论斯米尔诺夫统计量的真确分布及其渐近展开

§1.引言设X为一随机变数具有连续分布函数F(x),x_1,x_2,…,x_n是X_n次相互独立试验的结果。将n个数据依照数值从小到大排列起来,我们把这些结果写成函数通常称作X在n次独立试验下的经验分布函数。继A.H.柯尔莫哥洛夫求出经验分布F_n(x)与连续理论分布F(x)间最大绝对差值的极限分布之后,关于F_n(x)与F(x)间最大的差值H.B.斯米尔诺夫证明了下列极限定理:     

对牛顿环实验中不等精度测量数据的处理

据笔者了解，目前各高等院校对牛顿环实验的数据，基本上都是在假设干涉条纹为均匀分布条件下，应用逐差法来处理，并在此基础上分析误差”‘、”’．本文对牛顿环实验中不等精度测量的数据用最小二乘法给出了较为合理的处理．一、牛顿环实验是不等精度测量大家知道，在牛顿环实验中，反射光第k级干涉暗纹半径满足关系其中，R为待测透镜的曲率半径，A为人射单色光波长．公式表明了与成正比，有即干涉条纹随级数的增大愈来愈密，愈来愈细．因此，该测量是非线性不等精度测量．二、用还差法处理数据存在的问题在用逐差法处理数据时有公式表明…     

可逆加成-断裂链转移(RAFT)分散聚合

RAFT分散聚合是在分散体系中实施RAFT聚合的一种非均相聚合方法。RAFT分散聚合的最大特点是它可以直接制备聚合物分子量可控、分子量分布窄的聚合物粒子。本文简要介绍了在小分子RAFT试剂和大分子RAFT试剂(Macro-RAFT)存在下,RAFT分散聚合的聚合动力学、聚合物的成核和粒子的增长。小分子RAFT试剂存在下的RAFT分散聚合是一个与普通的分散聚合类似,可以看作为非均相条件下的RAFT聚合,它可以制备微米尺度的聚合物粒子。Macro-RAFT存在下的RAFT分散聚合,是制备高浓度、纳米尺度的嵌段共聚物胶体的重要方法,它包含嵌段共聚物胶束化之前的均相聚合和嵌段共聚物胶束化后的非均相聚合两个阶段。     

化学键分散剂在PZN-PZT浆料中的分散性研究

利用异丙醇钛与长链羧酸合成了一种化学键分散剂,采用沉降实验及FT-IR技术研究了该分散剂在PZN-PZT浆料中的分散性能.结果表明,该分散剂在PZN-PZT浆料中具有良好的分散性,浆料体系达到稳定状态时所需的分散剂量对应分散剂在颗粒表面上呈单分子层成键状态,分散剂分子与颗粒表面上的羟基发生化学反应,导致二者之间呈较强的化学键结合状态,从而有力地改善了PZN-PZT浆料中的分散性、均匀性.     

非化学计量和掺杂对(Na1/2Bi1/2)0.92Ba0.08TiO3陶瓷电性能的影响

研究了非化学计量和掺杂对无铅压电陶瓷(Na_1/2Bi_1/2)_0.92Ba_0.08TiO₃的压电性能及去极化温度的影响.研究发现A位非化学计量可以提高陶瓷的压电性能;B位掺杂对材料电学性能的影响规律类似于Pb(Ti,Zr)O₃系压电陶瓷的相关规律;由于非化学计量和掺杂会影响到A位离子对B位离子与氧离子形成的BO₆八面体的耦合作用,影响到畴的稳定性,从而影响 关键词： 无铅压电陶瓷 非化学计量 掺杂 电性能     

三维铜基集流体的构筑及在锂金属电池中的应用

锂金属因其具有超高比容量(3860 mAh·g^-1)以及较低的氧化还原电势(-3.04 V vs 标准氢电极),被认为是下一代高能量密度二次电池的理想负极材料。然而“无宿主”的金属锂在金属/电解液界面层进行沉积/剥离,不可避免地会生长枝晶,不仅使电极表面电流分布不均,同时可能会刺穿电池隔膜而导致电池短路。通过构造三维集流体/锂金属复合负极可以有效调控锂沉积行为并抑制枝晶生长,从而提升电池的库仑效率、循环寿命以及倍率性能,该领域近年来一直都是研究的热点。本文首先总结了基于三维集流体抑制锂枝晶的相关原理和模型;其次针对用于负极的铜基集流体,根据构成三维结构基底单元的维度,总结了三维铜基集流体的制备方法及其在锂金属负极保护方面的应用;最后,对三维集流体构造复合锂负极进行了总结和展望。     

Horizontal InAs nanowire transistors grown on patterned silicon-on-insulator substrate

High-density horizontal InAs nanowire transistors are fabricated on the interdigital silicon-on-insulator substrate. Hexagonal InAs nanowires are uniformly grown between face-to-face (111) vertical sidewalls of neighboring Si fingers by metal-organic chemical vapor deposition. The density of InAs nanowires is high up to 32 per group of silicon fingers, namely an average of 4 nanowires per micrometer. The electrical characteristics with a higher on/off current ratio of 2×10⁵ are obtained at room temperature. The silicon-based horizontal InAs nanowire transistors are very promising for future high-performance circuits.     

化学键分散剂在PZN－PZT浆料中的分散和性研究

利用异丙醇钛与长羧酸合成了一种化学键分散剂,采用沉降实验及FT－IR技术研究了该分散剂在PZN－PZT浆料中的分散性能,结果表明,该分散剂在PZN－PZT浆料是具有良好的分散性,浆料体系达到稳定状态时所需的分散剂量对应分散剂在颗粒表面上呈单分子层成键状态,分散剂分子与颗粒表面上的羟基发生化学反应,导致二者之间呈较强的化学键结合状态,从而有力地改善了PZN－PZT浆料中的分散性、均匀性。