圆柱方势阱的解在造原子理论中的应用

使用圆柱方势阱计算了含有一个电子的类圆柱形原子的电子态结构。计算结果表明，在一定条件下，这个造原存在束缚态。     

低温胁迫下PQQ对黄瓜幼苗子叶防御系统的影响

报道了低温胁迫下吡咯喹啉醌（ＰｙｒｒｏｌｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅＱｕｉｎｏｎｅ，ＰＱＱ）对黄瓜幼苗子叶超氧化物岐化酶（ＳＯＤ），抗坏血酸过氧化物酶（ＡｓＡＰＯＤ）和谷胱甘肽（ＧＳＨ）含量的影响，并与常规的外源活性氧清除剂８－羟基喹啉（８－ＨＱ），抗坏血酸（ＡｓＡ）进行了比较．结果表明，ＰＱＱ能提高ＳＯＤ，ＡｓＡＰＯＤ活性，增加ＧＳＨ含量．缓解电解质泄漏，减缓质脂过氧化作用．ＰＱＱ可作为活性氧清除剂，调节生物体内自由基代谢平衡，提高植物的抗逆性．     

人造氦分子能谱的近似计算

给出了均匀磁场中相距为d的两个双电子园盘量子点构成的人造氦分子的能级结构,讨论了能级随d,ω0(谐振圆频率)及B(外磁场强度)变化的情况.     

在小硅化物SiXm（X—H，F，Cl；m＝1─4）中平衡几何和振动频率的从头算研究

本文使用分子轨道从头算方法，在ＨＦ／６—３１Ｇ和ＭＰ２／６—３１Ｇ“水平下，计算了小硅化物ＳｉＸｍ的平衡几何和谐振子振动频率。理论值和实验值的比较表明，对于ＳｉＨｍ分子，实验的键长位于ＨＦ键长和ＭＰ２键长之间，而ＭＰ２振动频率更接近于实验的振动；率。对于ＳｉＣｌｍ分子，无论是键长还是振动频率ＨＦ值和ＭＰ２值都比较接近。对于ＳｉＦｍ分子，处于这两类的中间情况。关联作用随着Ｘ原子的原子序数的增加而减弱。     

圆柱形人造原子的能级结构及电子几率密度分布

通过求解定态薛定格方程得到了园柱形人造原子的能级结构,进而求出了电子几率密度的分布。计算结果表明,电子被束缚在园柱内的条件与位阱深度Ｖ０及园柱的园柱的结构参数有关。当园柱的高ｈ＝４．００ｎｍ,半径α＝２．７５ｎｍ时,要求Ｖ０≥４．７４ｍｅＶ。在ｚ－轴方向上的电子几率密度分布是以ｈ／２为对称中心周期震荡,并且柱体内外的电子几率的大小是可比较的;而在ｘ－ｙ平面上的电子几率密度分布类似于氢原子,并且柱外     

用丹磺酰氯定性鉴定吡咯喹啉醌

建立了用丹磺酰氯定性鉴定吡咯喹啉醌的薄层色谱法. 甲基营养菌 No.2 培养液经二乙氨基乙基交联葡聚糖凝胶 A-25离子交换剂、 Sep-Pak C18 Cartridge 纯化后,可获得纯度92%以上的吡咯喹啉醌(PQQ)粉末. 在碱性条件下丹磺酰氯(DNS-Cl)可与 PQQ 生成具有特征性的 DNS-N-PQQ 荧光衍生物, 将其点样于聚酰胺薄膜上, 经正庚烷-正丁醇-醋酸(体积比3∶3∶1)系统展开, Rf值为0.73.     

M2As-和M2Br+(M=Cu,Ag,Au)的赝势从头算研究

使用赝势在HF和MP2水平上计算了M     

吡咯喹啉醌(PQQ)合成基因对PQQ产量的影响

将携带新辅基吡咯喹啉醌合成基因的克隆载体pRK310 经三亲本杂交,分别导入M.extorquens.AM1 及其突变体3b 和D2 中,可不同程度增加pqq 基因的拷贝数. 在基因复制水平构建了8 个工程菌,使PQQ产量提高了0.84～5.6 倍. 结果表明,结构上成簇的pqq 基因在功能上是密切相关、协调作用的,单个或部分pqq基因对PQQ合成的贡献是有限的,pqq 基因之间的比例和相互作用对PQQ 的合成量是有重要意义的.pqq 基因簇中起转录衰减作用的反向重复序列可能是pqq 基因正常转录所必需的.     

二甲基硅硼烷,o-(SiMe)_2B_(10)H_(10),振动光谱的理论研究

本文利用高斯 94从头计算程序在 6- 31 G基组下对二甲基硅硼烷 ,o- (Si Me) 2 B1 0 H1 0 ,进行几何优化及振动光谱的理论计算 ,并对主要谱带特性进行指认 ,结果与实验基本符合。振动模式分析表明 450 cm-1 以下的两个强带中 32 6cm-1 (计算值为 369cm-1 )似乎是两个 Si原子相对笼骨架中其余 B原子整体的伸缩振动 ,而 399cm-1 (计算值为 42 1 cm-1 )则为 Si- Si(及其联带的 C原子一起参与的 )对称伸缩振动。优化几何及振动光谱的研究表明重的杂原子硅占据二十面体硼笼骨架位置后使笼结构的刚性弱化     

水平层状介质中任意方向磁偶极子的电磁场分布

将水平层状介质中的任意方向磁偶极子分解成水平磁偶极子(HMD)和垂直磁偶极子(VMD),给出了将VMD和HMD产生的波分解为电场矢量垂直于入射面的线形极化波(EV波)和平行于入射面的线形极化波(EP波)的方法.通过分别研究这两种波在各层介质中的反射和透射规律,导出确定各介质层中电磁波的递推公式,从而得到了任意介质层中电磁波的解析表达式.