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传统的课堂对话教学所存在的弊端使得我们思考这样一个问题在主体教学、教学及交往新的教学理念指导下,课堂教学中如何改造教学对话方式,使新方式能够包容和催生出真正的时代“对话”精神。本文就化学对话教学谈谈自已的认识和实践。 相似文献
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用内径为0.53 mm的填充毛细管正相液相色谱为第一维, 用4.6 mm(i.d.)×50 mm RP-18e整体柱反相色谱为第二维, 建立了定量环-阀切换接口的全二维液相色谱系统(NPLC×RPLC). 第一维色谱分离洗脱出的组分交替存储在十通阀上的两个定量环中, 同时定量环中前一个组分被转移到第二维进行反相分离. 因为第一维的流动相流量仅是第二维的1/500, 自然解决了流动相兼容问题. 采用芳香族化合物的混合物和中药丹参正己烷提取液对该全二维液相系统的分离能力进行了评价. 相似文献
133.
134.
针对现有基于transformer的方法未能充分融合遥感图像多尺度特征的问题,提出一种多光谱-全色融合网络。在融合网络中嵌入一个基于改进Swin transformer的多尺度窗口自注意力模块,在关注全局空间特征的同时,充分融合不同尺寸的特征信息,从而最大程度地保留光谱和空间结构信息。通过不同层级特征的跳跃连接,解码网络预测出原始多光谱图像缺失的纹理部分,最终使用细节注入模型恢复出目标图像。为了提升融合效果,在损失函数中加入了光谱损失和空间结构损失。与其他方法相比,本文提出的方法在WorldView-4、QuickBird和WorldView-2三种卫星数据集的主观视觉效果最好,相比于性能第二的方法,本文方法在三种数据集的相对全局误差指标分别减小了11.99%、0.4%和3.43%。 相似文献
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随着电子技术的发展,兼具透明、柔性等特性的功能电子器件得到了广泛关注。作为新型电子存储器件,忆阻器在新一代信息技术领域(包括低功耗类脑计算、非易失逻辑、数据存储等)有着广阔的应用前景,成为近年来备受关注的新型纳米器件。氧化铟锡是一种常用的透明导电材料,因其优异的光学透明度、稳定的物理、化学特性等优点,成为制备新型透明忆阻器件的理想电极。本文首先简略介绍了忆阻器件的结构,接着综述了基于氧化铟锡材料的忆阻器件的研究和应用,包括其作为存储器、电子突触和痛觉感受器等。然后针对氧化铟锡忆阻器的阻变机制,特别是近年来新发现的铟扩散机制进行了进一步介绍,最后总结展望了氧化铟锡忆阻器的发展前景。 相似文献
136.
离心率是圆锥曲线的一个非常特殊的几何性质,同时又能融合其他数学相关知识很好地考查学生思维与能力.结合一道高考真题实例,从解析几何与平面几何这两个最常见的思维视角切入,深入探究有关圆锥曲线的离心率问题,并总结出破解技巧与方法应用. 相似文献
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138.
139.
Variation of passivation behavior induced by sputtered energetic particles and thermal annealing for ITO/SiO_x/Si system 下载免费PDF全文
The damage on the atomic bonding and electronic state in a SiO_x(1.4-2.3 nm)/c-Si(150 μm) interface has been investigated.This occurred in the process of depositing indium tin oxide(ITO) film onto the silicon substrate by magnetron sputtering.We observe that this damage is caused by energetic particles produced in the plasma(atoms,ions,and UV light).The passivation quality and the variation on interface states of the SiO_x/c-Si system were mainly studied by using effective minority carrier lifetime(τ_(eff)) measurement as a potential evaluation.The results showed that the samples' τ_(eff)was reduced by more than 90%after ITO formation,declined from 107 μs to 5 μs.Following vacuum annealing at 200 ℃,the τ_(eff) can be restored to 30 μs.The components of Si to O bonding states at the SiO_x/c-Si interface were analyzed by x-ray photoelectron spectroscopy(XPS) coupled with depth profiling.The amorphous phase of the SiO_x layer and the "atomistic interleaving structure" at the SiO_x/c-Si interface was observed by a transmission electron microscope(TEM).The chemical configuration of the Si-O fraction within the intermediate region is the main reason for inducing the variation of Si dangling bonds(or interface states) and effective minority carrier lifetime.After an appropriate annealing,the reduction of the Si dangling bonds between SiO_x and near the c-Si surface is helpful to improve the passivation effect. 相似文献
140.