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111.
手性荧光衍生化反相高效液相法分离肾上腺素对映体 总被引:3,自引:1,他引:3
以R (- ) /S (+) 4 (N ,N dimethylaminosulfonyl) 7 (3 iso thiocyanatopyrrolidino) 2 ,1,3 benzoxadiazole(DBD PyNCS)为手性荧光衍生化试剂 ,用反相高效液相法 (RP HPLC)对 DL 肾上腺素对映体进行分离。衍生化反应是在含有 7%吡啶的溶剂中 ,6 5℃温度条件下反应 35min ,生成具有荧光特性的肾上腺素非对映体衍生物(λex=4 6 0nm ,λem=5 5 0nm)。生成的非对映体衍生物在流动相为乙腈 水 (体积比为 2 8∶72 ) ,流速为 1 0mL/min时 ,在DiamonsilTMC18柱 (15 0mm× 4 6mmi d ,5 μm)上分离度可达 2 6。 相似文献
112.
本文对一类光子消灭算符a^N的正交归一化本征态的迭加态的振幅K次方压缩特性进行研究,结果表明一类光子消灭算符a^N的正交归一化本征态的迭加态的振幅K次方压缩特性明显地区别于a^N的正交归一化本征态的振幅K次方压缩。无论N取奇数还是偶数迭加态均在振幅K(K=Nt或Nt/2)次方压缩, 相似文献
113.
114.
115.
金属氧化物SPC簇模型方法——嵌入簇点电量的确定 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨和比较了确定金属氧化物晶体点电荷量的几种自洽条件的优劣 ,并使用abinitioHF方法对在不同点电荷量嵌入环境下MgO簇电子性质进行了研究 .计算结果表明 :点电荷量的大小会明显影响嵌入簇的电子性质 ;即使MgO被通常认为是纯的离子型氧化物 ,点电荷量取为表观化合价± 2 ,仍过高地估计了Madelung势 ,嵌入簇与点电荷之间应满足一定的自洽条件 ;使用点电荷为嵌入环境时 ,即使达到电荷自洽、偶极矩自洽或势自洽 ,簇模型计算结果仍与固体性质存在一定的偏差 ;将点电荷进行球谐展开 ,赋予其连续变化的电荷密度分布后 ,得到了一个对固体整体性质描述较好的SPC簇模型 . 相似文献
116.
117.
Reduction of Ordering Temperature of FePt-Al2O3 Thin Films by N2 Addition During Sputtering 下载免费PDF全文
We investigate the effect of N2 addition during sputtering on the microstructure and magnetic properties of FePt-Al2O3 thin films. The texture of FePt phase in FePt-Al2O3 thin films changes from (111) to a more random orientation by N2 addition during sputtering. The ordering temperature of FePt phase reduces about 100℃ with appropriate N2 partial pressure. A larger coercivity of 6.0 × 10^5 Aim is obtained with N2 partial pressure about 15%. Structural analysis reveals that a small quantity of Fe3N phase forms during sputtering and the release of N atoms during the post annealing induces a large number of vacancies in the films, which benefits to the transformation of FePt phase from fcc to fct. 相似文献
118.
119.
热波传热机制是超流氦传热非常重要的一个方面.在小热流密度的情况下,超流氦中的热波完全保持加热热流的波形,热量的传输完全靠热波来完成;随着热流密度的增加到一定程度,会在超流氦浴中激发量子涡旋.量子涡旋使热波发展成为热激波.在开放氦浴中,热波的波形不同于狭窄通道里的热波,在热波的尾部会出现一个冷却波;并且随着加热时间的变化,冷却波的形状和幅度会发生很大的变化.运用二流体模型和涡旋方程对超流氦中的热波进行了计算,实验结果与计算结果吻合得较好.
关键词:
超流氦
热波
量子涡旋
热激波 相似文献
120.
采用化学气相沉积方法,以金做催化剂,在Si (100)衬底上制备了掺AlZnO纳米线阵列.扫描电子显微镜(SEM)表征发现ZnO纳米线的直径在30nm左右.X射线衍射(XRD)图谱上只存在ZnO的(002)衍射峰,说明ZnO纳米线沿c轴择优取向.掺AlZnO纳米线阵列的室温光致发光(PL)谱中出现了3个带边激子发射峰:373nm,375nm,389nm.运用激子理论推算出掺AlZnO纳米线的禁带宽度为3.343eV ,束缚激子结合能为0.156eV;纯ZnO纳米线阵列PL谱中3个带边激子发射
关键词:
光致发光
化学气相沉积(CVD)
激子
ZnO纳米线阵列 相似文献