苯乙烯在炭黑表面的阴离子接枝聚合研究

利用正丁基锂（ｎ－ＢｕＬｉ）与炭黑（ＣＢ）表面含氧基团反应制得了表面含－ＯＬｉ基团的反应型炭黑，以该炭黑与聚氧乙烯－聚氧丙烯－聚苯乙烯（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＳ）多嵌段聚合物组成的阴离子引发体系作活性中心，研究了苯乙烯在炭黑表面的阴离子接枝聚合。ＦＴ－ＩＲ，ＴＥＭ和ＤＳＣ分析表明在接枝炭黑表面存在苯乙烯的聚合物。接枝炭黑在甲苯中有良好的分散稳定性。     

PdCONaOH体系中NaOH助催化作用的理论研究

用Gaussian94程序，HF和MP2方法，LANL2DZ基组，研究了模型化合物PdCONaOH的电子结构，讨论了碱的助催化作用。结果表明碱NaOH对PdCO的助催化作用是通过Na⁺和OH^-协同作用而完成，并且其助催化效果与Na⁺和OH^-相对于PdCO的位置(距离和方向)以及Na⁺和OH^-之间的距离有关。     

新型sPS/PET/SsPS-Zn工程塑料合金的研究

熔融共混法制备了新型综合性能较好的间规聚苯乙烯 (sPS) 聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET) 磺化间规聚苯乙烯锌盐 (SsPS Zn)工程塑料合金 ,研究了合金结构与性能之间的关系 .加入SsPS Zn后 ,合金的力学性能先提高而后下降 ,当sPS PET SsPS Zn为 85 15 2 (质量比 )时 ,合金的综合力学性能较好 ,冲击强度达到 10 6kJ m2 ,为纯sPS的 2 5倍 ;加入SsPS Zn后 ,合金的耐热性提高 ;合金中sPS的熔点与纯sPS相同 ,而初始结晶温度和达到最大结晶速度时的温度均高于纯sPS ,且基本不受SsPS Zn用量的影响 .PET的熔点、初始结晶温度、达到最大结晶速率时的温度和结晶度均随SsPS Zn用量的增加而逐渐降低 ;DMA结果中所有合金均只呈现一个Tg,并且加入SsPS Zn后 ,Tg 和半峰宽都逐渐提高 ,常温下的储能模量在其用量为 2份时达到最大值 ;SEM观察到加入 2份SsPS Zn后 ,PET分散相的尺寸明显减小 ,继续增加其用量 ,PET分散相的尺寸反而有所增大和不均匀 ,并且合金的冲击断面由显著的层状结构转为相对平整     

聚马来酸酐高级脂肪醇酯的合成及其对聚乙烯的表面改性研究

采用溶液聚合的方法合成聚马来酸酐，考察不同聚合条件对聚马来酸酐产率的影响。将所合成的聚马来酸酐与十八醇、十六醇和十四醇进行酯化反应合成了三种两亲性的大分子表面改性荆聚马来酸酐十八醇酯(PMAO)、聚马来酸酐十六醇酯(PMAH)和聚马来酸酐十四醇酯(PMAT)。对这三种聚马来酸酐高级醇酯／聚乙烯共混体系的表面亲水性进行了研究，采用全反射红外光谱对聚马来酸酐高级醇酯共混体系薄膜进行表征，发现聚马来酸酐高级醇酯可以在聚乙烯薄膜表面富集，接触角测量表明聚马来酸酐高级醇酯的加入可以有效降低聚乙烯薄膜的水接触角。     

4-羧基苯氧乙酸锰配位聚合物[Mn(p-CPOA)(H_2O)_3]_n的合成与晶体结构

0引言由于羧酸化合物具有丰富的配位结构类型,而且羧酸桥联多核配合物广泛存在于生物体内金属蛋白和金属酶的活性部位,使其在配位化学中占有重要地位[1]。尤其是近年来,研究发现羧酸配位聚合物具有潜在的光学、磁学、吸附分离、信息储存以及催化等性能,使得由苯二甲酸,均苯三甲     

2,2′-二取代-1,1′-联萘化合物的NMR研究

用二维核磁共振谱（ＣＯＳＹ、ＨＭＱＣ、ＨＭＢＣ、ＦＧ＿ＨＭＢＣ）进一步研究了２，２′－二羟基－１，１′－联萘（１）、２，２′－二甲氧基－１，１′－联萘（２）、２，２′－亚甲二氧基－１，１′－联萘（３）、２，２′－亚乙二氧基－１，１′－联萘（４）、２－羟基－２′－甲氧基－１，１′－联萘（５）、２－羟基－２′－乙氧基－１，１′－联萘（６）、２－羟基－２′－异丙氧基－１，１′－联萘（７）、２－羟基－２′－丁氧基－１，１′－联萘（８）和２－羟基－２′－氧乙酸基－１，１′－联萘（９）等９个２，２′－二取代－１，１′－联萘化合物，确定了它们的氢谱和碳谱谱峰的归属，指出联萘化合物的立体结构、萘环的磁各向异性对质子谱有明显的影响，特别是Ｈ８（Ｈ８′）；而其对环碳的影响可以忽略。     

聚(4-乙烯基吡啶)的合成及其在染料敏化太阳电池中的应用

采用自由基聚合法合成了聚(4-乙烯基吡啶)(P4VP),并用于制备染料敏化太阳电池的凝胶电介质.研究了P4VP含量对电解质和太阳电池性能的影响.结果表明,以P4VP为骨架通过化学交联固化液态电解质制备的有机胶体电解质体系有机相可溶剂化Li ,当其含量为7.5wt%时体系离子电导率可达5.77mS/cm与液态电解质相当.利用这种准固态电解质制备的敏化太阳电池在100mW/cm2,25℃下获得光电转换效率2.3%.     

有限域的加法群中的差集

令Fq是具有q个元素的有限域,这里q是一个奇素数的幂,给出了Fq的加法群中的一些差集,并计算了它们的参数.     

Effects of Flow Rate Variation on SiCln （n 〈 3） Densities in SICl4 Plasmas

Radicals produced by the plasma enhanced chemistry vapour deposition technique in SiCl4 plasma are identified by mass spectrometry using our newly proposed straight-line fit method. Since flow rate is one of the most important parameters in depositing thin films, we present the effects of SiCl4 flow rate variation on SiCln （n 〈 3） densities. The experimental results demonstrate that Si and SiCln （n = 1, 2） densities decrease with increasing SiCl4 flow rate. After reaching the minimum values at a flow rate of 17 and 13sccm, respectively, Si and SiCln （n = 1, 2） densities slightly increase with further increase of flow rate to 20.5sccm. These results could be interpreted to which the depletion fraction of SiCl4 decreases and the residence time of SiCl4 molecule becomes shorter, with the increasing SICl4 flow rate. In order to obtain high-quality poly-Si films with high growth rate, it is better to use smaller flow rate of SICl4 source gas for depositing films.