含三角函数的函数值域

孟建业(1945—),男,北京市人,河北省特级教师含有三角函数的复合函数值域,在各类试题中经常出现,这类题常涉及代数中函数与方程、几何中元素间的相关位置等内容.下面就若干常见题型加以归纳.1　直线型形如ｆ(ｘ)=ａｓｉｎｘ ｂ的函数,我们可以将它看作是定义在[-1,1]上的?..     

Bursting and spiking due to additional direct and stochastic currents in neuron models

Neurons at rest can exhibit diverse firing activities patterns in response to various external deterministic and random stimuli, especially additional currents. In this paper, neuronal firing patterns from bursting to spiking, induced by additional direct and stochastic currents, are explored in rest states corresponding to two values of the parameter $V_{\rm K}$ in the Chay neuron system. Three cases are considered by numerical simulation and fast/slow dynamic analysis, in which only the direct current or the stochastic current exists, or the direct and stochastic currents coexist. Meanwhile, several important bursting patterns in neuronal experiments, such as the period-1 ``circle/homoclinic" bursting and the integer multiple ``fold/homoclinic" bursting with one spike per burst, as well as the transition from integer multiple bursting to period-1 ``circle/homoclinic" bursting and that from stochastic ``Hopf/homoclinic" bursting to ``Hopf/homoclinic" bursting, are investigated in detail.     

电化学氧化增强金属钴卟啉的自组装研究

应用电化学方法将钴(Ⅱ)卟啉氧化成钴(Ⅲ)卟啉以增强它与4-巯基吡啶(MP)自组装膜的轴向配位作用,从而快速制备了有序钴卟啉自组装修饰电极CoTMPP/MP/Au(E).电化学石英晶体微天平(EQCM)测试证实电化学氧化对钴卟啉膜生长过程的增强作用.Ram an光谱及修饰电极电催化还原氧研究显示,该修饰电极与经过长时间浸渍法得到的CoTMPP/MP/Au(I)修饰电极具有完全相似的有序结构和性质.与直接将钴卟啉吸附在电极表面的CoTMPP/Au修饰电极相比,以巯基吡啶为桥键得到的钴卟啉修饰电极具有更好的电催化活性和稳定性.     

电沉积硅烷分子印迹膜修饰电极的制备及其应用

以3,4-二羟基苯甲酸作模板分子,在玻碳电极表面恒电位沉积四甲氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷,经无水乙醇将模板分子洗脱,制得硅溶胶-凝胶分子印迹膜电极.该电极能有效地抑制电化学氧化过程中3,4-二羟基苯甲酸的电聚合及其同分异构体2,4-二羟基苯甲酸对测定的干扰.实验表明,该修饰电极对3,4-二羟基苯甲酸测定的线性浓度范围为1.0×10-5~8.0×10-4mol.L-1,浓度检测下限为5.0×10-6mol.L-1.     

新型单体——丙烯酰二甲基对苯二胺(DMAPAA)及其聚合物溶液的荧光光谱的研究

本工作对一种新型单体——丙烯酰二甲基对苯二胺(DMAPAA)及其聚合物溶液的荧光光谱进行了研究。研究结果表明:由于该单体分子内同时存在着电子给体和电子受体两个部分,在光的激发下可发生分子间电子转移,该单体化合物和相应高聚物相比,前者只有较弱的荧光发生。在光的作用下该单体分子可发生光聚合反应生成聚合物。     

不同厚度及冲击角度对复合材料平板抗冲击能力的影响

为了考核叶片飞脱碎片撞击机匣的抗包容能力,采取钛合金方块作为弹体撞击复合材料平板机匣进行等效模拟。通过获取弹体不同冲击角度撞击不同厚度平板时的抗冲击临界速度,得到复合材料机匣在不同工况下的抗冲击能力极限。基于试验所获得的物理参数,进一步分析了抗冲击临界速度、应变响应、位移响应等关键物理量随平板厚度及撞击角度变化的规律。结果表明,复材平板抗冲击能力对厚度较为敏感,但呈非线性变化趋势;复材表面压应力会抑制表面裂纹的扩展,且厚度越大,这种效应越明显;机织复合材料结构抗冲击能力和裂纹扩展速度与其内部经纬纱编织角度有密切关系,且呈非单调关系。本文提出的等效考核机匣结构抗包容能力的试验方法和获得的试验数据可为真实机匣包容性试验的顺利完成提供支撑,降低适航试验取证的风险。     

离子交换法处理曝气后氯化亚铜的废水研究

通过预曝气的方法,氯化亚铜废水溶液中Cu(Ⅰ)被氧化为Cu(Ⅱ),并能简化氯化亚铜废水溶液的粒子结构,分别采用201×7 OH-型强碱性阴离子树脂和732 Na型强酸性阳离子树脂处理曝气后的氯化亚铜废水,进行了曝气时间、pH值和温度等因素对废水处理效果的研究,得到最佳的处理废水条件。曝气180 min后,在温度60 ℃,V溶液/V树脂=2/1,阳离子交换反应15 min时,可使废水溶液中铜粒子浓度达到国家废水一级排放标准。     

分布式负载垂直极化有界波电磁脉冲模拟器外泄场的规律分析

将基于MPI平台的并行时域有限差分(FDTD)方法与基于完全磁导体(PMC)镜像法相结合,并结合CST模拟软件,模拟给出分布式负载垂直极化有界波电磁脉冲(EMP)的外泄场(包括侧泄场和后泄场)的分布规律。模拟结果与实验结果符合得很好。研究表明:在高度方向上,地面附近的外泄场峰值最大,但远离模拟器时,在1.5 m高的高度范围内,外泄场的峰值差别不大;不管采用何种双指数脉冲源,距离模拟器边缘位置比较近的测点在传输线段的侧泄场的幅值大于分布式负载段侧泄场的幅值,且两者都大于分布式负载末端的后泄场幅值,但随着测点与模拟器边缘的垂直距离的增加,分布式负载段的后泄场可能会比侧泄场大;对于电压峰值相同的双指数激励源而言,所含的高频分量越多,在一定范围内,从其分布式负载末端外泄的后泄场更大;模拟器下方大地的电导率增加,模拟器的外泄场增加。     

利用激光激发原子荧光光谱方法分析海洋沉积物样品中的痕量钯

本文介绍了激光激发原子荧光光谱分析方法及实验谱仪装置，利用这套谱仪共对３６个我国东海大陆架沉积物样品中的钯进行了分析测量。