涡流损耗对爆炸去磁脉冲发生器输出性能的影响

 为了提高爆炸去磁脉冲发生器的输出能量，设计了绝缘层截断涡流回路磁体结构，以减小冲击去磁过程中磁体内产生涡流造成的能量损耗。把圆柱形钕铁硼磁体切分成4块，在块与块之间增加聚脂绝缘层，再组合成一个圆柱形整体，形成截断涡流回路的磁体结构。采用Maxwell 3D电磁场有限元分析软件，对未切分和切分后的钕铁硼磁体进行了静磁场计算，分析了两种结构下的磁感应强度分布。对这两种磁体结构的脉冲发生器进行了爆炸实验，测量了脉冲发生器输出的感生电动势，分析了涡流损耗对发生器输出电流的影响。结果表明：磁体中截断涡流回路的脉冲功率发生器涡流损耗较小，能够输出更大的电能。     

测试爆炸箔起爆器的飞片速度

用双灵敏度VISAR测试爆炸箔起爆器的飞片速度历史。通过对飞片表面镀膜处理，消除了爆炸箔爆炸自发光产生的干扰，增加了飞片的反射率。在爆炸箔宽360 m，厚8.4 m，加速膛直径为1.2 mm，飞片厚0.12 mm，放电回路充电电压为4.5 kV，放电周期为750 ns的条件下，飞片最大速度为4.1 km/s，飞片加速时间约为150 ns，飞片达到最大速度的飞行距离约为0.3 mm。     

低冲击下固体炸药延迟起爆(XDT)现象

设计了连续低冲击加载炸药的双隔板实验,采用X光透视摄影方法,观察到了JO 9159炸药延迟起爆(XDT)现象。采用非线性有限元方法对加载炸药实验的力学过程进行了数值模拟,分析了炸药延迟起爆机理和发生条件。结果表明,JO 9159炸药延迟起爆(XDT)现象的起爆时刻比正常冲击起爆(SDT)要滞后大约十几微秒以上,且发生有一定的随机性。对炸药重复冲击加载作用和炸药在加载作用下的敏化程度是控制XDT现象发生的主要因素。     

用绝热测试的压力数据计算分解反应的表观活化能

绝热量热技术的广泛应用促进了绝热动力学研究的发展.至今为止，绝热动力学的研究仍是以Townsend 和 Tou在1980年提出的绝热动力学方程为基础.他们利用反应物浓度与温度的关系建立动力学模型，从而求得了反应的活化能.但这种方法在反应体系的温度效应不明显时的应用，就受到很大的限制.因此，本文通过建立用压力表示的动力学方程，充分利用绝热量热中的压力数据，提出了一种计算反应活化能的新方法.同时用这种方法计算了过氧化二叔丁基和2-甲基-5-硝基苯磺酸的绝热分解活化能值，并与文献值和其他计算方法所得结果进行了比较.     

螺噁嗪光致变色反应机理研究进展

20世纪80年代中期以来, 关于螺噁嗪在光致变色过程中的光化学和光物理现象的研究非常活跃. 综述了近20年来对溶液中的螺噁嗪、晶体螺噁嗪以及固体介质中的螺噁嗪的光致变色机理研究结果, 同时介绍了实验研究方法和理论研究方法在螺噁嗪光致变色过程研究中的应用, 分析了取代基对光致变色性质的影响. 阐述了机理研究对新型螺噁嗪设计合成的重要指导意义.     

羧甲基交联魔芋葡甘聚糖微球的制备与表征

采用交联魔芋葡甘聚糖颗粒(CKGG)合成了羧甲基交联魔芋葡甘聚糖微球(CMCKGG)，讨论了羧甲基化过程中的影响因素．用正交设计的方法确定了具有较好交换容量的CMCKGG制备奈件．当碱用量为CKGG量的20％，氯乙酸钠用量为CKGG量的10倍，温度55℃，反应时间8h时，制得的CMCKGG阳离子交换容量为0．7389mmol／g．红外光谱．光学显微镜和扫描电镜的结果表明，该颗粒为蜂窝状多孔微球，粒度均匀．     

二甲基二氢芘类光致变色化合物及其光开关性质

介绍了二甲基二氢芘类化合物特殊的逆光致变色性质,讨论了内外取代基、间隔基以及稠合基团等因素对二甲基二氢芘光致变色性质的影响,综述了该类化合物在光学开关和信息的光化学读出等应用方面的研究状况,并展望了二氢芘类光致变色化合物的研究前景。     

多金属氧酸盐的红外光谱

系统地综述了多金属氧酸盐的红外光谱。重点论述了近年来新合成的多金属氧酸盐的红外光谱特征,发现多金属氧酸盐红外光谱的最佳特征区在1 100～400 cm-1左右,产生的吸收是由金属—氧的伸缩振动所致。分别对Keggin,Dawson,Waugh,Anderson几种典型结构的多金属氧酸盐的特征峰及不同的反荷离子引起振动峰不同程度的红移或蓝移进行了归纳和总结;阐述了掺杂不同杂原子后由于分子结构对称性降低,使振动峰发生分裂。红外光谱作为一种常用的分析手段,可以鉴别多阴离子及用于结构分析。     

铽改性铈锆固溶体

铽改性铈锆固溶体;Ce0.6Zr0.4-xTbxO2-y固溶体;三效催化剂;储氧材料;共沉淀法;溶胶-凝胶法     

胺基化合物修饰戊二醛交联壳聚糖树脂的合成及其红外光谱研究

研究了以三聚氯氰为活化剂,正丁胺、二甲胺、三甲胺、三乙胺、苯甲胺、对甲基苯胺、对氨基苯磺酸修饰戊二醛交联壳聚糖的制备及其红外光谱。壳聚糖1 155 cm-1的糖苷键ν_(C—O—C)吸收峰、899 cm-1的环振动吸收峰和1 030 cm-1的伯羟基ν_(C—OH)吸收峰基本不变。在3 430～3 440 cm-1的ν_(O—H)和ν_(N—H)吸收峰稍有变化,1 400～1 384 cm-1的δ_(C—H)吸收峰变化较明显。氨基化修饰交联壳聚糖仲羟基的ν_(C—OH)吸收峰由1 095 cm-1移至1 060～1 070 cm-1。三聚氯氰活化交联壳聚糖在803～812 cm-1和1 584～1 590 cm-1出现均三嗪环骨架振动吸收峰。随取代度和脱乙酰度不同,壳聚糖的酰胺Ⅰ,Ⅱ,Ⅲ峰强度变化明显。伯仲胺修饰交联壳聚糖在1 517～1 530 cm-1出现质子化氨基δ_(N—H)吸收峰,三甲胺、三乙胺修饰交联壳聚糖此峰消失或减弱,但在1 400～1 500 cm-1出现一组ν_(C—N)吸收峰。