鑭系元素、鈧与釷之纸层析分离

本文报告乙酸甲酯作展开剂之改进和四氢呋喃作展开剂时镧系元素、钪、钍、锆、钛和钒的单独和共存时的比移值,以及后者与温度的关系。此外,尚确定用四氢呋喃层析分离和茜素检出时,钍与希士元素之极限比为10~(-3),及钪和希土元素之极限比为10~(-1)。     

小麦幼苗叶片离体后若干生理生化性状的变化

为了有利于分析研究药壁、药隔在花粉去分化和愈伤组织形成中的作用,我们对与药壁组织起源相同的叶片(小麦幼苗叶片),进行了离体后若干生理生化性状变化的分析,共测定了18个项目,按其变化趋向,可以分为三类:(1)在叶片离体培养二天(48小时)后就出现明显的转折,如蒸腾强度和溶质渗出率;(2)在叶片离体培养后5天(120小时)或6天(144小时)出现明显的转折,如呼吸强度、鲜重、干重、含水量、全氮量、三氯醋酸可溶性氮、可溶性蛋白质等;(3)叶片离体培养一开始即出现变化,升高或降低,基本上直线进行,无明显转折,如以三氯醋酸不溶性氮为单位计算的呼吸强度、三氯醋酸不溶性氮、叶绿素a和b、胡萝卜和绿色素/黄色素比率等。这些变化结果表明,叶片的各个生理生化变化性状对离体影响的反应是不同的,在一定程度上反映了叶片不同的生理生化性状对根系的不同依赖性;也反映了离体叶片与离体花药的药壁、药隔相类似,经历着衰老死亡的过程,试验结果也表明:这种衰老过程在叶片离体2天就有所反映,在5—6天后全面反映出来了,而且,外植体各个部分是不同步的。由于离体叶片的酶蛋白受影响较缓慢,加之叶绿体、叶绿素潜力较大,故在离体初期,仍然能进行光合作用,积累干物质。鉴于离体花药的药壁、药隔变化具有离体后的衰老过程的特点,对花药培养研究方面提出了一些设想。     

分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high electron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10¹⁵-10¹⁷cm^-3和俘获截面(10^-16cm²)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧     

关于Pb208附近原子核的能谱(Ⅱ)——Bi208和Bi207

本文是“关于Pb²⁰⁸附近原子核的能谱(I)”的一个继续。对Bi²⁰⁸及Bi²⁰⁷计算的结果指出:实验与理论是十分符合的,从而再一次验证了独立粒子模型的观点及微扰方法在处理原子核能谱问题上的正确性。     

某些类椭园型和抛物型方程广义解的有界性

设G是n(≥3)维欧氏空间E~n中的有界区域,它的边界记为G。在G考虑如下形状的椭园型方程:     

硅霍耳元件和特斯拉计

霍耳效应是美国物理学家霍耳于1879年在金属中发现的.1948年以后,半导体的霍耳效应得到了广泛重视,制成了各种霍耳元件.首先出现的是锗霍耳元件,1955年出现了硅霍耳元件.近二十年来,随着化合物半导体材料(如InAs,InAsP,GaAs等)的出现,用化合物半导体制造的霍耳元件由于有较高的稳定性而越来越引起人们的重视(如西德西门子公司的FA,FC和SV系列,美国贝尔公司的BH系列).其中有的元件可用作0.2级甚至0.1级特斯拉计的测磁探头.而硅霍耳元件则相形见拙,在进口产品中,我们只见过配用在2.5级特斯拉计(日本横河电机3251样机)上的硅霍耳测磁探头…     

新型Zn(Ⅱ)和Co(Ⅱ)配合物的合成、表征及性能

以4,4'-联苯二羧酸（H₂BPDC）和4,4'-联吡啶（BPY）作为混合有机配体,Zn(II)或Co(II)作为中心金属离子,通过溶剂热法合成了两种新型配合物[Zn₃(bpdc)₃bpy]_n（1, CCDC: 1843824）和[Co₃(bpdc)₃bpy]_n（2, CCDC: 1887332）,其结构和性能经X-射线单晶衍射、红外光谱（FT-IR）、粉末X-射线衍射（PXRD）、热重分析（TG）和N₂吸附/脱附测试表征。结果表明:两种配合物具有相似的三维孔状结构,由Zn(II)或Co(II)以四配位和六配位呈现四面体和八面体空间几何构型;1和2均具有较好的热稳定性;在77 K,氮气吸附条件下,配合物1的BET比表面积为5.584 m²/g,吸附总孔体积为0.024 cm³/g,吸附平均孔径为13.932 nm。      

Growth and Characterization of CIS Thin Films Prepared by Ion Beam Sputtering Deposition

Copper indium diselenide （CuInSe2） thin films were prepared by ion beam sputtering Cu, In and Se targets continuously on BK7 glass substrates and the three-layer film was then annealed in the same vacuum chamber. X-ray diffraction shows that the CuInSe2 thin films have a single chalcopyrite structure with preferential （112） orientation. Scanning electron microscopy reveals that the CIS thin films consist of uniform and densely packed grain clusters. Energy dispersive x-ray spectroscopy demonstrates that the elemental composition of CIS films approaches the stochiometric composition ratios of 1：1：2. Raman measurement shows that the main peak is at about 174cm^-1 and this peak is identified as the A1 vibrational mode from chaicopyrite ordered CulnSe2. Optical transmission and absorption spectroscopy measurement reveal an energy band gap of about 1.05 eV and an absorption coefficient of 10^5 cm^-1. The film resistivity is about 0.01 Ωcm.     

Composition-Dependent Characterization of Sb2Te3 Thin Films Prepared by Ion Beam Sputtering Deposition

The optimization of ion beam sputtering deposition process for Sb2 Te3 thin films deposited on BK7 glass substrates is reported. The influence of composition ratio on the thermoelectric properties is investigated. X-ray diffraction shows that the major diffraction peaks of the films match with those of Sb2 Te3. Hall effect and Seebeck coefficient measurement reveal that all the samples are of p-type. The Sb2 Te3 thin films exhibit the Seebeck coefficient of 190μVk^-1 and the electrical conductivity of 1.1 × 10^3 Scm^-1 when the atomic ratio of Sb to Te is 0.65. Carrier concentration and motility of the films increase with the increasing atomic ratio of Sb to Te. The Sb2 Tea film with a maximum power factor of 2.26×10^-3 Win^-1K^-2 is achieved when annealed at 400℃. Raman measurement shows that the main peaks are at about 120 cm^-1, 252 cm^-1 and 450 cm^-1, in agreement with those of V-VI compound semiconductors.     

一类拟齐次多项式中心的极限环分支

确定平面拟齐次多项式微分系统具有中心的条件是一个难度很大的课题.该文首先将文献[12]给出的五次拟齐次多项式系统推广到n(奇数)次系统,给出它具有全局中心的充要条件.然后利用一阶Melnikov函数得到中心的周期环域在n次多项式扰动下产生的极限环个数的最小上界.最后证明了该上界适用于所有以m为权指数的(m,1)-(或(1,m)-)拟齐次平面多项式哈密顿系统,在2m-1次多项式扰动下分支出来的极限环个数,其中m为任意正整数.