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101.
薄膜体声波谐振器(FBAR)性能模型包含两个关系式:一个是FBAR有效机电耦合系数与其形状因子(面积与周长之比)的关系式,另一个是FBAR品质因数与其形状因子的关系式。前一个关系式中的参数为FBAR边缘区域的等效宽度,后一个关系式中的参数为表征FBAR横向声能泄漏的因子。为使性能模型用于不同膜层结构、材料及制备工艺的FBAR,建立FBAR性能模型参数的提取流程。以一种5层复合结构的FBAR为例,在同一晶片上,制备多个不同形状因子的FBAR。针对其中一个五边形FBAR,在ADS软件中通过Mason电路模型仿真得到其性能值(有效机电耦合系数和品质因数);再使用矢量网络分析仪和射频探针台实测其性能值。将仿真与实测得到的性能值代入FBAR性能模型,解算出这两个参数。确定参数之后,使用FBAR性能模型预测同一晶片上其它不同性能因子FBAR的有效机电耦合系数和品质因数,预测值的相对误差在3%之内,验证了该参数提取流程的有效性。 相似文献
102.
从场的表达式出发, 根据Bessel函数的积分公式,推导了旋转TMn10模的腔内储能,时均损耗功率,和冷品质因数等公式。求得了与静态TMn10模不同的相应公式, 它更接近于实验值。为了比较,又推导了该静态模的相应参数公式,得出与现有静态模固有冷品质因素不同的公式。 相似文献
103.
BaO-La2O3-TiO2(BLT)是典型的高介电常数微波介质陶瓷,其作为微波谐振器与滤波器的关键材料,在微波通讯技术上有着重要的应用. 选用ZrO2对BLT进行改性研究,当ZrO2的加入量z<0.5mol时,烧结体的主晶相为Ba6-3xLa8 2x(Ti1-zZrz)18O54(x=1/2)钨青铜结构(TB)固溶体,随ZrO2加入量的增多,烧结体中产生第二相,当z=1.0mol时,烧结体的主晶相为La2Zr2O7和BaZrO3,这与结构许容因子的变化密切相关,获得较优介电性能如下εr=103.71,Q·f=4862.53 GHz,τf=168.97×10-6/℃,优于不添加ZrO2时烧结体介电性能(εr=139.73,Q·f=1238.96 GHz,τf=179.97×10-6/℃) ,说明少量ZrO2的加入可以改善BLT陶瓷的品质因数和频率温度系数,略降低介电常数. SEM分析表明,少量ZrO2的加入没有改变烧结体的微观形貌,改性前后烧结体内部均为典型的柱状TB固溶体形貌. 相似文献
104.
利用直流磁控溅射方法制备在ZrO2基片上的GdBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜,我们制成了环形薄膜微波谐振器,并对它的品质因数Q值进行了测量,测量温区从80K直到150K。当输入到谐振器的功率等于1mW,并且当它处在81.2K时,谐振器在4.212GHz(最小插损点处的频率)起振;这时的有载品质因数Q值等于176,谐振点处的最小插损为-9.58dB;在谐振峰两侧比最小插损低3dB两点之间的频率差为 相似文献
105.
用Mathematica程序深入分析了外接电感对放大器频率特性的补偿效果,讨论了补偿回路品质因数对放大器幅频特性和上限截止频率的影响,指出了文献中的疏漏。 相似文献
106.
本文介绍了国内首见报导的32×64元硅化铂肖特基势垒红外焦平面的物理设计方法。作者从计算探测目标的辐射能量出发,综合考虑了器件的结构、材料和工艺参数,电参数,光学系统参数和响应率的非均匀性,以信嗓比作为焦平面的品质因数进行了性能优化计算。根据系统参数和现有工艺条件,预计焦平面对室温景物成象的温度分辨率优于1°K,这同器件的热象测试结果符合得相当好。 相似文献
107.
采用标量网络分析仪(SNA)对毫米波段的Fabry-Perot准光腔进行了品质因数测定。通过纵向半波数的测试确定了谐振峰对应的模式,给出了AV3617测量数据并计算了相应的外观品质因数和固有品质因数,详细分析了扫频测试的误差及其误差来源。分析表明,半功率点的频率测定误差是引起准光腔品质因数测量误差的主要因素;利用扫频源HP83630A较高的频率分辨率,结合参考频标使测试数据的有效位数增加,从而提高了测试准光腔品质因数的精度。 相似文献
108.
109.
110.
基于表面等离激元提出了一种含金属挡板的波导侧向耦合谐振腔系统。当入射光从波导的入射端进入到该结构时,谐振腔会形成较窄的离散带,金属挡板会产生较宽的连续态,较窄的离散态与较宽的连续态发生干涉时,形成两种不同模式的Fano共振谱线。采用时域有限差分法对该结构的传输特性进行了仿真计算,分别研究了结构的磁场分布、电场分布、透射特性和传感性能,根据磁场分布图和电场分布图可更好地解释Fano共振的形成机理。仿真数据分析结果表明,几何参数与介质折射率可以调节结构的传输性能。最后对结构的几何参数进行了优化处理,得到了在最优参数下,该结构产生的两个Fano共振的品质因数分别为4.502×105和1.967×105,对应的灵敏度分别为800 nm/RIU和1 400 nm/RIU,均达到了较高的数值,具有良好的传感性能。所设计的耦合结构可为提高微纳光学传感器的性能提供一种可行的途径。 相似文献