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采用基于密度泛函理论的第一原理方法,计算了LiBH4-X(X=O,F和Cl)体系的晶体与电子结构及解氢性能.生成热和H原子解离能的计算结果表明:O原子掺杂优先占据LiBH4间隙位,F置换氢原子位,而Cl则取代BH4单元;O,F和Cl掺杂的LiBH4体系结构稳定性发生变化,其中O提高体系解氢效果明显,而F和Cl掺杂受H原子区域环境的影响.态密度、Mulliken电子占据数和电子密度的分析结果表明:B—H之间较强的共价键是LiBH4结构稳定、解氢困难的电子结构根源,O,F和Cl对LiBH4解氢能力影响主要是掺杂改变了H的s态与B的sp态的杂化特性、以及BH4单元与Li的成键作用. 相似文献
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将Chen混沌映射和位平面交换策略结合在一起,构建了一种全新的图像加密方法.首先,基于Chen映射构造X、Y、Z三个方向上的混沌序列.其次,分别在第一、三、五次加密过程中用三个Chen序列对图像施加混沌映射,在第二、四次加密过程中对图像位平面进行首尾交换和相邻交换.实验结果表明,加密方法可以获得的较低关联度的加密结果,对密钥敏感并且执行速度快. 相似文献
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基于可拓策略生成技术的商品搜索服务改进研究 总被引:1,自引:0,他引:1
购买者在使用商品搜索服务时所得搜索结果数量不符合其主观要求是一个典型而普遍的矛盾问题.在分析矛盾问题的基础上,提出以可拓策略生成技术改进商品搜索服务的方法.该方法通过对购买者提出的搜索要求进行发散分析及相关分析,以形成各种可能变换,并依据关联函数寻求问题的解变换,以及利用评价函数对解变换进行优选.给出了关于策略生成的基本算法,并实现于笔记本电脑导购网站平台上.实验及测试结果表明,系统能有效生成矛盾问题的解变换,从而改进了搜索服务的质量. 相似文献
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本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,系统研究了稀土PrB6的电子结构、自旋极化态密度和光学性质,并在此基础上预测了PrB6薄膜的太阳辐射屏蔽性能。研究发现:PrB6属于金属导体材料,其费米面附近的能带主要由B的2p和Pr的4f层的电子态构成;PrB6对近红外辐射具有较高的反射率和较强的吸收;PrB6薄膜的理论透过率曲线在可见光区呈“吊铃”型分布,其不仅具有较好的可见光透过率而且对紫外和近红外辐射具有较强的屏蔽性能。此研究结果将为PrB6光电材料的设计和应用提供理论依据。 相似文献
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采用分子动力学模拟研究了非晶Ag的等温晶化过程,通过原子轨迹逆向追踪法分析了不同类型晶体团簇的结构遗传与组态演化.在团簇类型指数法的基础上,根据基本团簇种类与联结方式不同,提出了一种可区分fcc单晶、多晶与混晶团簇的分析方法.在非晶Ag等温晶化过程中,基于团簇结构的连续遗传性特征,发展了一种可区分fcc单晶、多晶与混晶晶胚与晶核的结构分析技术.结果发现:不论临界尺寸还是几何构型,不同类型的晶核结构都存在差异,其中fcc单晶临界尺寸最小,多晶次之,混晶最大; fcc单晶与多晶壳层原子中有少量hcp和bcc原子,而混晶壳层则全部为非晶类原子,并且fcc单晶、多晶与混晶的临界晶核都不是球型结构. 相似文献
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拓扑缺陷对单壁碳纳米管电子结构及其光学光谱的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
应用密度泛函理论计算了半导体型单壁碳纳米管(7,0)和(8,0)以及其发生镜像对称和非镜像对称Stone-Wales形变、形成异质结(7,0)—(8,0)情况下的能带结构、吸收光谱、反射光谱,并对计算结果进行了比较。研究发现: 引入拓扑缺陷态后,碳纳米管的能带结构发生了明显的变化,费米能级在不同缺陷情况下移动方向不一致;碳管的吸收和反射明显减弱且吸收峰和反射峰在低能区发生红移现象;在光子能量约为E=13 eV处各碳管的吸收谱和反射谱中均出现一特征峰,并且在引入缺陷以后该特征峰向高能区移动。文章对计算结果进行了分析和探讨,可望利用这种拓扑缺陷的引入而产生的光电特性来设计碳管光电器件。 相似文献
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对于由50000个液态金属原子系统的急冷过程进行了分子动力学模拟研究,比较深入地考察了微观结构组态的变化.特别采用原子成团类型指数法,分析了液态金属原子形成原子团及团簇结构的演变过程.发现系统中的大团簇结构是由小团簇(由几个小原子团结合组成)相互连接而成,而不是以某一个原子为中心按一定规则堆积起来的多壳层结构.随着温度的下降,原子团重复出现的几率将大为增加,显示出原子团确实具有一定的相对稳定性和延续性(即遗传效应).这对于深入理解液态金属的凝固过程、非晶态结构的短程有序区及无序稀疏区的形成机制及其微观过程,将有重要的启示作用. 相似文献
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PVK与新型D-π-A分子掺杂体系的能量转移及发光性质 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对PVK与4种新型D-π-A分子(分别简写为CKD, TKD, PKD, NKD)掺杂体系的吸收光谱、激发光谱和光致发光光谱的研究, 分析了掺杂体系的光致发光特性和能量转移现象. 制备了结构为ITO/PEDOT/PVK∶D-π-A ω/Alq3/Al的电致发光器件, 研究了掺杂体系的电致发光性能. 研究结果表明, 通过改变D-π-A分子中不同给电子能力的电子给体, 可以调控其带隙, 进而实现对D-π-A分子发光峰位的调节; 给电子基团空间立构效应越高, 其荧光量子效率越高. 在掺杂体系的光致发光和电致发光中, PVK与D-π-A分子之间都发生了有效的能量转移, 通过调节PVK与D-π-A分子的比例, 可以调节掺杂体系的发光性能. 当TKD在PVK中的掺杂质量分数为6%时, 电致发光器件发光亮度为729.1 cd/m2时, 发光效率达到1.75 cd/A. 相似文献
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