Li＋在基于N,N-二甲基甲酰胺混合溶剂中的溶剂化

利用红外和拉曼光谱技术研究了Li^＋在不同浓度、不同溶剂组成的LiBF₄/N,N-二甲基甲酰胺-乙腈、LiBF₄/N,N-二甲基甲酰胺-四氢呋喃电解质溶液中的优先溶剂化现象. 红外和拉曼光谱的分析表明, Li^＋主要与DMF分子相互作用, 导致该分子的C＝O伸缩振动谱带、N—C＝O形变谱带、CH₃摇摆谱带等发生了分裂. Li^＋与其它溶剂分子的相互作用较弱, 谱带的分裂现象并不明显. Li^＋溶剂化数的计算显示, Li^＋第一溶剂化层内DMF分子的数目一般大于2, 这说明 Li^＋在混合溶剂体系内优先与DMF分子相互作用. 量子化学计算支持了这一结论.     

十六烷基三甲基氯化铵在β-环糊精水溶液中的胶束化行为

通过测定十六烷基三甲基氯化铵（CTAC）+H_2O和CTAC+β-环糊精（β-CD） +H_2O体系在298.15K时的电导和密度，计算了一系列重要的热力学参数，如临界胶 束浓度、胶束离解主工、CTAC分子碳链从β-环糊精水溶液到胶束的转移自由能、 CTAC的标准偏摩尔体积以及CTAC和β-CD形成的包络物的计量比和包络常数等，结 果表明，β-CD对CTAC的胶束化有较显蓍的影响，由于CTAC的疏水碳链被β-CD空腔 包络，CTAC的热力学活度降低，削弱了其胶束的生成，但是，β-CD及其包络物基 本上不参与CTAC胶束的生成，而且一旦胶束形成，包络物对CTAC的胶束性质也没有 明显的影响，在简单模型的基础上不参与CTAC胶束的生成，而且一旦胶束形成，包 络对CTAC的胶束性质也没有明显的影响，在简单模型的基础上，计算了CTAC分子碳 链进入β-CD疏水空腔的CH_2基团的数目，从另一方面证明β-CD与CTAC分子形成了 包络物，当β-CD的浓度较高时，包络物的计量比为2∶1。     

关于微波感应直流电压现象的理论

在一个开路(即未和直流电源相联)的约瑟夫逊隧道结上以微波辐照,隧道结的两端便出现一定的直流电压。这就是微波感应电压现象。 文献[1]报道了Chen等人的实验结果。他们采用尺寸很小的Pb-PbOx-Pb结。隧道结的结平面面积约10~(-6)cm~2;结电阻为1Ω;临界电流I_c(在1.4K时)为1.1mA.在10GHz的微波辐照下,结两端出现的直流电压V_n是断续的,和微波频率υ在如下关系:     

探究二次方程的几何解释

§Ⅰ.大家知道,二次方程x~2 px q=0 (1)的每一对系数(p,q)对应它的一对根(x_1,x_2).如果它的兩个根同是实根,並且我們約定x_1≤x_2. 方程(1)的每一对参数(系数),我們看作它是具有p,q軸的平面M上的一点(图1).     

静电加速器的周期聚焦效应

从理论分析及在电解槽中进行模拟实验测量知道,静电加速器加速管内的电场分布一般不是均匀的,而是有周期性变化的。本文利用微扰法求解了离子束在这种周期场内运动的傍轴轨迹方程,描绘出了离子束在这种场内的轮廓,也求出了表达这个离子光学系统的焦距公式,并讨论了空间电荷效应对离子束的发散作用。     

超导临界温度理论(Ⅰ)

本文求出了Eliashberg方程在T=T_c时的解,得到了下面的临界温度级数表示式:T_c=α₀(μ^*)(λ〈ω²〉)^1/2{1+1/λα₁(μ^*)〈ω⁴>/〈ω²>²+1/λ²(α₂₁(μ^*)〈ω⁶>/〈ω²>³+α₂₂(μ^*)〈ω⁴>²/〈ω²>⁴) +1/λ³(α₃₁(μ^*)〈ω⁸>/〈ω²>⁴+α₃₂(μ^*)(〈ω⁴>〈ω⁶>)/〈ω²>⁵)+α₃₃(μ^*)〈ω⁴>³/〈ω²>⁶+…},其中α₀(μ^*),α₁(μ^*)等仅是μ^*的函数。新的T_c公式表明了,T_c不仅依赖于λ、μ^*和〈ω²〉,而且依赖于有效声子谱α²F(ω)的各级矩〈ω²ⁿ〉。     

制造合成氨及硝酸的实验及直观教材

氨的合成学生在学习“氮和磷”的课程中已熟悉从元素组成氨的反应,因而应该使他们得到工业上氨的合成的概念。为了很好地解决这些问题,最好在上化学课时能进行演示,并且学生自己在他们的化学小组中做实验。学生在研究此项反应后,便能深化关于化学反应的可逆性以及使化学平衡移动的条件的知识。所以我们最好利用这同一仪器装置不仅向学生显示直     

室温离子液体电解液中尖晶石LiMn_2O_4的电化学性质

应用循环伏安、恒电流充放电和电化学阻抗技术研究了尖晶石L iMn2O4于室温离子液体电解液中的电化学性质.实验表明,以室温离子液体作电解液,L iMn2O4的首次放电容量可达108.2 mAh/g、循环效率高于90%,温度和电流密度显著影响电极的电化学性能.交流阻抗测定了L i+在电极/电解液相界面迁移的活化能,为55 kJ/mol.根据界面反应的高活化能解释了L iMn2O4在该离子液体电解液中低温性能和倍率充放电性能不佳的原因.