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基于超分子结构共掺杂纳米复合薄膜的制备与荧光特性 总被引:5,自引:0,他引:5
为改善功能分了的特性,提出一种基于金属纳米粒子-偶氮染料复合物共掺杂超分子结构功能材料的设计新方法.并依照此方法制备出复合材料,观测了其显微结构,测量了其紫外-可见光吸收,研究了该超分子结构复合体系的荧光特性.实验发现,由于金属银纳米粒子的掺杂,使得超分子结构复合体系中功能分子甲基橙在溶液态体系的荧光强度增强近5倍,而在两种不同结构(共混结构和包覆结构)的薄膜态超分子结构体系中,其荧光强度分别被猝灭15%和20%.研究结果表明,复合膜中采用超分子结构完全能够改善功能分子的特性. 相似文献
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在手征SU(3)夸克集团模型下, 通过共振群方法(RGM)计算了双Λ超核^6_ΛΛHe,^5_ΛΛHe,^5_ΛΛH,^4_ΛΛHe,和^4_ΛΛH的结合能. 结果表明, 假定双Λ超核具有双Λ集团和壳心核集团构成的两集团结构, 得到的^6_ΛΛHe超核的结合能与实验值基本吻合, 表明手征SU(3)夸克集团模型不仅能较好地描述重子谱、N-N和Y-N相互作用及轻Λ超核的结合能, 也能较好地描述Y-Y相互作用及双Λ超核^6_ΛΛHe,^5_ΛΛHe,^5_ΛΛH,^4_ΛΛHe,和^4_ΛΛH的结合能, 指出了它们存在的可能性. 相似文献
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在有效质量近似理论下,利用转移矩阵和有效垒高方法研究了有限磁场下含结构缺陷的多组分超晶格中局域电子态的性质.在考虑各组分层有效质量的失配时,外加磁场会导致磁耦合效应的出现.磁耦合效应不仅引起局域电子能级的量子化,并且随着朗道指数或磁场强弱的变化,局域能级及其局域程度都会发生显著移动,特别是对高能区域的局域电子态影响更大.此外,还计算了电子输运系数,讨论了含结构缺陷的三组分超晶格中局域电子能级与输运谱透射禁区中的共振透射峰的关系,发现两者之间有着很好的对应关系,为相应的实验研究提供了依据.
关键词:
超晶格
局域电子态
磁场 相似文献
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采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。 相似文献
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研究了L-波段超荧光在光纤中的产生机理,设计了一种带光纤圈反射器的双级双程前向输出L-波段光源结构,通过对两级采用掺铒浓度不同的光纤并优化其长度及两级泵浦光功率,实验中获得了功率高达19.86mW(12.98dBm)、中心波长为1577.421nm的L-波段(1555-1620nm)超荧光光源。实现了低浓度掺铒光纤起诱导光及改善光谱的作用,高浓度光纤为主要发光源,采用光纤圈反射器提高了泵浦光的利用效率、光源的平坦度及稳定性。同时分析了结构中各个参量对光源各方面性能的影响,对光源的设计具有指导意义。 相似文献