锰原子的二步多光子与三步三光子共振电离研究

激光共振电离技术是痕量分析中的重要手段之一。文章以速率方程理论为基础,对锰原子的激光共振电离过程进行了分析,讨论了电离过程中各级激发光功率密度及激光作用时间对电离效率的影响;提出了根据所要求的电离效率和激光作用时间计算所需要的各激发光或电离激光的功率密度的方法;得到了饱和激发或饱和电离的规律及阈值条件。研究发现,在激光作用时间为10 ns时,锰原子饱和电离的激光强度阈值基本都在108 W·cm-2的量级,只有“1+1”双色双共振低三个量级;而“1+1”和“1+1+1”饱和激发的激光强度阈值则在102～103 W·cm-2量级;并且随着激光作用时间的增加,各过程的饱和激发和饱和电离的激光强度阈值将单调减少。     

光和温度刺激响应型材料*

刺激响应型材料是一类在环境因素刺激下,自身的某些物理或化学性质发生相应变化的材料。刺激因素包括光、温度、pH、离子强度、电场和磁场等。本文综述了近年来光和温度刺激响应型材料的研究进展,主要从光响应型水凝胶和光致变色材料的结构类型及应用概述了光响应型材料的发展;同时从温度响应型水凝胶、热致形状记忆材料和热敏变色材料几方面介绍了温度响应型材料的研究进展及应用,并展望了光和温度刺激响应型材料在多学科领域的应用前景。     

铁铬合金空蚀过程的研究

研究了4种铁铬合金在氯化钠溶液体系中的空泡腐蚀行为.重点考察合金性能及空泡作用区的相对面积对合金空蚀损失量的影响.结果表明:合金空蚀损失量随空泡作用区与非空泡作用区表面面积比的增大而增加;合金的耐蚀性和机械性能同时影响其空蚀损失量.     

模糊数的运算法则

给出模糊数加、减、乘、除运算的较简便的计算方法。     

西沙必利与稀土离子Eu3+配合物的合成及配位位置的研究

普瑞博思是一种新型、有效、可供口服的胃药. 它的主要有效成分为西沙必利,其分子结 构为：
[JG(][LJ(H,D][1]\{O CH\-2 CH\-2CH\-2N\}[LJ)][JJ1,Z;3,YS;4,Y][LJH,S(1,3,5),L4][JJ1,Z]\{F\}\{OCH\-3\}\{NH\}[ZJY]\{C\}[ZJLX,S;Y,3]\{O\} [LJH,S(1,3,5),L1][JJ2,ZS;4;5,YX]\{H\-3CO\}\{NH\-2H\-2O\}\{Cl\}[JG)]
本研究工作通过紫外光谱、荧光光谱等手段,初步确定了西沙必利与Eu³⁺形成稳定 的配合物 . 我们通过共沉淀法制得固体配合物,并通过扫描电镜、 差热分析、红外光谱等方法证明了配合物的形成,初步推断出配位点. 最后通过核磁共振方法确定了该配合物的配位点并探讨了配位机理.     

类胡萝卜素发光对血清荧光光谱法恶性肿瘤诊断符合率的影响

在血清荧光法恶性肿瘤诊断技术应用于临床过程中我们观察到类胡萝卜素对卟啉的荧光存在着敏化作用,本文采用Ｆｏｒｓｔｅｒ理论分析了类胡萝卜素、卟啉之间的敏化荧光,计算了能量施主、受主之间的传递机制,讨论了它对血清荧光法恶性肿瘤诊断的影响。     

固体酸催化醇酸树脂的分子量分布及其与性能关系的研究

本文用HPGPC法等研究了固体酸催化醇酸树脂合成中MWD及其与性能的关系。结果表明,固体酸催化醇酸树脂化过程的MWD等物性变化规律与未加催化剂的相似,logM_w和logd与p、M_w与分散度d及logη_G与M_w之间均呈线性关系。然而在达到同样M_w和MWD时,催化新工艺所需时间大大缩短,所需温度也有较大下降,而所得树脂粘度较低,贮存稳定性更好,其成膜干性更好,漆膜硬度也较高。     

用XPS研究几种沸石的表面组成

本文用XPS研究Y、USY和ZSM-5沸石的表面组成,结果表明:沸石的表面组成(Al/Si)_s与其体相(Al/Si)_b原子比及其骨架Al在晶格中结合强弱有关。Y和载NiY沸石表面层缺Al,USY和ZSM-5沸石表面高度Al富集。在300-600℃加热载NiHY沸石,不伴有Al的移去,结果显示出沸石表面明显缺Al。     

固体酸对醇酸树脂聚酯反应的催化作用

本文研究了固体酸对醇酸树脂缩聚酯反应的催化作用,讨论了催化剂的表面酸度、制备条件及反应物分子构型等对催化聚酯反应的影响。在接近生产条件下研究了醇酸树脂聚酯反应动力学,发现多相酸催化聚酯反应与均相酸催化聚酯反应具有相似的动力学规律。     

(110)取向La0.67Sr0.33MnO3-δ外延膜的结构和磁电阻效应研究

采用直流磁控溅射法在(110)LaAlO3单晶基片上制备了La0.67Sr0.33MnO3-δ外延膜,系统地研究了样品的结构以及基片温度、外磁场对磁电阻效应的影响.将LSMO/(110)系列样品与LSMO/(001)系列样品的电阻率对比之后,发现基片的不同取向对该系列样品的电输运性质有很大的影响.原因是在不同取向时,氧原子进入薄膜的几率不同,导致Mn+3/Mn+4的比率不同,使得晶格常数、Mn+3和Mn+4与O-2之间的相互作用和原子磁矩的取向发生了变化,从而引起了金属到半导体的转变温度Tp移向高温区域和电阻率明显下降.