纳米SiO2浆料中半导体硅片的电化学腐蚀研究

采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能.结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为.随pH值增加、温度提高和磨粒固含量降低,其腐蚀电流增大,交流阻抗减小,硅片腐蚀较易进行;微量金属杂质离子的存在也会加速硅片的腐蚀.     

钙基废弃物对生物质吸附增强式气化制氢特性的影响研究

为了提高生物质气化制氢效率，综合利用工业固废资源，利用钙基废弃物——电石渣作为CO₂吸附剂，在两段式固定床上探究了钙基废弃物的添加量、反应温度对生物质气化制氢特性的影响，着重研究了吸附剂在实际应用中的循环吸附性能，并以此探讨了电石渣对生物质吸附增强气化的影响机制。结果表明，随着电石渣添加量的逐渐增加，H₂产量和含量都呈现出增加的趋势。而随着温度的升高，H₂产量和含量先增加后减小。当CaO/C物质的量比为1，重整段温度为700℃时，气体产物中的H₂产量和含量为154.34 m L/g(生物质)和26.76%，获得最大值。当电石渣循环次数小于5时，H₂的含量和产量相较于初次反应都有所增加。