CO在Ni-k/Al_2O_3系催化剂上吸附红外光谱研究

用红外光谱技术研究了(1)室温至300℃时CO 在Ni-K/Al_2O_3系催化剂上的吸附态,(2)室温抽气脱附中各吸附态的稳定性及(3)吸附CO 的解离。CO 吸附时形成的表面生成物为:一氧化碳(CO),羧酸基(COO-),碳酸氢盐(HCO_3~-),简单碳酸盐和二配位碳酸盐(CO_3~-)。各种吸附态的稳定性与催化剂中K 含量及温度的关系密切。在K 含量>1mg atom/g-Al_2O_3的催化剂上,在1803—1774cm~(-1)形成了一个稳定的、构型尚不清楚的CO 吸附态。另外,讨论了表面羧酸基和碳酸盐形成的机理。     

氮支冠醚二硫化甲酸酯化合物的合成

报道合成氮支冠醚的一种新连续方法，２，３－苯并－１０－氮杂－１，４，７，１３－四氧杂环十五－２－烯与二硫化碳在氢氧化钠存在下反应生成胺基二硫化甲酸盐，然后与卤代烃连接，形成单、双、参冠醚。     

M,N′-双（2-吡啶乙基）二硫代草酰胺根桥联的三核铜（Ⅱ）配合物的合成及性质

多原子桥联配体的多核配合物中，顺磁离子间磁偶合作用的研究对阐明磁性和结构的关系以及设计新型分子基磁性材料具有重要的理论意义。草酸根及草酰胺根桥联的多核配合物得到了较为广泛和深入的研究。硫原子取代两个氧原子后，形成二硫代草酸根及二硫代草酰胺根，由于硫属于第三周期的元素，其半径较大，电负性较小。     

手性荧光衍生化反相高效液相法分离肾上腺素对映体

 以R (- ) /S (+) 4 (N ,N dimethylaminosulfonyl) 7 (3 iso thiocyanatopyrrolidino) 2 ,1,3 benzoxadiazole(DBD PyNCS)为手性荧光衍生化试剂 ,用反相高效液相法 (RP HPLC)对 DL 肾上腺素对映体进行分离。衍生化反应是在含有 7%吡啶的溶剂中 ,6 5℃温度条件下反应 35min ,生成具有荧光特性的肾上腺素非对映体衍生物(λex=4 6 0nm ,λem=5 5 0nm)。生成的非对映体衍生物在流动相为乙腈 水 (体积比为 2 8∶72 ) ,流速为 1 0mL/min时 ,在DiamonsilTMC18柱 (15 0mm× 4 6mmi d ,5 μm)上分离度可达 2 6。     

一类光子消灭算符a^N的正交归一化本征态的迭加态的振幅K次方压缩特性

本文对一类光子消灭算符a^N的正交归一化本征态的迭加态的振幅K次方压缩特性进行研究，结果表明一类光子消灭算符a^N的正交归一化本征态的迭加态的振幅K次方压缩特性明显地区别于a^N的正交归一化本征态的振幅K次方压缩。无论N取奇数还是偶数迭加态均在振幅K（K=Nt或Nt／2）次方压缩，     

飞机内部轻质隔声间的研究

一、机舱内的噪声 本文首先对比了国产某型飞机在地面静止发动和空中飞行时的噪声,结果见图1.噪声以125Hz到250Hz最强,500—1000Hz次之,2000Hz以上的高频噪声比较弱.测试所用的仪器是精密声级计和倍频程滤波器.飞行与静止发动的噪声相比,各频带约高1到2dB,A声级约高3dB.该型国产与国外同类机种对比,     

金属氧化物SPC簇模型方法——嵌入簇点电量的确定

探讨和比较了确定金属氧化物晶体点电荷量的几种自洽条件的优劣 ,并使用abinitioHF方法对在不同点电荷量嵌入环境下MgO簇电子性质进行了研究 .计算结果表明 :点电荷量的大小会明显影响嵌入簇的电子性质 ;即使MgO被通常认为是纯的离子型氧化物 ,点电荷量取为表观化合价± 2 ,仍过高地估计了Madelung势 ,嵌入簇与点电荷之间应满足一定的自洽条件 ;使用点电荷为嵌入环境时 ,即使达到电荷自洽、偶极矩自洽或势自洽 ,簇模型计算结果仍与固体性质存在一定的偏差 ;将点电荷进行球谐展开 ,赋予其连续变化的电荷密度分布后 ,得到了一个对固体整体性质描述较好的SPC簇模型 .     

日本大学中物理学导论的教育

此文系中山正敏教授在1992年9月9日于日本东海大学举办的ASPEN国际会议上的报告     

Reduction of Ordering Temperature of FePt-Al2O3 Thin Films by N2 Addition During Sputtering

We investigate the effect of N2 addition during sputtering on the microstructure and magnetic properties of FePt-Al2O3 thin films. The texture of FePt phase in FePt-Al2O3 thin films changes from （111） to a more random orientation by N2 addition during sputtering. The ordering temperature of FePt phase reduces about 100℃ with appropriate N2 partial pressure. A larger coercivity of 6.0 × 10^5 Aim is obtained with N2 partial pressure about 15%. Structural analysis reveals that a small quantity of Fe3N phase forms during sputtering and the release of N atoms during the post annealing induces a large number of vacancies in the films, which benefits to the transformation of FePt phase from fcc to fct.