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1引言 用荧光光度法测定地表面中有机物的总发光强度来判断地下石油的分布情况。作者通过对大西北某沙漠地区2000多个样品(1.8m深处的岩石或土壤)的荧光光谱分析。着重探讨了严重干扰样品荧光光谱测定的诸种因素,并寻找了消除其干扰因素的方法。本方法采用石油醚处理样品,固定激发波长为265.0nm,荧光扫描范围:233.0nm至500.0 nm。2实验部分2.1主要仪器和试剂RF-540荧光分光光度计(日本岛津公司)。经3.2(1)处理后的石油醚,分析纯。2.2样品处理取某沙漠地下 1.8 m深处的土壤或… 相似文献
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嵌段共聚物溶致液晶相中水的2H-NMR动力学分析 总被引:3,自引:1,他引:2
采用D2O 的2H-NMR线型和弛豫分析了PEO-PPO-PEO/D2O/对二甲苯体系的层状和六角液晶相的动力学行为. 通过实验测得了两个不同体系的自旋 晶格弛豫时间T1、自旋-自旋弛豫时间T2和2H-NMR 谱. 2H-NMR 谱均为具有四极劈裂的粉末谱线型,且在谱图的中心,βLD=54.7°时存在一个倒峰. 倒峰的出现直接表明引起体系中弛豫的主要动力学过程处于极窄化区域. 采用NMR弛豫模型,通过调节动力学参数,使理论模拟的2H-NMR谱、弛豫时间、倒峰的大小与实验的对应量相吻合,求得了体系的动力学参数. 相似文献
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ZnO/A1lN/Si(111)薄膜的外延生长和性能研究 总被引:3,自引:2,他引:1
用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜.引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配.薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(111)、ZnO(000l)及AlN(000l)的衍射峰.ZnO/AlN/Si(111)薄膜C方向晶格常量为0.5195 nm,表明在面方向处于张应力状态;其对称(0002)面和斜对称(1012)面的双晶X射线衍ω摇摆曲线半峰全宽分别为460"和1105";干涉显微镜观察其表面有微裂纹,裂纹密度为20 cm-1;3 μm×3μm范围的原子力显微镜均方根粗糙度为1.5 nm激光实时监测曲线表明薄膜为准二维生长,生长速率4.3μm/h.低温10 K光致发光光谱观察到了薄膜的自由激子、束缚激子发射及它们的声子伴线.所有结果表明,采用金属化学气相沉积法并引入AlN为缓冲层能有效提高Si(111)衬底上ZnO薄膜的质量. 相似文献
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27.
一种白光有机电致发光器件的制备 总被引:11,自引:4,他引:7
通过对器件结构的优化设计,提高了白光电致发光器件中蓝光成分的发光效率,从而得到了一种较为理想的有机白光电致发光器件。驱动电压为5V时,电流密度J=0.5mA/cm^2,器件的效率达到最大,流明效率为1.92 lm/W,此时器件的发光亮度接近20cd/m^2。色坐标为(x=O.317,y=0.328)。非常接近白光等能点.是色度很好的白光。并且在很大范围内,色度随器件的驱动电压或电流变化不大,当驱动电压变化至15V时。f=232mA/cm^2,色坐标变化至(x=0.338,y=O.353)。在电压为22V时,器件的亮度达到最大,为17 000cd/m^2。此外器件结构相对简单。器件制备的可重复性得到很大程度的改善。 相似文献
28.
马文卿 《数理统计与应用概率》1997,12(4):343-349
本文研究奇异线性模型的假设检验问题,我们用初等直接的方法了根据最小二乘统一理论所构造的检验统计量服从F分布,并给出了这些结果在panel数据模型。两级抽样回归模型以及不完全数据回归模型中的应用。 相似文献
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Doping in the Mixed Layer to Achieve High Brightness and Efficiency Organic Light Emitting Devices 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Doping in the mixed layer was introduced to fabricate high brightness and high efficiency organic light emitting devices.In these devices,a copper phthalocyanine(CuPc) film acts as the buffer layer,a naphthylphenybiphenyl amine (NPB) film as the hole transport layer and a tris(8-hydroxyquinolinolate) aluminium (Alq3) film as the electron transport layer.The luminescent layer consists of the mixture of NPB,Alq3( to be called the mixed layer),and an emitting dopant 5,6,11,12-petraphenylnaphthacene (rubrene),where the concentration of NPB declined and the concentration of Alq3 was increased gradually in the deposition process.Adopting this doping mixed layer,the device exhibits the maximum emission of 49300cd/m^2 at 35V and the maximum efficiency of 7.96cd/A at 10.5V,which have been improved by two times in comparison with conventional doped devices.We attribute this improvement to the effective confinement of carriers in the mixed layer,which leads to the increase of the recombination efficiency of carriers. 相似文献
30.
Lw^p空间中引入了一种K-泛函并由此建立了一种以第一类Chebyshev多项多的零点为结点的三种修正高阶Hermite插值及一种修正的高阶Hermite-Fejer插值多项在Lw^p空间中逼近的正逆定理。 相似文献