首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3068篇
  免费   1898篇
  国内免费   1232篇
化学   1545篇
晶体学   129篇
力学   378篇
综合类   86篇
数学   355篇
物理学   3705篇
  2024年   21篇
  2023年   106篇
  2022年   121篇
  2021年   130篇
  2020年   117篇
  2019年   115篇
  2018年   104篇
  2017年   123篇
  2016年   131篇
  2015年   166篇
  2014年   275篇
  2013年   285篇
  2012年   298篇
  2011年   246篇
  2010年   238篇
  2009年   295篇
  2008年   299篇
  2007年   267篇
  2006年   301篇
  2005年   337篇
  2004年   283篇
  2003年   258篇
  2002年   208篇
  2001年   178篇
  2000年   159篇
  1999年   129篇
  1998年   142篇
  1997年   121篇
  1996年   122篇
  1995年   94篇
  1994年   101篇
  1993年   69篇
  1992年   71篇
  1991年   101篇
  1990年   97篇
  1989年   46篇
  1988年   18篇
  1987年   10篇
  1986年   6篇
  1985年   3篇
  1984年   3篇
  1983年   2篇
  1982年   2篇
排序方式: 共有6198条查询结果,搜索用时 14 毫秒
21.
三维光晶格中玻色凝聚气体基态波函数及干涉演化   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
徐志君  程成  杨欢耸  武强  熊宏伟 《物理学报》2004,53(9):2835-2842
基于Gross-Pitaevskii方程,运用有效化学势概念,研究了囚禁在组合势(由磁阱和三维光 晶格组成)中玻色凝聚气体在三维光晶格中的分布规律,并由此得到玻色凝聚气体的归 一化基态波函数.在取消组合势和仅取消光晶格而保留磁阱的两种情况下,运用传播子方 法求解出玻色凝聚气体密度分布的解析表达式.取消组合势后,理论计算所得到的玻色凝聚 气体聚随时间的演化规律与Greiner等的实验结果相一致.仅取消光晶格而保留磁阱时,研 究表明玻色凝聚气体的干涉模式呈现周期性的振荡行为.此外,在磁阱为各向异性的情况下 , 关键词: 玻色凝聚气体 磁阱 光晶格 干涉模式  相似文献   
22.
史庆藩  郑俊娟  王琪 《物理学报》2004,53(10):3535-3539
基于Safonov和Yamazaki所发展的激励自旋波非线性辐射衰减的理论[J. MMM. 161 (1996 ) 275], 考虑磁激子与磁激子以及磁激子与光子的两种非线性相互作用过程,计算了微波谐振腔Q值对磁激子振幅不稳定态阈值的影响,结果与实验数据基本一致. 关键词: 磁激子 谐振器 铁磁体  相似文献   
23.
采用高温热解法 ,以乙二胺为前驱液 ,在沉积有铁催化剂的p型硅 (1 1 1 )基底上制备出了定向生长的CNx 纳米管 .利用扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和拉曼光谱对CNx 纳米管进行了形貌观察和表征 .CNx 纳米管的高度在 2 0 μm左右 ,直径在 5 0— 1 0 0nm之间 ,具有明显的“竹节状”结构 ,结晶有序度较差 .对CNx 纳米管薄膜进行低场致发射性能测试 :外加电场为 1 4V μm ,观察到 2 0 μA cm2 发射电流 ,外电场升至 2 5 4V μm时发射电流达到1 2 80mA cm2 ,在较高外电场下 ,没有发现电流“饱和” .这比相同实验条件下改变前驱液制备出的碳纳米管和硼碳氮纳米管的场发射性能优越 .还在“竹节状”结构的基础上对CNx 纳米管的场致电子发射机理进行了讨论  相似文献   
24.
通过研究(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMNT)单晶在不同方向、不同组分下高场致应变的特性,确定了〈001〉取向PMNT单晶(29%≤x≤31%)为制作层叠式驱动器的最佳组分范围,这组分的单晶具有高场致应变、低滞后而且性能较稳定的特点.研究结果表明,在保证应变曲线的线性和低滞后的前提下,将近-2kV/cm的负电场能够运用于〈001〉方向的PMNT晶体上. 40层(每片晶片尺寸为7mm×7mm×0.7mm)PMNT层叠式驱动器在电场 -1.5-10kV/cm的驱动下,可以获得38.1μm的纵向位移,负载40N的重量后,位移量减为34μm.  相似文献   
25.
 信息化时代随着计算机技术的普及来到我们面前,其突出表现是信息总量和信息交换的剧增,因此,发展海量存储技术日趋重要。随着信息及计算机技术的不断发展,对其作为主要工具的记录媒体的需求越来越大,要求越来越高。记录媒体中大多数磁盘、磁光盘、光盘是以相关靶材磁控溅射而成的,因此,为满足信息记录媒体的高密度化、小型化和低价格化,需要对其相关靶材的成分、制造工艺、性能和溅射工艺做进一步研究。目前,随着新材料的开发和记录媒体的发展,磁光盘、光盘用靶材市场在不断增长。尤其近几年CD、VCD、DVD市场的迅速扩大,其相关靶材的前景也日益被看好。  相似文献   
26.
利用爆磁压缩发生器产生高功率脉冲高电压   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 爆磁压缩发生器产生脉冲高电压技术可以用于产生高功率微波及强电磁脉冲的实验研究。给出了利用螺旋型爆磁压缩发生器(HEMG)驱动电爆炸丝功率调节系统产生高功率脉冲高电压的实验方法和主要的结果。在利用HEMG驱动电爆炸丝断路开关(EEOS)产生脉冲高电压实验中,获得了最高电压700~800kV,功率大于20GW的脉冲输出。  相似文献   
27.
 将爆磁压缩等效为电流源的方法,对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析,得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形(简称负载电流)为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数,脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比,负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间,斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间,从而可能增加充电电压的幅值,提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。  相似文献   
28.
A sample of La0.833K0.167MnO3-SrTiO3 (LKMO/STO) is fabricated by the sol-gel method. The microstructure,magnetic and transportation properties have been studied. X-ray diffraction patterns indicate that the structure of LKMO/STO is a homogeneous solid solution phase. The resistivity of LKMO/STO shows the insulator behaviour, which is different from La0.833K0.167MnO3 (LKMO) whose resistivity shows metal-insulator transition with decreasing temperature. The low-field (moH = 0.02 T) magnetoresistance decreases from 11% to 0.2% with the increasing temperature from 4 K‘to 220K for the LKMO/STO sample. The magnitude of magnetoresistance in a strong field (μoH = 5.5 T) almost increases linearly with decreasing temperature and reaches the maximum of 65% at the low temperature of 4.2K, which is much higher than that oE LKMO (40%). The enhanced low-field magnetoresistance effects are quantitatively explained by the spin-polarized tunnelling at grain boundaries.  相似文献   
29.
王九庆  方守贤 《中国物理 C》1998,22(12):1156-1163
探讨了设计负动量压缩因子(αp<0)的正负电子对撞机储存环磁聚焦结构的可行性及方法.作为应用实例,说明了设计αp<0的τ–粲工厂磁聚焦结构的可能性.  相似文献   
30.
本文首先推导了完全导电流体内运动学磁拱无力场的基本方程,接着考虑了静态解和不定常相似性解.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号