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对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe/Si多层膜的层间耦合进行研究,并通过退火,增大Fe,Si之间的扩散,分析界面扩散对层间耦合的影响. 实验结果表明,层状结构良好的制备态的多层膜,Fe,Si之间也存在一定程度的扩散,它是影响层间耦合的 主要因素,远远超过了半导体意义上的重掺杂,使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本 一致.进一步还发现,在一定范围内增大Fe,Si之间的扩散,即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化,Fe/Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变.
关键词:
Fe/Si多层膜
层间耦合
界面扩散 相似文献
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126.
多目标半定规划的互补弱鞍点和G-鞍点最优性条件 总被引:1,自引:0,他引:1
对于含矩阵函数半定约束和多个目标函数的多目标半定规划问题,给出Lagrange函数在弱有效意义下的互补弱鞍点和Geofrrion恰当有效意义下的G-鞍点的定义及其等价定义.然后,在较弱的凸性条件下,利用含矩阵和向量约束的择一性定理,建立多目标半定规划的互补弱鞍点和G-鞍点充分必要条件. 相似文献
127.
A new method for indirect determination of cetyl-trimethyl ammonium bromide (CTMAB) with NaCl and NH4SCH by floatation and separation of zinc has been studied.The study shows that Zn(Ⅱ) can associate with NH4SCN and CTMAB to form insoluble ternary ion-association complex,and the precipitate can float on the surface of the liquid phase.A good linear relationship is observed between the floatation yield(E%) of Zn(Ⅱ) and the amount of CTMAB.On the ground,CTMAB Can be indirectly determined by determining E% of Zn(Ⅱ).The results were satisfactory. 相似文献
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