HLS储存环光学参数与聚焦结构参数间的微分关系

 研究了合肥光源（HLS）储存环光学参数和聚焦结构参数间的微分关系,在改变三个输运线上游的光学参数时,计算和分析了下游各个聚焦结构参数。并且利用获得的表达式,结合合肥国家同步辐射实验室的实际改造需要,给出在满足插入件运行条件的情况下的各个聚焦结构参数。设计了能降低Wiggler插入点处横向振荡振幅函数的Lattice结构。     

电子储存环中离子俘获不稳定性和高频清洗的模拟

介绍了用强–弱模型对电子储存环中离子俘获不稳定性和高频清洗机制进行模拟研究的结果.模拟结果可合理地解释在合肥光源(HLS)储存环上观察到的现象.     

波长移动器的效应与模拟

 超导扭摆磁铁(或称波长移动器, WLS)能产生短波长同步辐射, 研究了WLS 的效应与模拟问题。用磁场积分估计其效应,近似计算了一阶和三阶传输系数的最大项;用三个分段常 数非矩形磁极准确地模拟一阶效应,以便设计补偿手段。     

合肥光源电子储存环束流闭轨的局部校正

 在合肥同步辐射装置运行过程中,发生储存环的束流轨道偏移。利用现有设备对束流闭轨的位置进行了多次测量和分析,利用测量数据计算得到校正铁强度与束流位置之间移动的响应矩阵。并利用最小二乘法计算得到三个校正铁的凸轨系数,用于束流闭轨的局部凸轨校正,取得了预期的效果。     

台肥储存环高频系统的调整

讨论了合肥光源高频系统参数对束流流强的影响。在合肥储存环闭轨校正实验中，发现束流轨道有较大的变化，为此对高频系统的频率、腔温等参数进行了必要的调整。此项工作对二期工程高频系统改造也具有指导意义。     

电子储存环中闭合轨道和色散函数的校正

电子储存环中,由磁铁元件制造误差和安装误差导致的闭合轨道和色散函数的畸变,通常会引起一系列的负面效应,介绍了以合肥光源储存环为模型,用响应矩阵的奇值分解法对闭合轨道和色散函数进行校正的可行性研究结果.     

升级的合肥光源闭轨测量系统及其应用

 描述了合肥同步辐射光源二期工程中，电子储存环升级的闭轨测量系统及其在设备研制中的应用。介绍了性能稳定可靠的Bergoz束流位置监测电子学信号处理器。升级后的闭轨测量系统中处理电子学电路的束流位置分辨率可达1μm，系统误差小于10μm。整个测试系统的分辨率小于3μm。利用该高精度闭轨测量系统和基于束流准直系统完成了束流准直四极铁磁中心的测量，并和控制系统完成了储存环全环闭轨反馈校正试验。一个完整的束流位置监测系统已投入了在线运行，保障了为用户提供高稳定高品质的光源。     

合肥储存环注入状态下的高频系统研究

 对高频系统的束流负载效应和Robinson不稳定性条件进行了详细分析；通过对 失谐角、视在失谐角与储存环注入流强限的研究发现，对于合肥光源这样的中能储存环，由于注入状态的电子束能量较低，同步辐射相角接近90°，因此，只要给高频腔馈入一定的功率，再把腔调到一定的失谐角，就可以在环中注到较高的流强，达到二期工程的设计目标。     

HLS闭轨监测系统的升级与数据获取

描述了二期工程中NSRL电子储存环束流位置监测系统的升级及其数据获取.介绍了BergozBPM电子学信号处理模块和基于VXI的数据获取模块以及网络互连技术在闭轨测量系统中的应用.LabVIEW软件开发环境则提供了好的硬件控制,提高了开发效率.升级后的束流位置测量系统在线监测误差,即它的长期可重复性≤10μm,处理电子学分辨率可达1μm.     

真空室材料二次电子产额特性研究

设计了针对加速器真空室材料样品的二次电子产额测试装置.对测试装置的设计及测试过程进行了详细介绍,并给出了常见真空室材料的二次电子产额测试结果以及不锈钢材料在经过镀TiN薄膜处理前后的测试对比结果,分析了影响二次电子产额的一些因素,为真空室的表面处理提供了依据.