用软刻蚀方法制备PbS纳米晶复合聚丙烯酸微图形

PbS microstructures have several applications such as Pb2+ion-selective sensors and IR detector.The method to prepare PbS nanocrystal embed in poly(acrylicacid) (PAA) microstructures produced by means of soft lithography and solid state polymerizatio n by γ-ray irradiation was described. PbS micro patterns were prepared by Micro molding in Capillaries (MIMIC) with aqueous solution of acrylic acid lead monomer, and then solid state polymerized by γ-ray irradiation. Finally, the sample was treated with aqueous solution of Na2 Stoconvert the Pb2+ to PbS in the matrix. High-resolution micro structures of PAA, which have PbS nanocrystals embedded in them, could be produced successfully in this way. The final products were characterized by TEM, XRD, and XPS. TEM image indicated that the PbS particles embedded in PAA had a diameter of smaller than 20nm. X-ray powder diffraction method was also used to characterize the PbS/PAA nanocomposite film. The XPS analysis showed the element Pb has been converted to PbS nanoparticles in the composite films.     

用软刻蚀方法制备PbS纳米晶复合聚丙烯酸微图形

利用软刻蚀方法制备了包裹有硫化铅纳米颗粒的聚丙烯酸微图形 .首先通过毛细微模塑法制备了丙烯酸铅的微条纹 ,并使之在γ射线引发下固态聚合 ,最后用硫化钠溶液处理聚合物微条纹 ,将铅离子转化为包埋在聚合物体系中的硫化铅颗粒 ,得到了包裹有硫化铅纳米颗粒的高清晰度的聚丙烯酸微图形 .利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱仪 (XPS)、透射电镜 (TEM)对其结构和性质进行了表征 .结果表明包埋在聚合物体系中的PbS颗粒直径小于 2 0nm .     

PbS纳米棒束的水热合成与表征

以乙酸铅和硫脲为主要原料,十二烷基磺酸钠和十六烷基三甲基溴化铵为表面活性剂.在120℃反应12 h.水热法制备了PbS纳米棒束.并利用X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨电子显微镜(HRTEM)等手段对产物进行了表征.实验结果表明:产物为立方结构的PbS单晶纳米棒所组成的纳米棒束.考察了乙酸铅和硫脲的摩尔比以及反应温度对合成产物的影响,发现当乙酸铅和硫脲的摩尔比为1∶1时,得到大量的PbS纳米棒束,并初步探讨了其形成机理.     

纳米粒子的电容

纳米粒子的电容对由纳米点陈列所形成的单电子器件是一个十分重要的参数。基于少体理论，提出了计算纳米粒子量子点充电电容的理论模型，由此可以预测出室温下出现库仑台阶等单电子现象的最大纳米粒子粒径。采用简谐势模型计算模拟了ＣｄＳ、ＰｂＳ半导体纳米粒子的充电电容，发现ＣｄＳ、ＰｂＳ纳米粒子的尺寸上限为１１与５ｎｍ。理论计算结果与实验相吻合。     

简易、可控制备硫化铅纳米带

以硝酸铅和硫代乙酰胺为前体,十二烷基苯磺酸钠（SDBS）扮演了前体和表面活性剂的双重角色,制备出硫化铅纳米带。 采用透射电子显微镜、X射线衍射和光致发光对所制备的纳米带进行了表征。 结果表明,中间产物PbSO4在水热条件下对PbS纳米带的进一步形成主要起到模板作用。 进一步考察了纳米带形成机理,结果表明,中间产物PbSO4对表面活性剂是有制约性的,而当改变中间产物保持条件不变的情况下,模板效应失控,只能得到不规则的微晶体。 实验结果表明,制备硫化铅纳米带反应速度较为缓慢,易于控制,为制备不同形貌纳米带提供了一种有效方法。     

球状、立方状及空心立方状PbS纳米晶的控制合成及其形成机理

以醋酸铅为铅源,硫代乙酰胺为硫源,在表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)共同作用下,通过简单地调节水热反应的反应温度控制合成出球状、立方状和空心立方状PbS纳米晶。利用XRD、TEM对合成产物的结构和形貌进行了表征,发现合成的球状、立方状和空心立方状PbS纳米晶尺寸均一,直径为100 nm左右。对球状、立方状和空心立方状PbS纳米晶的形成机理进行了初探,结果表明反应温度较低时,水热反应初始阶段形成的PbS小颗粒呈球形,在表面活性剂SDS的烷基链模板和CTAB微胶束软模板共同作用下生成球状PbS纳米晶;反应温度较高时,水热反应初始阶段形成的PbS小颗粒由于自身的立方相岩盐晶体结构的影响有呈立方状趋势,在SDS和CTAB共同作用下产物堆积成空心立方体状或立方状。     

超声法制备硫化铅/二氧化硅核壳结构亚微米粒子

0 引言 纳米微粒具有的小尺寸效应,表面效应、量子尺寸效应及宏观量子隧道效应等导致纳米粒子的热、磁、光、敏感特性和表面稳定性等不同于常规粒子,这就使得它具有广阔的应用前景.     

两步退火法对硫化铅薄膜光电性能的影响

采用先低温O₂气氛退火,后高温N₂气氛退火的两步退火法工艺,探究了两步退火法对化学浴沉积(CBD)制备的多晶硫化铅(PbS)薄膜光电性能的影响。结果表明,相比于一步退火法,两步退火法所得的PbS薄膜具有较大的晶粒尺寸、较少的晶界和良好的光电性能。在两步退火法中,当第二步退火时间为80 min时,PbS薄膜的响应度为2.33 A·W^-1,比探测率为1.18×10¹⁰ cm·H^1/2·W^-1,与一步退火法相比分别提高了259%和236%,即两步退火法可以在传统一步退火法的基础上进一步提高PbS红外光电探测器的性能。     

Triton X-100/C10H21OH/H2O体系层状液晶中超微粒子材料PbS的合成

将Pb(NO3)2和Ns2S分别溶于Triton X-100/C10H21OH/H2O体系层状液晶溶剂层中, 混和即可在溶剂层中生成PbS粒子, 并以层状液晶中溶剂层厚度的大小, 限定所合成PbS粒子的尺寸小于10nm, 改变有关组分含量对PbS超微粒子大小无显著影响, 所合成PbS超微粒子的平均粒径均小于10nm.     

PbS/RL~2(NCS)~2复合敏化SnO~2纳米多孔膜电极的光电化学研究

用光电化学方法和UV-vis吸收光谱研究了PbS和Rul~2(NCS)~2(L=2,2'--bipydine--4,4'-dicarboxylicacid)复合敏化SnO~2纳米晶多孔膜电极的光电化学行为.实验表明,复合敏化比用PbS或RuL~2(NCS)~2分别单独敏化的效果好,不仅使电极的光吸收拓展到可见光区,而且复合敏化显著提高了光电转换效率,并讨论了复合敏化电极的电荷传输机理。