相对论二极管电子枪设计的分析解与实验的比较

本文对轴对称场二极管区电子运动所遵循的近似轨迹方程进行数值求解,以此做为设计相对论二极管电子枪的依据,与实验结果相比较,符合较好。     

Schottky Barrier Height Inhomogeneity of Ti／n—GaAs Contact Studied by the I—V—T Technique

The current-voltage characteristics of Ti/n-GaAs Schottky diodes measured over a temperature range of 78-299K have been interpreted on the basis of thermionic emission across an inhomogeneous Schottky contact.The experiment shows that the apparent barrier height (φap) increases from 0.437eV at 78K to 0.698eV at room temperature.the plot of φap versus 1/T does not exhibit a simple linear relationship over the whole temperature range,indicating that the barrier height distribution is more complicated than the frequently observed single Gaussian distribution.A new multi-Gaussian distribution model is developed.Our experimental results can be explained by a double Gaussian distribution of the barrier heights.The weight,the mean barrier height,and the standard deviation of the two Gaussian functions are 0.00001 and 0.99999,0.721 and 0.696,0.069 and 0.012eV,respectively.     

Efficient Visible Electroluminescence from Porous Silicon Diodes Passivated by Carbon Films

By using n-butylamine as a carbon resource,carbon film is deposited on the p-n porous silicon (PS) surface with a radio-frequency glow discharge plasma system.Raman spectra and infrared reflection (IR) spectra of the carbon films indicate that there are amine-group and hydrogen atoms therein.The IR spectra of the passivated PS samples exhibit that the PS surfaces are mainly covered with Si-C,Si-N and Si-O bonds.Electroluminescence (EL) spectra show that the EL intensity of the passivated PS diodes increases greatly and the blueshift of the EL peak occurs compared with the diodes without treatment.Both of these are stable while the passivated diodes are exposed to the air indoors.The I-V characteristics reveal that the passivated diodes have a smaller series resistance and a lower onset voltage.The influence of the carbon film passivation on EL properties of PS has also been discussed.The results have proven that carbon film passivation is a good way to enhance the PS luminescent intensity and stability.     

消除预脉冲电压的撬棒管开关法

 分析了脉冲线加速器在放电过程中产生的预脉冲电压现象。为了减少预脉冲电压引起的等离子体发射对正常状态的影响，采用了一种冷阴极撬棒管，将它与阴极杆相连。实验证明在采用了这种器件后，预脉冲电压可以从150kV左右减少到50kV。相对论返波管和相对论磁控管的性能得以显著改善。     

氙灯泵浦的NYAB晶体调Q激光运转特性及实验研究

首次报道了氙灯泵浦的自激活自倍频NYAB复合功能晶体的BDN染料片调Q运转,获得了自倍频绿光单脉冲.测量了不同L和T_o情况下的绿光脉冲的能量、脉宽和峰值功率.文中还从理论上推导了自激活自倍频晶体调Q激光器的方程组.数值求解方程组,所得的理论数据与实验结果很好地相符.最后,讨论了进一步提高绿光脉冲峰值功率的途径.     

500.8 nmNd∶YAG青光激光器光学薄膜的设计与制备

从双波长激光运转及和频的机理出发，对LD泵浦Nd∶YAG，LBO腔内和频500.8 nm〖JP2〗青光激光器所使用的光学薄膜进行了设计和制备.在激光反射镜的设计上，为了达到最佳的和频输出，对膜系要求进行了深入分析.采用对谐振腔一端面反射率固定不变并通过对另一腔镜基频光的透射率进行调谐的方法, 在给出合理初始结构后，利用计算机对膜厚进行了优化.并采用双离子束溅射沉积的方法，通过时间监控膜厚法成功制备出青光激光器所使用的全介质激光反射膜, 在室温下实现946 nm和1064 nm双波长连续运转，并通过Ⅰ类临界相位匹配LBO晶体腔内和频在国内首次实现500.8 nm青色激光连续输出.当泵浦注入功率为1.4 W时和频青光最大输出达20 mW.     

高功率双包层光纤激光器受激拉曼散射和热效应的理论研究

 受激拉曼散射和热效应会限制光纤激光器功率的提高。利用高功率光纤激光器的速率方程和热传导方程，理论研究了双端泵浦和分布泵浦下双包层光纤激光器的受激拉曼散射和热效应，得到了光纤中的泵浦光、激光和斯托克斯光的功率分布，光纤激光器的输出特性以及光纤中的温度分布。分析表明，当泵浦功率增大到一定值时，光纤激光器中出现SRS，一部分激光功率会转移给斯托克斯光，影响激光功率进一步提高;与双端泵浦方式相比，分布泵浦下光纤激光器的斜率效率和最大输出功率相差不大，但是，光纤中的温度分布被有效地降低，因此，分布泵浦方式更为有效。     

从电子器件的换代来看计算机的发展

 电子计算机的诞生与发展,极大地推进了现代科学技术的发展。从第一台计算机诞生到今天,计算机已经历了四代,而四代机的划分是以电子器件的换代为主体特征。电子管的发明和第一代电子管数字计算机（1946～1958年）1883年,美国发明家爱迪生（T.A.Edison,1847～1931）发现了热的灯丝发射电荷的现象,并被称之为“爱迪生效应”。1889年,英国著名物理学家汤姆孙（J.J.Thomson,1856～1940）解释了这种现象,并把带电的粒子称为“电子”,同年,英国伦敦大学电工学教授弗莱明（S.J.A.Fleming,1849～1945）开始认真研究爱迪生效应,并且于1904年研制出检测电波用的     

二极管激光侧泵浦单横模100Hz电光调Q激光器

介绍了二极管激光侧泵浦单横模１００Ｈｚ电光调Ｑ激光器的实验结果。泵浦源为一个线阵准连续１００Ｗ二极管激光器，激光工作介质为ＮｄＹＡＧ薄梯形板条，板条与泵浦源间用柱透镜耦合，ＫＤ＊Ｐ电光晶体调Ｑ。在１００Ｈｚ重复频率下，获得单脉冲能量２．３７ｍＪ，脉宽小于７ｎｓ，光束质量因子Ｍ２＝１．１的１．０６μｍ激光，光－光效率为８．５％，斜效率为１８．７％。     

螺旋脉冲形成线实验

在脉冲功率技术中，长脉冲的电压脉冲形成是研究的一个难点。形成数百纳秒甚至上微秒采用一般的同轴传输线是不现实的，而采用集中参数人工线在负载为低阻抗时由于电容器的寄生电感等的影响而使波形成形较差。螺旋传输线可以延缓脉冲的传播速度，形成较长的脉冲，是比较有前途的发展方向，本次实验以300kV功率源作为螺旋线的脉冲充电电源，试验螺旋传输线形成高压脉冲的可行性及具体的技术问题。