| 纳米粒子的电容 |
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| 引用本文： | 周继承,何红波,李义兵.纳米粒子的电容[J].化学物理学报,2000,13(6):689-693. |
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| 作者姓名： | 周继承 何红波 李义兵 |
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| 作者单位： | 中南大学铁道校区材料研究所,长沙 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.69870227, 69971007)与霍英东基金资助项目 |
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| 摘 要： | 纳米粒子的电容对由纳米点陈列所形成的单电子器件是一个十分重要的参数。基于少体理论，提出了计算纳米粒子量子点充电电容的理论模型，由此可以预测出室温下出现库仑台阶等单电子现象的最大纳米粒子粒径。采用简谐势模型计算模拟了ＣｄＳ、ＰｂＳ半导体纳米粒子的充电电容，发现ＣｄＳ、ＰｂＳ纳米粒子的尺寸上限为１１与５ｎｍ。理论计算结果与实验相吻合。
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| 关 键 词： | 少体理论 纳米粒子 电容 硫化镉 硫化铅 半导体 |
| 收稿时间： | 2000/5/17 0:00:00 |
The Capacitance of Nanoparticles |
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| Zhou Jicheng,He Hongbo and Li Yibing.The Capacitance of Nanoparticles[J].Chinese Journal of Chemical Physics,2000,13(6):689-693. |
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| Authors: | Zhou Jicheng He Hongbo and Li Yibing |
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| Keywords: | |
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