硅酸镓镧单晶的生长、性质及电光应用的研究

硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,langasite,简称LGS)是一种多功能晶体。LGS和石英同属32点群,具有良好的压电和电光性质,本文在综述LGS晶体基本性质的基础上,总结了我们对这种晶体生长和性质的研究工作,测量了LGS晶体电光性质,采取措施消除旋光性影响,首次用其设计制作了电光Q开关,结果表明其效果与DKDP晶体电光Q开关相当;进而开发了高功率高重复频率Q开关,双端面泵浦模式,激光重复频率为50 KHz时,最高输出可以达到12.5瓦,脉宽为46 ns。通过改进晶体生长条件,可获得直径约50 mm,长度为100 mm,重约1000 g的光学级LGS晶体,基本满足晶体电光Q开关应用的要求。     

旋光晶体在偏光干涉实验中电光效应的研究

研究了旋光晶体在偏光干涉实验中的电光效应，给出了旋光晶体在偏光干涉实验中出射光强与晶体旋光性之间关系的表达式I—Ao^2cos^2[β-（π/λ）（n1-nr)l]，以及与旋光晶体电光效应之间关系的表达式I—Ao^2cos^2[β-（π/λ）（n1-nr)l (π/λ）（n2-n1)l]。根据这些表达式给出的关系，将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14制作成了电光Q开关，像那些用无旋光性晶体制作的Q开关一样工作良好。在中等功率输出的激光器中，La3Ga5SiO14晶体电光Q开关有可能取代氘化磷酸二氢钾(DKDP)晶体电光Q开关。     

KTiOPO_4晶体全部电光系数的测量

用干涉法测量了KriOPO_4晶体的全部电光系数。结果为γ_(13)=7.9,γ_(23)=11.3,γ_(35)=22.7,γ_(51)=10.6,γ_(42)=6.2(×10~(-10)cm/V)。     

NH4IO3晶体的压电性能

用干涉法测量了NH₄IO₃晶体的全部压电系数。结果为: d₃₁=35.2, d₃₂=23.4, d₃₃=55.9, d₂₄=-2.4, d₁₅=-9.5×10^-8 CGSE/DYN。 关键词：     

干涉法测量晶体电光系数实验装置的改进

用一台泰曼干涉仪,以压电晶体的逆压电效应补偿晶体电光效应所引起的光程变化,提供了一种简单、迅速和高灵敏度测量晶体电光系数的方法.     

电光晶体研究究进进展及其对称性性研研究

由电场引起的晶体折射率的变化称为晶体的电光效应,具有电光效应的晶体称为电光晶体。利用电光效应可以制作电光Q开关等重要光电器件。晶体的电光效应及其有效利用,均与其对称性密切相关。本文在综述电光晶体研究进展的基础上,推导了不同晶系中各晶类电光效应类型及其特点,并以电光Q开关的要求为例讨论了晶体的电光效应及其对称性之间的关系。从讨论结果得出:立方晶系Td-ˉ43m,三方晶系C3v-3m,四方晶系D2d-4ˉ2m,D4v-4mm和六方晶系D3h-6ˉm2,C6v-6mm点群中相应电光系数的横向或纵向效应可能有实用价值。在考虑旋光性影响后,立方晶系T-23,三方晶系D3-32,四方晶系中S4-4ˉ,六方晶系中C3h-6ˉ等也有可能应用。但是,电光晶体的应用与许多因素相关,对称性只是其中一个基本条件。     

化学实验中的几个差异问题

化学实验中,不同反应物参加反应,会得到不同的生成物,这是人所共知的。然而实验中也常常出现这样的现象,即所加试剂（反应物）相同,但所得结果（生成物）却不同。     

Pb_(0.37)Ba_(0.63)Nb_2O_6晶体的线性电光效应

用干涉法首次测量了Pb_(0.37)Ba_(0.63)Nb_2O_6晶体的线性电光效应,结果为γ_(99)=70,γ_(13)=6.4,γ_(51)=-146×10~(-12)M/V.