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AlN films grown on sputter-deposited and annealed AlN buffer layer by high temperature hydride vapor phase epitaxy(HVPE)have been fabricated and structurally characterized.The crystalline quality and surface morphology of as-grown AlN films with various V/III ratios were studied and compared.The XRD results showed that the crystalline quality of the AlN film could be optimized when the growth V/III ratio was 150.At the same time,the full width at half-maximum(FWHM)values of(0002)-and(10ˉ12)-plane were 64 arcsec and 648 arcsec,respectively.As revealed by AFM,the AlN films grown with higher V/III ratios of 150 and 300 exhibited apparent hillock-like surface structure due to the low density of screw threading dislocation(TD).The defects microstructure and strain field around the HVPE-AlN/sputtered-AlN/sapphire interfaces have been investigated by transmission electron microscopy(TEM)technique combined with geometric phase analysis(GPA).It was found that the screw TDs within AlN films intend to turn into loops or half-loops after originating from the AlN/sapphire interface,while the edge ones would bend first and then reacted with others within a region of 400 nm above the interface.Consequently,part of the edge TDs propagated to the surface vertically.The GPA analysis indicated that the voids extending from sapphire to HVPE-AlN layer were beneficial to relax the interfacial strain of the best quality AlN film grown with a V/III ratio of 150. 相似文献
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为深入了解纳米金属多层膜在沉积法交替制备中, 因晶格失配制备出不同半共格界面的金属多层膜受载诱导的力学特性差异的机制,本文作者基于经典力学的分子动力学法,对半共格Cu基Ni膜和Ni基Cu膜两种界面结构的力学性能展开探析,揭示出多层膜半共格界面失配位错网与压痕诱导产生可动位错的相互作用规律. 研究发现: 铜镍双层膜半共格界面结构可有效提升力学性能,归因于铜镍半共格界面受载产生的柏氏矢量Shockley分位错的差异. Cu基Ni膜半共格界面上的失配位错网对压痕中产生的可动位错表现为排斥,有利于位错穿透半共格区域进入铜基中,对外表现为强化作用;Ni基Cu膜半共格界面上的失配位错网对压痕中产生的可动位错表现为吸引,阻碍位错穿透半共格区域进入镍基中,对外表现为软化作用,增强了材料抵抗变形的能力、耐磨性和韧性. 该性质差异可用Koehler提出的两种不同材料模量间镜像力理论解释. 此研究结果对铜镍多层膜作为涂层应用于微机电系统、海洋装备和航空航天等重大战略领域有着重要理论指导意义与借鉴价值. 相似文献
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1 INTRODUCTION Halenia elliptica which is believed to have anti- virus activity[1] has been long used as a medicinal herb to cure hepatic diseases in Qinghai-Tibetan plateau. In this study we aimed at identifying bioactive compounds from the plant. Four … 相似文献
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以过氧化叔丁醇为氧化剂,以钴(Ⅱ)与含N配体为催化体系催化氧化2-乙基-3-甲基吡嗪(EMP),提出一种具有放大应用前景的2-乙酰基-3-甲基吡嗪绿色制备方法.考察了过渡金属催化剂的种类、配体种类、溶剂、温度等反应条件对催化氧化过程的影响,在最优反应条件下EMP转化率可达58.8%, 2-乙酰基-3-甲基吡嗪(AMP)选择性92.2%.研究了该反应体系催化氧化EMP的反应机理,建立了该反应的拟均相反应动力学模型.在以上实验基础上,对该反应体系进行了放大实验研究,结果表明该新方法具有较好的工业放大前景,但反应温度的控制是放大过程的关键因素. 相似文献
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采用多波长分析方法测量氧气顶回转炉口火焰温度的研究。在该方法中,采用USB4000型光纤光谱仪测量火焰在可见光波长范围内的火焰辐射光谱,结合Levenberg-Marquardt最优化算法,得到火焰温度和单色辐射率变化规律。本文还提出了采用小波神经网络处理多光谱测温数据,该方法可以取消发射率与波长之间的假设模型,是一种获得目标真温及发射率行之有效的方法。网络中隐含层的神经元是由S函数和Morlet小波函数的乘积组合构成,在逼近火焰温度中具有良好的表现。 相似文献
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两种不同形状压头与单晶铜基体间接触力和摩擦力的纳观分析 总被引:2,自引:1,他引:1
在考虑单晶铜基体弹塑性形变和晶体各向异性情况下,基于原子尺度,采用混合势函数(EAM和Morse)和Verlet算法动态模拟了半球形和圆锥形两种不同形状压头与单晶铜基体的黏着接触和滑动摩擦过程,分析了接触力和摩擦力对单晶铜基体内失效原子变化情况.研究表明:当压头下压位移为0.9 nm时,由于半球形压头比圆锥形压头底部表面积大,导致半球形压头与基体之间的引力更大而更易产生黏着接触现象.在下压接触过程中,与半球形压头相接触的基体内出现位错原子长大成位错环,而与圆锥形压头相接触的基体未出现此位错环现象,但位错原子数均随压深的增加而增多;在滑动过程中,因半球形压头对基体的摩擦力和法向力比圆锥形压头对基体的摩擦力和法向力大,使得半球形压头比圆锥形压头正前方堆积的位错原子数多,但均随滑动距离的增加而增多. 相似文献
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