Pt/MO2/CNTs催化剂上乙醇电氧化研究

应用循环伏安法研究了几种催化剂Pt/MO2/CNTs（M = Sn, Ti, Ce）和Pt/CNTs对乙醇在H2SO4溶液中的电催化氧化过程。结果表明,金属氧化物的加入有利于乙醇的电氧化,其中,Pt/CeO2/CNTs对乙醇电氧化中间态产物具有显著的氧化性能。综合初始氧化电位、峰电流、总氧化峰面积等参数可以得出Pt/SnO2/CNTs催化剂性能最佳。     

退火温度对镶嵌于SiO2膜中的Ge纳米晶结构的影响

采用磁控溅射及退火的方法制备了含Ge纳米晶的SiO2复合膜,应用拉曼散射和X射线衍射技术研究不同退火温度下的Ge纳米晶结构.结果表明:Ge纳米晶的结晶温度约为750 ℃.运用声子限域模型(RWL model)对样品的拉曼散射光谱进行拟合,确定出样品中Ge纳米晶的尺寸.通过XRD谱计算复合膜的内部压应力,得出由其引起的拉曼峰位的蓝移量,得出结论:压应力是造成拉曼模拟曲线与实验曲线峰位偏离的主要原因.     

汽车尾气净化反应的UBI-QEP法研究

应用单位键指标-二次指数势(UBI-QEP)方法对汽车尾气净化反应中氮氧化物的分解进行了理论分析.结果表明,NOx的分解的可能途径为氮氧化物的直接分解、CO还原助解和氮助解离.在富氧条件下,以CO助解为主.NO的解离存在N2O中间态.Ni与Rh一样,也是优秀的还原NOx催化剂,若能有效克服表面氧的共吸附,Ni-Cu可能是良好的汽车尾气净化催化剂的主体成份.     

纳米尺度绕流现象中流体分子运动行为研究

采用分子动力学模拟方法,研究纳米尺度低Re数(Re=20)条件下,氩流体流过铂(FCC(100))金属圆柱的绕流现象.从流线和速度矢量分布两方面刻画涡的周期性产生、发展和脱落过程.结果显示,一个涡脱落周期大约为0.3 ns,斯特劳哈尔数St约为0.2;时均对称涡的长度是圆柱直径的1.4倍,涡径与圆柱直径相当.从速度场和密度场的角度刻画回流区,并进一步研究典型区域(圆柱中心线附近区域及下游邻近区域)的速度分布特性.     

碳酸丙烯酯萃取金、铂的机理及其反萃过程的研究

本文研究了PC-CHCl₃体系中,杂质金属离子对金、铂萃取的影响;金、铂反萃条件的选择.并用斜率法、饱和法、化学分析法、紫外光谱、红外光谱探讨了PC萃取金、铂的机理。     

Ca(OH)2/CaO热化学储能过程中变孔隙率影响的多物理场耦合数值模拟研究

基于Ca(OH)₂/CaO的热化学储能体系在实验中均表现出孔隙结构的显著变化，而该现象在已有的大多数数值模拟研究中并未被考虑。本文针对该现象建立了变孔隙率反应动力学模型及非稳态“流动–传热–化学反应”耦合模型，并基于此对直接、间接传热式固定床反应器中Ca(OH)₂/CaO的定/变孔隙率脱水反应过程特征参数(反应渗透率、压力、温度、反应速率及转化率等)变化进行了对比模拟研究。结果表明：定孔隙率模型与变孔隙率模型之间有明显的差异，且变孔隙率模型更能体现实际反应过程的特征。以初始孔隙率为0.8的工况为例，定孔隙率假设在直接传热式反应器中的转化速率比变孔隙率模型快19.8%，而在间接传热式反应器中转化速率比变孔隙率慢6.1%。说明以往研究中使用的定孔隙率假设高估了直接传热式反应器的性能，而低估了间接传热式反应器的性能。     

空间桁架结构等效连续体建模及固有特性分析

针对空间桁架天线的结构特点，基于能量等效原理分别建立了不带底板和带底板的空间桁架结构的等效梁连续体模型。将胞元横截面上任意点的位移用横截面中心处的位移分量线性表示，求得胞元的应变能和动能；基于能量等效原理利用哈密顿原理建立桁架天线结构的等效连续体动力学方程，求解得到等效连续体模型的固有频率和振型表达式；利用有限元方法对桁架结构进行仿真分析，并将仿真结果与等效连续体模型计算结果进行对比分析。结果表明，等效模型结果具有较好的精度，从而验证了等效连续体梁模型的正确性。研究结果可为大型空间可展桁架结构的动力学设计提供论支撑。     

A Ferroelectric Domain-Wall Transistor

On the basis of novel properties of ferroelectric conducting domain walls, the domain wall nanoelectronics emerges and provides a brand-new dimension for the development of high-density, high-speed and energy-efficient nanodevices. For in-memory computing, three-terminal devices with both logic and memory functions such as transistors purely based on ferroelectric domain walls are urgently required. Here, a prototype ferroelectric domain-wall transistor with a well-designed coplanar electrode ge...