用于白光LED的单一基质白光荧光粉Ca2SiO3Cl2:Eu2+，Mn2+的发光性质

用高温固相法合成了Eu²⁺，Mn²⁺共激活的Ca₂SiO₃Cl₂高亮度白色发光材料，并对其发光性质进行了研究. 该荧光粉在近紫外光激发下发出强的白色荧光，Eu^{2+中心形成峰值为419 nm和498 nm的特征宽带，通过Eu2+中心向Mn2+中心的能量传递导致了峰值为578 nm的发射，三个谱带叠加从而在单一基质中得到了白光. 激发光谱均分布在250—415 nm的波长范围，红绿蓝三个发射带的激发谱峰值分别位于385 nm，412 nm，370 nm和396 nm处，可以被InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发. Ca₂SiO₃Cl₂:Eu2+，Mn2+是一种很有前途的单一基质白光LED荧光粉.}     

蒙药心舒安中锗的差分脉冲极谱研究

在pH=1.30的H2SO4和3,4-二羟基苯甲醛(DHB)底液中,采用差分脉冲极谱法,测得无机锗的脉冲极谱波.其峰电位为Ep=-0.53V.Ge(Ⅳ)浓度在1.03×10-3-1.04×10-4mol·L-1范围内与峰电流呈线性关系,样品中总锗和无机锗的回收率分别是95.72%和96.43%.     

Optimization of Metamorphic InGaAs Quantum Wells on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials （x up to 0.5） on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content （55%） InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions.     

Transmission Properties of W3 Y-Branch Filters in Two-Dimensional Photonic Crystal Slabs

A highly efficient W3 Y-branch filter in a two-dimensional photonic crystal slab with triangular lattice of air holes is designed and fabricated, and its transmission properties are measured. By accurately adjusting the size of the resonant cavities, the minimum wavelength spacing of 7 nm between two channels is realized. The corresponding resonant wavelengths of the two cavities agree well with the calculated ones. This implies that this kind of fiIter may be promising in integrated wavelength division multiplexing system.     

實用調和分析新法

<正> 實用調和分析的目標是從給定的一段曲線y=f(x),0≤x≤2π定出這個函數的頑里哀係數     

(110)取向La0.67Sr0.33MnO3-δ外延膜的结构和磁电阻效应研究

采用直流磁控溅射法在(110)LaAlO3单晶基片上制备了La0.67Sr0.33MnO3-δ外延膜,系统地研究了样品的结构以及基片温度、外磁场对磁电阻效应的影响.将LSMO/(110)系列样品与LSMO/(001)系列样品的电阻率对比之后,发现基片的不同取向对该系列样品的电输运性质有很大的影响.原因是在不同取向时,氧原子进入薄膜的几率不同,导致Mn+3/Mn+4的比率不同,使得晶格常数、Mn+3和Mn+4与O-2之间的相互作用和原子磁矩的取向发生了变化,从而引起了金属到半导体的转变温度Tp移向高温区域和电阻率明显下降.     

单轴晶体和各向同性介质交界面上e光光线的折射

根据光在各向异性介质中遵从的Ｆｅｒｍａｔ 原理,较系统地讨论了单轴晶体和各向同性介质交界面上的ｅ 光（ 非常光） 光线的折射,得到了光轴在任意取向情况下的折射基本公式。同时给出一般情况下确定ｅ 光线折射角的具体解。在此基础上对几种特殊的光轴取向给予了较详细的讨论。最后讨论了ｅ 光线的折射公式与ｅ 光波法线的折射定律的等价性,从而说明Ｆｅｒｍａｔ 原理与光的电磁波理论存在内在的一致性。     

缺锌对大鼠所致危害的实验研究

用缺锌饲料饲养Wister大鼠,以N-甲基-N硝基-N亚硝基胍(MNNG)作为致癌剂染毒,观察了缺锌对大鼠的危害。结果显示,实验组动物血清锌降低,脱毛、吃毛,体质量减轻,免疫力下降,前胃黏膜增生,前胃癌发生率显著高于对照;2例实验组大鼠胃腺区发生非典型增生,对照组无此种现象。提示适量锌具有保护胃黏膜、抑制肿瘤发生的作用;缺锌是导致胃癌发生率升高的危险因素。     

异(口恶)唑衍生物的新合成方法

在有机合成中, 异唑是制备一些稠杂环及某些药物和天然产物[1]的前体. 取代异唑一般是由腈的氧化物[2]经1,3-偶极环加成反应制备的. 近年来, 一些新的合成方法也有报道[3～7]. 本文报道由异唑啉-N-氧化物(硝酮)制备4-取代苯基异唑的一种新的方法. 在无水DMF中加热回流热解, 可以方便地制得异唑衍生物. 反应式如下: