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The electrical characteristics of a 4H-silicon carbide metal-insulator-semiconductor structure with Al2O3 as the gate dielectric 下载免费PDF全文
A 4H-silicon carbide metal-insulator-semiconductor structure with ultra-thin Al2O3 as the gate dielectric, deposited by atomic layer deposition on the epitaxial layer of a 4H-SiC (0001) 80N-/N+ substrate, has been fabricated. The experimental results indicate that the prepared ultra-thin Al2O3 gate dielectric exhibits good physical and electrical characteristics, including a high breakdown electrical field of 25 MV/cm, excellent interface properties (1×1014 cm-2) and low gate-leakage current (IG = 1 × 10-3 A/cm-2@Eox = 8 MV/cm). Analysis of the current conduction mechanism on the deposited Al2O3 gate dielectric was also systematically performed. The confirmed conduction mechanisms consisted of Fowler-Nordheim (FN) tunneling, the Frenkel-Poole mechanism, direct tunneling and Schottky emission, and the dominant current conduction mechanism depends on the applied electrical field. When the gate leakage current mechanism is dominated by FN tunneling, the barrier height of SiC/Al2O3 is 1.4 eV, which can meet the requirements of silicon carbide metal-insulator-semiconductor transistor devices. 相似文献
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利用独立不同分布的随机变量序列的强大数定律研究了双随机狄里克莱级数的收敛性和增长性,得到了一些新的结果。 相似文献
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系统讨论了浓度对数图解法中校正线的作图方法及校正原则 ;求得了不同斜率校正线的校正值 ,并给出了校正值表。 相似文献
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吸附和转化二氧化碳不仅可以消除温室气体对环境造成的污染,而且可以实现碳资源的有效利用,已经引起了人们的普遍关注。本文从物理吸附和化学转化两方面综述了典型的有机大环超分子结构 (冠醚、环糊精、杯芳烃和葫芦脲) 应用于二氧化碳吸附和转化方面的进展。大环超分子结构具有特定的空腔结构,并且能够通过自组装形成具有纳米多孔特性的超分子材料。本文概述了尺寸、形状各异的有机大环结构、衍生物及其组装材料在选择性地吸附和分离二氧化碳方面的研究。同时,也介绍了有机大环超分子结构作为反应物、催化剂或共催化剂参与下,二氧化碳与胺、环氧化物、醇、酚盐等发生的化学反应,这些转化实现了化学固碳和功能材料的制备。该综述展示了有机大环超分子结构的分子识别、组装等特性在二氧化碳吸附与转化中的独特应用,并探讨了该研究领域的发展前景。 相似文献
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HL-2A等离子体边界识别的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
利用电流丝模型编写的电流丝编码和采集到的18个磁探针测量数据、等离子体电流和极向场线圈电流的数据做了重建HL-2A等离子体边界的研究。计算结果表明,电流丝编码能够正确地识别等离子体的边界、偏滤器位形和X点的位置。计算获得的偏滤器内外靶板上打击点出现和消失的时间与布置在偏滤器靶板上静电探针测量到的信号很好地符合。在Pentium 4的PC个人计算机上(CPU为2.4GHz, 800MHz总线)计算每一个时刻的等离子体边界时间小于1ms。 相似文献
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