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<正>A single channel with a 160-Gb/s optical time-division-multiplexing(OTDM) transmission over 100 km is fabricated.With the help of 500-GHz optical sampling oscilloscopes,the fiber length is adjusted to the order of 10 m,which corresponds to the accuracy of 0.4 ps for the dispersion compensation.The dispersion map is optimized for the 100-km transmission link.A completely error-free transmission with the power penalty of 3.6 dB is achieved for 2 h without using forward error correction. 相似文献
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133.
设计了一种应用于WLAN和WiMAX的多频带印刷单极子天线。该天线制作在以聚四氟乙烯为材料的基板上,天线正面部分具有三个条带结构,背面则添加了带有矩形槽的反射地结构以改进天线的阻抗匹配。利用三维电磁仿真软件(Ansoft HFSS13.0)进行仿真,并将该天线通过SMA连接器连接到矢网仪(Agilent Technologies N5230C10MHz~20GHz)进行测试。实际测试结果与仿真结果基本吻合,符合设计要求,验证了设计的正确性。 相似文献
134.
综述鹅膏毒肽和鬼笔毒肽检验方法及野生菌样品处理技术研究进展。食用蘑菇中毒事件多为误食鹅膏菌毒素所致,引起急性肝毒性中毒的致命蘑菇毒素主要为鹅膏毒肽和鬼笔毒肽。蘑菇毒素检测样品处理技术主要包括蛋白沉淀法、固相萃取技术、在线净化技术、免疫亲和技术等,检测方法主要包括快速检测法、毛细管电泳质谱联用法、高效液相色谱法、液相色谱质谱联用法等。快速检测法操作简便,适用于蘑菇毒素现场检测;毛细管电泳质谱联用法有高分辨率和高灵敏度的特点;高效液相色谱法在基层实验室广泛应用于蘑菇毒素的检测分析;液相色谱质谱联用法可准确的对蘑菇毒素进行定性和定量分析。通过比较这些技术和方法,可对实验室根据相对应的样本建立简单、快速、准确检测鹅膏毒肽的方法提供重要参考依据。 相似文献
135.
136.
铝在镀锌板镀层中的分布 总被引:2,自引:0,他引:2
用GD-AES法测定镀锌板镀层中的Zn,Al,Fe的分布,看到在镀层界面上Al的富集现象,而且富集程度随锌液中Al含量的增加而更显著,认为这可能与热浸时首先生成Fe-Al相有关。 相似文献
137.
对T300/AG80碳纤维复合材料层合板在激光辐照下的应变变化情况进行了测试。利用动态应变仪对不同半径激光光斑照射下的试件正面和背面的0,45,90三个方向的应变进行记录,通过对消除温升影响后的试验数据进行分析得知:各处应变随测试点到光斑中心的距离增大而减小;0方向应变最小,90方向应变最大,光斑辐照层合板5 s时,90方向应变值至少是0方向应变值的1.5倍。采用有限元分析软件对试验过程进行模拟,光斑外各处热应力随其到光斑中心距离的增大而减小。将模拟中得到的应变与试验过程中的测试值对比,得到温升影响造成的最大相对误差为16.9%. 相似文献
138.
139.
140.
Silicon micro-hemispheres with periodic nanoscale rings produced by the laser ablation of single crystalline silicon 下载免费PDF全文
We describe the fabrication of silicon micro-hemispheres by adopting the conventional laser ablation of single crystalline silicon in the vacuum condition without using any catalysts or additives. The highly oriented structures of silicon micro-hemispheres exhibit many periodic nanoscale rings along their outer surfaces. We consider that the self-organized growth of silicon micro-structures is highly dependent on the laser intensity and background air medium. The difference between these surface modifications is attributed to the amount of laser energy deposited in the silicon material and the consequent cooling velocity. 相似文献