全文获取类型
收费全文 | 576篇 |
免费 | 111篇 |
国内免费 | 145篇 |
专业分类
化学 | 299篇 |
晶体学 | 5篇 |
力学 | 56篇 |
综合类 | 21篇 |
数学 | 121篇 |
物理学 | 330篇 |
出版年
2023年 | 8篇 |
2022年 | 10篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 7篇 |
2018年 | 21篇 |
2017年 | 9篇 |
2016年 | 13篇 |
2015年 | 10篇 |
2014年 | 21篇 |
2013年 | 10篇 |
2012年 | 27篇 |
2011年 | 22篇 |
2010年 | 17篇 |
2009年 | 35篇 |
2008年 | 34篇 |
2007年 | 41篇 |
2006年 | 27篇 |
2005年 | 23篇 |
2004年 | 17篇 |
2003年 | 18篇 |
2002年 | 12篇 |
2001年 | 27篇 |
2000年 | 28篇 |
1999年 | 25篇 |
1998年 | 14篇 |
1997年 | 28篇 |
1996年 | 27篇 |
1995年 | 30篇 |
1994年 | 46篇 |
1993年 | 38篇 |
1992年 | 23篇 |
1991年 | 18篇 |
1990年 | 18篇 |
1989年 | 31篇 |
1988年 | 6篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 6篇 |
1985年 | 8篇 |
1984年 | 8篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 4篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 6篇 |
1965年 | 3篇 |
1964年 | 4篇 |
1963年 | 6篇 |
1958年 | 4篇 |
1956年 | 4篇 |
1955年 | 5篇 |
排序方式: 共有832条查询结果,搜索用时 41 毫秒
31.
X-Ray Emission from Zr, Mo, In and Pb Targets Bombarded by Slow Highly Charged Ar^q+(q = 13, 14, 15, 16) Ions 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
We study the L x-ray emission from Zr, Mo and In targets and M x-ray emission from Pb target under bombardment of low energy Ar^q (q = 13, 14, 15, 16) ions. The relative x-ray yields were measured in the projectile kinetic energy range 210-360 keV. It is found that the relative x-ray yields from Zr, Mo and Pb targets increase with the increasing projectile kinetic energy for Ar^14 and Ar^16 projectiles and depend on the potential energy of the projectile remarkably. 相似文献
32.
本文主要叙述了用多模光纤作为导光物质,来拍摄全息照片的情况,从而省略了以往在拍摄中所用的各种分束器、反光镜及透镜等,简化了光路的调整。这对光纤在光学实验及其他方面的应用提供了一些启示和可能性。 相似文献
33.
通过溶剂处理和加热处理,研究了致孔剂种类、配比、用量及单体DVB中异构体组成对苯乙烯—二乙烯苯共聚物孔结构稳定性的影响,及其这种影响与共聚物交联度的关系。 相似文献
34.
35.
指出实验操作技能的教学目标是高中物理实验操作教学的出发点和归宿 ,也是进行实验操作考核与评价的依据 ,对实验教学起着导向、反馈和调节作用 ,提出对实验操作技能按模仿、定势和定型三个层次界定 相似文献
36.
37.
38.
39.
利用一套罗斯滤片系统测量激光轰击固体金属Ti平面靶产生的X射线辐射通量,系统包括两个相同的X射线探测器及相应滤膜。罗斯滤片法的优点在于利用相邻核素对X射线相似的阻止率,可滤出一个窄的能带并去除高能部分的干扰,获得了Ti平面靶K壳层X光辐射产额。实验结果表明:硬X射线能段在4.5~4.9keV之间的K壳特征辐射占优,连续谱所占份额较低(与晶体谱仪一致);随着激光能量的增加,特征辐射增加;激光强度接近2×1015 W/cm2时,能量转换效率出现峰值。 相似文献
40.
为了对GaN/AlN异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现GaN/AlN为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62eV,与实验值很接近.通过使用常用的平均键能法、平均势法和芯态法三种近似方法对GaN/AlN带阶的计算,比较得出,超原胞法虽然计算量较大,但能够给出异质结界面附近更为详细的信息,这一点其他三种近似方法无法得到,但他们也能够得出与实验值基本一致的带阶参量. 相似文献