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应用ICP-MS检测转Bt基因玉米中重金属含量 总被引:24,自引:13,他引:11
随着转基因食品的推广应用,人们越来越关心其食用安全性。以转基因玉米及其亲本为实验材料,借助于ICP-MS对转基因玉米及其亲本中重金属进行了测定。结果显示,外源基因的整合导致了转基因玉米重金属(Ni,Cu,Cd,As,Cr,Zn和Hg)含量显著低于亲本对照,两对转基因抗虫玉米及其亲本对比结果相似;但是有的重金属(V,Co,Pb)含量与对照相比变化没有明显规律。这些结果说明转Bt基因玉米籽粒中重金属含量会受到Bt基因的影响,但是影响的方向和机理上不清楚,所以转基因技术如果控制不严可能会对玉米的食用安全性产生不良影响,转基因植物的推广应用应当严格审查。具体发生上述变化的原因尚需要进一步研究。 相似文献
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氨是重要的化工产品之一,广泛应用于化肥和燃料生产等领域.目前我国仍采用传统的Haber-Bosch工艺合成氨,该工艺消耗大量的化石燃料并造成环境污染.因此,开发一种高效、环保的氨合成方法代替Haber-Bosch工艺,减少能源消耗和保护环境具有非常重要的意义.电化学氮还原(eNRR)工艺由于使用可再生能源,成为有前景的替代方法之一.但目前eNRR工艺面临着许多挑战:较大的过电位以及析氢反应都会导致氨合成反应性能不理想.因此,理性设计电催化剂以提高氨合成效率成为当务之急.本文总结了近年e NRR领域的最新进展,以期为开发高性能催化剂提供借鉴.本文从eNRR的反应机理入手,介绍了eNRR的检测方法和反应条件,总结了近年来电催化剂的设计策略、原位表征方法和理论计算的研究成果,并对领域未来发展进行展望.首先,从理论热力学和NH3检测等方面讨论了eNRR的关键难点.然后,从形态、结构、空位、掺杂、协同效应、异质结构和单原子等多方面总结了eNRR催化剂的设计策略.此外,介绍了原位拉曼、原位红外、原位电化学质谱和原位X射线吸收光谱等技术在电催化氮还原机理研究中的重要作用.讨论了密度泛函理论(DFT)... 相似文献
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采用室温共沉淀、分步沉淀和共沉淀、分步沉淀水热法制备了Ce0.6Zr0.3Pr0.1O2纳米复合氧化物。X射线衍射(XRD)、N2物理吸附、透射电镜(TEM)、H2程序升温还原(H2-TPR)和热重分析技术(TG)表征结果表明:分步沉淀水热法有利于锆离子和镨离子进入CeO2晶格和提高Ce0.6Zr0.3Pr0.1O2纳米复合氧化物的热稳定性、氧化还原性能和储释氧性能。制备过程中未加入任何表面活性剂,1000℃焙烧4 h后,其晶粒尺寸可控制在8~15 nm,比表面积仍能保持在66 m2·g-1,释氧量维持在1713μmol[O]·g-1CeO2。 相似文献
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提出了一种实现大行程飞秒激光脉冲对相位控制的方法。其设计思想是:在迈克耳孙干涉仪中,利用改变激光偏振态的方法改变输出两光束的光程差因子。在对He-Ne激光输出的两束光实现相位锁定的基础上,进而提出了一种可对于超短激光双脉冲相对相位差实现超大行程控制的方法。对He-Ne激光的动态相位锁定、以及飞秒激光脉冲对的相对相位差控制分别作了实验验证。对He-Ne激光的静态相位锁定结果表明干涉仪两臂光程差可以控制在纳米精度;而飞秒激光脉冲测量自相关曲线与理论拟合结果非常接近,经傅里叶变换可得到较好的单峰谱图。该系统能够在实验范围中几乎无行程限制地实现飞秒激光脉冲对的相对相位动态稳定控制。 相似文献
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A Flip-Chip AlGaInP LED with GaN/Sapphire Transparent Substrate Fabricated by Direct Wafer Bonding 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
A red-light AIGalnP light emitting diode (LED) is fabricated by using direct wafer bonding technology. Taking N-GaN wafer as the transparent substrate, the red-light LED is flip-chiped onto a structured silicon submount. Electronic luminance (EL) test reveals that the luminance flux is 130% higher than that of the conventional LED made from the same LED wafer. Current-voltage (I- V) measurement indicates that the bonding processes do not impact the electrical property of AIGalnP LED in the small voltage region (V 〈 1.5 V). In the large voltage region (V 〉 1.5 V), the I-V characteristic exhibits space-charge-limited currents characteristic due to the p-GaAs/n-GaN bonding interface. 相似文献
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boldmath B3Σu-–X3Σg- transition in selenium dimer: ab initio multireference configuration interaction calculations 下载免费PDF全文
Theoretical investigation of low-lying electronic states and B3Σu-–X3Σg- transition properties of selenium dimer using size-extensivity singly and doubly excitation multireference configuration interaction theory with nonrelativistic all-electron basis set and relativistic effective core potential plus its split valence basis set is presented in this paper. The spectroscopic constants of ten low-lying Λ-S bound states have been obtained and compared with experiments. Spin-orbit calculations for coupling between B3Σu- sates and repulsive 1Πu, 5Πu states have been made to interpret the predissociation mechanisms of the B3Σu- state. The lifetimes of B3Σu- (v=0~6) have been calculated with scalar relativistic effects included or excluded, respectively, and reasonably agree with experimental values. 相似文献
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Bt玉米中微量元素锂、硒、钼、铬含量测定 总被引:1,自引:0,他引:1
随着转基因食品的推广应用,人们越来越关心其食用安全性。以转Bt基因玉米及其亲本为实验材料,借助于ICP-MS对其中人体必需的微量元素锂、硒、钼和铬进行了测定。结果显示,外源基因的整合导致了锂、硒、钼和铬含量减少,这对玉米的营养价值非常不利;特别是转Bt基因玉米中硒和钼,成倍减少。这些结果说明转基因技术如果控制不严可能会对玉米的食用安全性产生不良影响,转基因植物的推广应用应当严格审查。转Bt基因玉米吸收上述微量元素减少的原因尚需进一步研究。 相似文献