°. Results indicate that islands on thin ZnAl2O4 layer can promote nucleation at initial stage of GaN growth, which leadsto the (0001)-oriented GaN film. 相似文献
34.
本文通过模拟研究,讨论了最大似然方法和Bayes方法在分析结构方程模型中的相似点和不同之处。 相似文献
35.
36.
Two externally biased electrodes were inserted into the plasma on the KT-5C tokamak to test the effects on modifying the radial electric field Er, other than single biasing. Using various combinations of biasing voltage,the influences of double biasing are compared with the single biasing. It turns out that the effect of dual-biasing is also effective as a single one, but the outer electrode seems to be shielded by the inner one and show less influence. The results clearly show that the radial electric field Er changed by external biasing is intrinsically an effect localized at the edge of the plasma, which is caused by the electrode induced radial current; and dualelectrode biasing using the method similar to the single biasing seems not to be able to increase more distinctly the peaking effect on Er than the single biasing. 相似文献
37.
本文给出了在劳动力供给带弹性条件下的So1ow增长模型,给出了经济增长的黄金律和均衡处资本稳定性的证明,并且与不带弹性的Solow模型作了比较. 相似文献
38.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer 下载免费PDF全文
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
39.
激光二极管泵浦的高重复频率Nd:YAG激光器 总被引:2,自引:1,他引:1
报道两个1.5W连续激光二极管端面泵浦的声光调QNd:YAG激光器,输出激光脉冲的最高重复频率为30kHz重复频率1kHz时,最窄脉宽为12ns,最高峰值功率为12.1kW。 相似文献
40.