The difference in noise property between the Autler-Townes splitting medium and the electromagnetically induced transparent medium

The quantum noise of squeezed probe light passing through an atomic system with different electromagnetically induced transparency and Autler-Townes splitting effects is investigated theoretically.It is found that the optimal squeezing preservation of the outgoing probe beam occurs in the strong-coupling-field regime rather than in the weakcoupling-field regime.In the weak-coupling-field regime,which was recently recognized as the electromagnetically induced transparency regime(Abi-Salloum T Y 2010 Phys.Rev.A 81 053836),the output amplitude noise is affected mainly by the atomic noise originating from the random decay process of atoms.While in the strong-coupling-field regime,defined as the Autler-Townes splitting regime,the output amplitude noise is affected mainly by the phase-toamplitude conversion noise.This is useful in improving the quality of the experiment for efficient quantum memory,and hence has an application in quantum information processing.     

GdCOB晶体的坩埚下降法生长

本文报道了非线性光学晶体Ca4GdO(BO3)3(GdCOB)的垂直Bridgman法生长.已获得直径25mm的高质量单晶.生长界面处的纵向温度梯度维持在30～40℃/cm,生长速度0.2～0.8mm/h.GdCOB晶体为二维成核的层状生长机制,易出现(111)及(20)解理面.讨论了影响生长的因素.保证原料配比准确和混料充分,减小温度波动和测温误差等是成功生长GdCOB晶体的重要因素.     

声表面波用压电晶体的新进展

报道了我们在Li2B4O7、Sr3Ga2Ge4O14、LiNbO3、LiTaO3等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展.采用改进型坩埚下降法成功生长了直径3～4英寸的Li2B4O7晶体,并实现了批量生产.作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一,Sr3Ga2Ge4O14晶体具有最大的压电系数.报道了直径2英寸Sr3Ga2Ge4O14晶体的生长结果,测试了该晶体的压电性能.在CO2(90;)、H2(10;)混合气氛中,分别在700℃和450℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理,成功制备了3英寸LN和LT低静电黑片,不仅减少了器件制作工序,而且使成品率提高了5～8百分点.此外,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3晶体,观察到一些新的现象.     

纳米稀土对复合材料中超细粒子团聚现象的抑制(Ⅰ)--超细金属铜粉团聚现象及其团聚成因

应用纳米粒子进行复合材料的改性, 其关键和核心技术之一是要解决纳米粒子的在复合材料体系中的团聚问题.通过对超细的金属铜粉改性聚四氟乙烯中金属粒子的团聚性现象的分析和认识, 揭示了超细粒子团聚性的共性和工艺中的特殊性; 同时研究表明, 仅通过偶联剂对超细粉体粒子表面进行处理的修饰方法解决纳米粒子的团聚性, 其作用是有限的.     

配位场稳定化能的计算及其应用实例

配位场理论在解释配合物的热力学,立体化学以及动力学等性质时都要用到配位场稳定化能(LFSE)的概念。前人的文献只研究了正八面体,正四面体或者个别低对称性配合物的配位场稳定化能。如果要系统地研究配合物的构型优先化,推断配合物取代反应的历程,只有上述特殊构型配合物的配位场稳定化能是不够的。为此本文计算了二十三种常见构型配合物的d~1-d~(10)体系的配位场稳定化能。     

假四面体(C2v)钴(Ⅱ)配合物电子光谱的强场处理

钴(Ⅱ)的假四面体(C_(2v))配合物 CoL_2X_2的配体场光谱一般显示出两组谱带,分别对应于基态~4A_2对两个~4T_1谱项的三个低对称性分量~4B_1,~4A_2和~4B_2的跃迁。前人对这类光谱的处理多采用弱场近似,模型多采用点电荷模型,结果得到的跃迁能和实测值相差较大。Menzel等指出:简单点电荷模型的固有弊病使得它不可能对此类共价配合物的光谱作出理想的处理。他们对点电荷模型作了适当的修改,应用弱场近似取得了满意的结果。本文应用强场近似处理这类配合物的光谱,和修改的点电荷模型相比较我们的结果更为满意。     

配体场强场近似的酉群计算及程序化

以立方体场为例,介绍了配体场强场近似中的酉群计算方法.按这一方法设计的计算机程序需输入内存的数据少,计算速度快.最后产生的本征函数可用于配合物磁学性质的计算.     

钴(Ⅱ)(C_(2v))配合物电子光谱的强场处理及AOM参量计算

应用强场近似拟合了10个假四面体Co(Ⅱ)(C_(2γ))配合物的配体独场光谱,由拟合得到的单电子矩阵元得到了各个配体的AOM参量。结果说明各配体的AOM参量同该配体与金属离子之间的配键强度相关。     

MRCI及其近似方法下C2分子X1∑+g, B1△g和B'1∑+g态的势能曲线

运用MRCI及其近似方法计算得到C2分子X1∑+g,B1△+g,和B'1∑+g 3个电子态的势能曲线,并以FCI方法为基准,考察比较各种方法的优缺点.MRCI计算与FCI计算几乎不存在差别,在FCI计算不现实的情况下,MRCI计算足以作为基准考验其他计算方法.多种近似方法均能达到化学精度,并提出一个有效的选择参考组态的方法,提高MRCI计算效率的同时,保证计算的精确性.