超半环的广义直觉模糊理想刻画

对超半环上的直觉模糊子集进行讨论.首先在超半环上给出有边界值的直觉模糊超理想,对其部分性质进行研究.其次给出正则超半环和内禀正则超半环的概念,利用有边界值的直觉模糊超理想对这两种超半环进行刻画,得到若干刻画定理.     

塑性本构理论与工程材料塑性本构关系

研究了材料的塑性本构理论,从理论上建立了严密的塑性本构方程,为建立工程材料塑性本构关系提供了理论基础,此后将理论应用于3种工程材料.依据材料的性质以及工程的要求,通过简化得出满足工程计算精度要求的岩土类摩擦材料、金属类晶体材料的塑性本构关系;对强度控制的工程问题如有充分塑性变形条件则可将材料视作理想塑性材料,应用屈服条件和极限分析条件,采用传统的或数值的极限分析方法,求得工程安全系数或极限承载力.     

交换半环中理想的实根

在交换半环范畴中引进和研究理想的实根,从而将实代数学中有关结果推广到交换半环上。如下结果被建立:在半环中,一个理想的实根恰等于包含该理想的所有实理想的交集,并也恰等于包含该理想的所有实素理想的交集。此外,形式更为一般的理想的实根--广义实根被考虑,并获得相应的结果。     

鼠李糖脂应用于微乳毛细管电动色谱快速测定化妆品中激素类物质

采用生物表面活性剂鼠李糖脂建立了无需助表面活性剂的微乳体系,并应用于微乳毛细管电动色谱快速分析化妆品中皮质类激素泼尼松、泼尼松龙和氢化可的松。考察了pH值、鼠李糖脂浓度、离子强度、油相种类和浓度、分离温度、分离电压及进样电压和时间的影响,得出微乳体系最佳组成为0.1%(w/w)鼠李糖脂+0.8%(w/w)正庚烷+99.1%(w/w)硼砂缓冲液(80 mmol/L,pH 9.2)。分离温度20℃,分离电压20kV,电动进样10 kV×3 s,泼尼松、氢化可的松和泼尼松龙在9.4 min内可基线分离。重复进样7次,迁移时间和峰面积的RSD分别小于0.2%和5.0%。3种分析物线性范围均为5～100 mg/L;检出限分别为1.0,1.1和1.3 mg/L(S/N=3)。仅需简单萃取即可用于化妆品样品测定,回收率为81.6%～108%;RSD均小于4.8%。     

生物表面活性剂鼠李糖脂及其复配体系界面行为和性质的介观模拟

采用介观模拟耗散颗粒动力学（DPD）方法研究不同结构的鼠李糖脂在油/水界面行为差异和结构对活性的影响,并探讨了其与不同类型表面活性剂如十二烷基硫酸钠（SDS）、十二烷基苯磺酸钠（SDBS）、脂肪醇聚氧乙烯醚（AEO3）复配时体系的界面性质,给出不同结构的鼠李糖脂的行为特点及与常用合成表面活性剂在油/水界面的相互作用规律...     

高等学校化学学报第35卷(1～12期)学科分类目次

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赛默飞荣登“2013年中国大学生理想雇主100强”榜单

近日,全球科学服务的领导者赛默飞世尔科技(以下简称:赛默飞)荣登由中国日报社21世纪英文报联合Universum优兴咨询联合评选的"2013中国大学生理想雇主100强"榜单。凭借在工作环境、技术优势、人才培养、企业文化等多方面的成就,赛默飞成功入围医药领域企业榜单,成为中国大学生心目中的理想雇主。     

作者索引

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光/电激发方式对AlGaInP及GaN基LED电学特性的影响

采用光激励与电激励的方式对AlGaInP与InGaN/GaN基LED的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异.探讨了影响LED理想因子的因素,确定理想因子的适宜注入强度范围.研究结果表明:结温与注入强度是影响LED理想因子的重要因素;对于特定类型的发光二极管,空间电荷区起主导作用...     

A1/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes with inhomogeneous barrier heights

This paper investigates the current-voltage （I-V） characteristics of Al/Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes （SBDs） in the temperature range of 77 K-500 K, which shows that Al/Ti/4H SiC SBDs have good rectifying behaviour. An abnormal behaviour, in which the zero bias barrier height decreases while the ideality factor increases with decreasing temperature （T）, has been successfully interpreted by using thermionic emission theory with Gaussian distribution of the barrier heights due to the inhomogeneous barrier height at the A1/Ti/4H-SiC interface. The effective Richardson constant A＊ = 154 A/cm2 . K2 is determined by means of a modified Richardson plot In（I0/T2） - （qσ）2/2（κT）2 versus q/kT, which is very close to the theoretical value 146 A/cm2 · K2.